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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使用行错误信息的擦除操作-CN202310186649.6在审
发明人： S·艾亚普利迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：存储器装置可以包含具有一组行的存储器阵列。在擦除操作期间，所述存储器装置可以读取存储在所述存储器阵列的一行中的数据和错误控制信息，并且检测所述行中的错误数量。所述存储器装置可以在所述擦除操作期间将所述存储器装置的所述行中检测到的所述错误数量存储在存储与所述存储器阵列的所述行相关联的数据的所述存储器阵列的存储器单元中。在一些情况下，所述存储器装置接着可以在所述擦除操作期间基于所述行中检测到的所存储的错误数量来确定所述行与所降低可靠性相关联。这里，所述存储器装置可以重新配置所述存储器阵列以将所述行的所述数据存储在另一行中。
使用错误信息擦除操作

[发明专利]可执行人工智能运算的存储器芯片及其操作方法-CN201910216548.2有效
发明人：黄崇仁;葛永年 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明提出一种可执行人工智能运算的存储器芯片及其操作方法。存储器芯片包括存储器阵列、存储器控制器以及人工智能引擎。存储器阵列包括多个存储器区域。所述多个存储器区域用以储存数字化输入数据以及权重数据。存储器控制器经由专属于人工智能引擎的总线来耦接至存储器阵列。人工智能引擎经由存储器控制器以及总线来存取存储器阵列，以取得数字化输入数据以及权重数据。
可执行人工智能运算存储器芯片及其操作方法

[发明专利]用以选择存储器区域的方法、电路及系统-CN200880024386.2有效
发明人：斯科特·史密斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G11C11/403 文献下载
摘要：本发明描述用于选择存储器区域的实施例。举例来说，在一个实施例中，具有存储器单元阵列的存储器装置包含阵列选择块。所述阵列选择块接收指示所述存储器单元阵列中的区域的输入信号。所述阵列选择块基于所述存储器单元阵列中的至少一个物理位置中的缺陷数目的检测产生选择信号以将所述区域映射到所述位置。
用以选择存储器区域方法电路系统

[发明专利]加电时具有自动后台预处理的存储器-CN202010870091.X在审
发明人： A·D·韦切斯;D·M·贝尔;J·S·雷赫迈耶;R·邦内尔;N·J·迈尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：在本文中公开了在加电时具有自动后台预处理的存储器装置和系统以及相关联方法。在一个实施例中，存储器装置包含具有多个存储器单元的存储器阵列和被配置成存储预处理数据的熔丝阵列。所述预处理数据可以标识所述存储器阵列的一部分，指定预定的预处理状态或其组合。当所述存储器装置通电时，所述存储器装置可以被配置成在执行访问命令之前自动地从所述熔丝阵列检索所述预处理数据和/或将所述存储器阵列的所述部分中的存储器单元写入到所述预定的预处理状态。
加电时具有自动后台预处理存储器

[发明专利]数据复制的方法、设备和计算机存储介质-CN201810802064.1有效
发明人：奉昌玉;徐鑫磊;李雄成;汤海鹰;张晓波 -专利权人：伊姆西IP控股有限责任公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：该方法包括：响应于接收到将源地址的数据复制到目标地址的请求，向与源地址相关联的第一存储器阵列和与目标地址关联的第二存储器阵列发送第一查询和第二查询；从第一存储器阵列接收作为第一查询的响应的第一标识符，第一标识符指示在第一存储器阵列中与源地址相对应的第一逻辑存储单元；从第二存储器阵列接收作为第二查询的响应的第二标识符，第二标识符指示在第二存储器阵列中与目标地址相对应的第二逻辑存储单元；以及基于第一标识符和第二标识符，触发第一存储器阵列和第二存储器阵列中支持执行阵列数据复制的存储器阵列执行对数据的复制，其中第一标识符和第二标识符至少对于被触发的存储器阵列是全局唯一的。
数据复制方法设备计算机存储介质

[发明专利]电阻式存储器中的位故障的实时纠正-CN201480072470.7有效
发明人： T·金;S·金;J·P·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：用于纠正电阻式存储器设备中的位故障的系统和方法包括：将存储器设备划分成第一存储器排和第二存储器排。第一单位修复(SBR)阵列被存储在第二存储器排中，其中第一SBR阵列被配置成存储第一存储器排的第一行中的第一故障位中的故障的第一指示。第一存储器排和第一SBR阵列被配置成在存储器存取操作期间被并行地存取。类似地，存储在第一存储器排中的第二SBR阵列可以存储第二存储器排中的位故障的指示，其中第二SBR阵列和第二存储器排可以被并行地存取。因而，第一和第二存储器排中的位故障可以被实时地纠正。
电阻存储器中的故障实时纠正

[发明专利]存储器矩阵-CN201510096445.9有效
发明人：艾弗伦·C·吴;季红彬;拉法尔·C·卡麦罗塔 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G11C8/16 文献下载
摘要：一种集成电路包括存储器矩阵，其包含：第一存储器单元阵列；第一多路复用器(MUX)，其耦合到所述第一存储器单元阵列的输入；第二MUX，其耦合到所述第一存储器单元阵列的输出；第二存储器单元阵列；第三MUX，其耦合到所述第二存储器单元阵列的输入；及第四MUX，其耦合到所述第二存储器单元阵列的输出。所述第四MUX经配置以传送以下各项中的选定一者：(1)来自所述第三MUX的输出，(2)来自所述第二存储器单元阵列的输出，或(3)来自所述第二MUX的输出。
存储器矩阵

[实用新型]存储器矩阵-CN201520126233.6有效
发明人：艾弗伦·C·吴;季红彬;拉法尔·C·卡麦罗塔 -专利权人：吉林克斯公司
申请日： 2015-03-04 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： G11C8/16 文献下载
摘要：一种集成电路包括存储器矩阵，其包含：第一存储器单元阵列；第一多路复用器(MUX)，其耦合到所述第一存储器单元阵列的输入；第二MUX，其耦合到所述第一存储器单元阵列的输出；第二存储器单元阵列；第三MUX，其耦合到所述第二存储器单元阵列的输入；及第四MUX，其耦合到所述第二存储器单元阵列的输出。所述第四MUX经配置以传送以下各项中的选定一者：(1)来自所述第三MUX的输出，(2)来自所述第二存储器单元阵列的输出，或(3)来自所述第二MUX的输出。
存储器矩阵

[发明专利]磁存储装置与磁基片-CN200410064300.2无效
发明人：国清辰也;永久克已;前田茂伸 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-11-30 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储装置，配备具有多个存储器单元阵列、跨过所述多个存储器单元阵列的多个主字线、对应于所述多个存储器单元阵列的每一个配置的多个存储器单元阵列选择线的至少一个存储器单元阵列组，该存储器单元阵列由多个存储器单元构成，该存储器单元包括非接触地交叉、构成矩阵的多个位线和多个字线以及分别配置在所述多个位线和所述多个字线的交叉部上的至少一个磁隧道结，所述多个字线分别连接于分别设置在所述多个主字线和所述多个存储器单元阵列选择线的交叉部上的第一组合逻辑门的输出，所述第一组合逻辑门的输入连接于处于交叉状态的所述多个主字线之一与所述多个存储器单元阵列选择线之一。
存储装置磁基片

[发明专利]具有可调整暂停时间的存储器内置式自测试-CN202210522349.6在审
发明人：藤原敬典;D·S·米勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本公开涉及具有可调整暂停时间的存储器内置式自测试。设备具有存储器阵列，所述存储器阵列具有多个存储器单元。所述设备还包含用以测试所述存储器阵列的存储器内置式自测试电路。所述存储器内置式自测试电路包含一或多个处理装置以：将数据模式写入到所述存储器阵列中待测试的一或多个存储器单元；暂停对应于预定暂停时间设置的时间段；以及在经过所述时间段之后从所述一或多个存储器单元读取写入的数据模式基于存储器装置条件自动调整所述预定暂停时间设置，所述存储器装置条件可包含所述设备的温度。
具有可调整暂停时间存储器内置测试

[发明专利]存储器编程操作中的覆写模式-CN202210546665.7在审
发明人： T·O·伊瓦萨基;K·坦派罗;J·黄;L·C·米兰达;宁涉洋 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：描述用于在覆写模式中执行存储器编程操作的系统和方法。实例存储器装置包括：存储器阵列，其包括电耦合到多个字线和多个位线的多个存储器单元；和控制器，其耦合到所述存储器阵列，所述控制器执行包括以下各项的操作：响应于识别将由所述存储器阵列的一部分存储的第一数据项，致使执行第一存储器编程操作以将所述存储器阵列的所述部分包括的存储器单元集编程到第一目标阈值电压；和响应于识别将由所述存储器阵列的所述部分存储的第二数据项，致使执行第二存储器编程操作以将所述存储器单元集编程到超过所述第一目标阈值电压的第二目标阈值电压
存储器编程操作中的模式

[发明专利]非易失性存储器系统及偏压非易失性存储器的方法-CN201310364202.X在审
发明人：柳弼相;叶润林 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器系统及偏压非易失性存储器的方法。非易失性存储器系统包括存储器单元阵列及耦接至存储器单元阵列的偏压电路。偏压电路包括控制器及偏压产生器。控制器用以在抹除周期后对存储器单元阵列进行抹除确认动作，其中当存储器单元阵列的至少一部份未通过抹除确认动作时，控制器产生一控制信号且传送该控制信号至偏压产生器。偏压产生器提供第一电压至存储器单元阵列，直至接收到从控制器传送的控制信号为止。当偏压产生器接收从控制器的控制信号时，偏压产生器根据控制信号，增加提供至存储器单元阵列的第一电压至一第二电压。
非易失性存储器系统偏压方法

[发明专利]用于存储总线接口的PCM存储器-CN201010172633.2有效
发明人： E·孔法洛涅里;M·斯科尼亚米利奥;F·蒂齐亚尼 -专利权人： E·孔法洛涅里;M·斯科尼亚米利奥;F·蒂齐亚尼
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：描述了一种可以在存储总线接口上使用的用于相变存储器(PCM)的存储控制器。在一个示例中，存储控制器包括耦合到外部总线以与外部设备传送读取和写入指令的外部总线接口、耦合到存储器阵列以在存储器阵列上执行读取和写入的存储器阵列接口、以及将期望值写入存储器阵列的期望地址的重写模块。
用于存储总线接口 pcm 存储器

[发明专利]预写入阵列的存储器单元-CN201880010412.X有效
发明人： S·J·德尔纳;C·J·卡瓦姆拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案涉及预写入阵列的存储器单元。本发明描述用于操作存储器单元或若干存储器单元的方法、系统及装置。存储器阵列的单元可经预写入，这可包含在使感测组件与所述阵列的数字线隔离时将所述单元写入到一个状态。所述技术可包含以下技术：存取存储器阵列的存储器单元；至少部分基于所述单元的所述存取使感测放大器与所述存储器阵列的数字线隔离；触发所述感测放大器；及在隔离所述感测放大器时将所述存储器阵列的所述存储器单元预写入到第二数据状态在一些实例中，所述存储器单元可包含铁电存储器单元。
写入阵列存储器单元

[发明专利]存储器器件和修整存储器器件的方法-CN202110255759.4有效
发明人：史毅骏;李嘉富;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：存储器器件，诸如MRAM存储器，包括具有多个位单元的存储器阵列。存储器阵列配置为存储修整信息并且存储用户数据。感测放大器配置为从存储器阵列读取修整信息，并且修整寄存器配置为从感测放大器接收修整信息。感测放大器配置为从修整寄存器接收修整信息，以便在用于从存储器阵列读取用户数据的修整模式下操作。本申请的实施例还涉及修整存储器器件的方法。
存储器器件修整方法

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