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- [发明专利]磁性随机存取存储器-CN01120714.0无效
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H·舒斯特尔－沃尔丹;S·施瓦茨尔
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因芬尼昂技术股份公司
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2001-04-12
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2001-11-14
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G11C11/15
- 一种MRAM存储器,它具有一包括磁致电阻存储器元件(6a,6b)的存储器单元阵列(2),上述磁致电阻存储器元件设置在半导体衬底上(4)的至少一个存储器单元层中;字线(7)和位线(8,9),用于与存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a,6b)相连接,和一驱动逻辑装置(5a,5b,5c),用于通过字线和位线(7,8,9)驱动存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a,6b),该驱动逻辑装置(5a,5b,5c)集成在半导体衬底(4)中和其上的存储器单元阵列(2)的下面。
- 磁性随机存取存储器
- [发明专利]半导体器件以及半导体系统-CN202310054015.5在审
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田中信二;泽田阳平;森本薰夫
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瑞萨电子株式会社
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2023-02-03
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2023-10-27
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G11C7/06
- 一种半导体器件包括存储器阵列，存储器阵列具有以矩阵形式布置以存储条目的多个关联存储器单元。存储器阵列被划分为用于沿着列方向顺序地执行检索操作的多个存储器块，并且还包括：多个匹配线，对应于相应存储器块并且被对应地提供给每个存储器单元行；多个搜索线，对应于相应存储器块并且被对应地提供给每个存储器单元列；以及多个匹配放大器，对应于相应存储器块并且被提供给多个匹配线。对应地提供给在前存储器块的匹配线被设置为比对应地提供给后续存储器块的匹配线短。存储器阵列还包括定时控制单元，用于基于对应地提供给在前存储器块的匹配线的长度来控制驱动后续存储器块的搜索线的定时。
- 半导体器件以及半导体系统
- [发明专利]存储器装置及其编程方法-CN201810905611.9有效
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李永骏;林秉贤
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旺宏电子股份有限公司
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2018-08-09
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2023-04-14
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G11C16/10
- 一种存储器装置的编程方法，该存储器装置包括一存储器阵列与一控制器，该存储器阵列包括多个存储器单元，该编程方法包括：由该控制器控制对该存储器阵列的一第一字线的一第一页面进行编程；由该控制器控制对该存储器阵列的一第二字线的一第一页面进行编程，该第二字线相邻于该第一字线；由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的一第二页面进行一第一编程；由该控制器控制对该存储器阵列的一第三字线的一第一页面进行编程，该第三字线相邻于该第二字线；由该控制器控制对该存储器阵列的该第二字线的一第二页面进行该第一编程；以及由该控制器控制对该存储器阵列的该第一字线的该第二页面进行一第二编程。
- 存储器装置及其编程方法
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