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[发明专利]功率管理机制和具有所述功率管理机制的存储器件-CN202180001131.X有效
发明人：宋大植 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：一种用于具有存储管芯的存储器件的方法包括：在存储管芯中执行阵列操作的高功率部分，在存储管芯中结束高功率部分，在结束高功率部分之后生成寄存器信号，以及响应于获得寄存器信号，在存储管芯中开始一个或多个输入/输出(I/O)操作。
功率管理机制有所存储器件

[发明专利]一种铁电存储器的控制方法以及相关装置-CN202210333051.0在审
发明人：刘晓真;卜思童;方亦陈;谭万良;吕杭炳;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种铁电存储器的控制方法以及相关装置，用于使得铁电存储器在写入与读取操作过程中稳定的进入铁电器件的部分翻转，从而提升铁电器件的耐久性能，同时可以有效地平衡铁电材料的正负应力平衡，从而减轻印迹效应。其具体操作如下：该铁电存储器的控制装置在写入操作的第一时间段内，将预充线的电压设置为第一电压并将浮栅的电压预充至第二电压，其中，该第一电压大于该第二电压，该第一电压减去该第二电压的差值用于导通该预充线上的晶体管；在该写入操作的第二时间段内，将该预充线的电压设置为0，并设置选中字线的电压为第三电压，该第三电压与该第二电压用于写入待写入数据。
一种存储器控制方法以及相关装置

[发明专利]一种铁电存储阵列、铁电存储器以及其操作方法-CN202210355106.8在审
发明人：贾秀峰;李昊;张敏;张恒;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请提供了一种铁电存储阵列、铁电存储器以及其操作方法，用于减少SL数量，从而节省了版图面积和LBL上的寄生电容。该铁电存储阵列包括1T1C结构和gain cell；gain cell包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，1T1C结构包括第四晶体管和第一电容；第四晶体管的栅极与字线相连，其源漏极的第一端与第一电容的第一端相连，另一端通过区域位线与第三晶体管的栅极以及第一晶体管的源漏极的第三端相连，第一电容的第二端与板线相连；第一晶体管和第二晶体管的栅级与控制线相连，第一晶体管的源漏极的第四端和第二晶体管的源漏极的第五端通过全局位线相连，第二晶体管的源漏极的第六端与第三晶体管的源漏极的第七端相连，第三晶体管的源漏极的第八端与源线相连。
一种存储阵列存储器及其操作方法

[发明专利]一种存储器及补偿方法-CN202311170360.1在审
发明人：方原;陈敦仁;吕震宇;程晓恬 -专利权人：温州核芯智存科技有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器及补偿方法，涉及半导体技术领域。本发明包括补偿单元，包括控制模块，以及与所述控制模块连接的补偿模块，所述控制模块包括带有转换开关的灵敏放大器，所述补偿模块接入线性稳压器电源提供的补偿电压。本发明的有益效果：本方案在每个控制模块里面增加一个或者两个NMOS管器件的基础上可以同时解决电荷泵抬升漏电的问题以及存储器位线选择器TDDB使用寿命的问题，从而得以解决铁电存储器小尺寸的CMOS工艺兼容的问题，在不用增加特殊工艺的情况下存储器的性能还得以保证。
一种存储器补偿方法

[发明专利]基于NOR Flash的距离计算装置及方法-CN202011644923.2有效
发明人：金西;吴奇哲;陶临风 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：一种基于NOR Flash的距离计算装置及方法，装置包括：基于NOR Flash的浮栅场效应晶体管，其上设有源极、漏极，控制栅极及浮置栅极。浮置栅极用于捕获电子并存储，通过改变浮置栅极中存储电子的数量以改变浮栅场效应晶体管的阈值电压；源极、漏极，控制栅极用于被施加不同的栅源电压及漏源电压以使浮栅场效应晶体管输出特性位于线性区或饱和区，通过测量线性区或饱和区对应的浮栅场效应晶体管的输出特性，以计算距离。浮栅场效应晶体管的控制栅极和浮置栅极配置有对应的偏置电压计算单元，偏置电压计算单元用于对栅源电压和/或阈值电压取偏置电压。该装置及方法可实现任意操作数的距离计算，且计算结构简单，功耗低及并行度高。
基于 nor flash 距离计算装置方法

[发明专利]控制电路以及半导体存储器-CN202210306176.4在审
发明人：范玉鹏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种控制电路以及半导体存储器，该控制电路包括偏置模块，偏置模块用于向功能模块提供偏置电流；偏置模块包括第一偏置模块和第二偏置模块，第一偏置模块用于提供第一偏置电流，第二偏置模块用于提供第二偏置电流；其中，第一偏置电流小于第二偏置电流，第一偏置模块用于在上电后处于常开状态，第二偏置模块用于接收偏置使能信号并基于偏置使能信号提供第二偏置电流。这样，该控制电路不仅可以保证偏置模块的稳定时间，而且还可以达到节省功耗的目的。
控制电路以及半导体存储器

[发明专利]控制电路以及半导体存储器-CN202210307197.8在审
发明人：范玉鹏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种控制电路以及半导体存储器，该控制电路包括偏置切换电路和第一逻辑门电路；其中，第一逻辑门电路，由至少一个目标晶体管构成，目标晶体管的衬底与偏置切换电路的输出端连接，第一逻辑门电路具有第一速度模式和第二速度模式，第一速度模式的传输速度低于第二速度模式的传输速度；偏置切换电路，用于接收目标信号，若目标信号处于使能状态，则输出目标偏置电压，以增大目标晶体管的阈值电压，目标信号的使能状态表征第一逻辑门电路处于第一速度模式。这样，在保证半导体性能满足需求的情况下，该控制电路可以降低源极与漏极之间的漏电流，达到节省功耗的目的。
控制电路以及半导体存储器

[发明专利]电子设备及其驱动方法-CN202210266447.8在审
发明人：池性洙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本公开涉及存储技术领域，提供一种电子设备及其驱动方法，该电子设备包括：灵敏放大器、电压调节电路。灵敏放大器包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管、控制电路，控制电路连接第三节点、第四节点、预设电压端、第一控制信号端，用于响应于第一控制信号端的信号以连接预设电压端和第三节点、第四节点；电压调节电路连接预设电压端、调节信号端，用于根据调节信号端的调节信号向预设电压端输入预设电压信号。该电子设备可以通过电压调节电路向灵敏放大器写入合适大小的预设电压信号，以使灵敏放大器在偏移消除阶段位线和互补位线具有适当的电压差。
电子设备及其驱动方法

[发明专利]双参考电压产生器、均衡电路及存储器-CN202011017186.3有效
发明人：张志强 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请提供一种双参考电压产生器、均衡电路及存储器，该双参考电压产生器接收原始编码、第一编码以及第二编码，并根据接收到的原始编码和第一编码，产生第一参考电压，根据接收到的原始编码和第二编码，产生第二参考电压；其中，第一参考电压不同于第二参考电压。即本申请所提供的双参考电压产生器可以根据原始编码、第一编码以及第二编码输出两种不同的参考电压，能够更好的满足均衡处理过程对不同参考电压的需求，提升均衡电路的均衡处理效果；另外，通过对上述原始编码、第一编码以及第二编码的值进行预配置，可以使上述均衡电路的接收数据对应眼图中的电压裕度与时序裕度均处于最大值，还能够提高接收数据信号的质量。
参考电压产生器均衡电路存储器

[发明专利]一种用于存储芯片的快速读取电路、存储芯片及电子设备-CN202310804372.9有效
发明人：韩志永;王晨辉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司;上海芯存天下电子科技有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了一种用于存储芯片的快速读取电路、存储芯片及电子设备，该电路包括：运算放大器；第一MOS管，其源极与供电电压连接，其漏极与运算放大器的输出端连接，其栅极与使能信号连接；第二MOS管，其源极与供电电压连接，其漏极与运算放大器的反相输入端连接，其栅极与运算放大器的输出端连接；偏置电流源，运算放大器的负电源端通过偏置电流源与公共接地端连接；开关模块，与运算放大器的输出端和使能信号连接；临时接地模块，其与使能信号、公共接地端和第二MOS管的栅极连接，用于在使能信号打开时，将第二MOS管的栅极与公共接地端短暂连接；该电路能够有效地提高存储芯片的数据读取速度。
一种用于存储芯片快速读取电路电子设备

[发明专利]一种时钟校正电路和存储器-CN202311006147.7在审
发明人：秦彬瑜;赵高伟 -专利权人：浙江力积存储科技有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本公开的实施例提供一种时钟校正电路和存储器，包括：延迟锁相环电路和占空比校正电路；其中，延迟锁相环电路，接收外部时钟信号和反馈时钟信号，并根据外部时钟信号和反馈时钟信号的相位差，调节延迟锁相环电路中的第一可调延迟电路，以使反馈时钟信号与所述外部时钟信号在每个时钟周期的初始相位相同，以及输出内部时钟信号至占空比校正电路；占空比校正电路，根据接收的延迟锁相环电路输出的内部时钟信号，确定内部时钟信号对应的占空比，并根据占空比调整占空比校正电路中的第二可调延迟电路，以使内部时钟信号的占空比为预设占空比；其中，相位差和占空比均为数字信号，以实现对相位和占空比的快速调节。
一种时钟校正电路存储器

[发明专利]用于半导体芯片的快速启动和省电的电子设备-CN202310115411.4在审
发明人：黄昱华;方柏超;马威宇;黄仲鑫 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本公开涉及用于半导体芯片的快速启动和省电的电子设备。一种电子设备，该电子设备包括半导体芯片和第一存储器设备。半导体芯片包括输入/输出(I/O)接口电路。第一存储器设备处于半导体芯片外部。该半导体芯片经由I/O接口电路与第一存储器设备通信。该半导体芯片在半导体芯片的断电事件之前，将该半导体芯片的至少一个硬件设定存储到第一存储器设备中。
用于半导体芯片快速启动电子设备

[发明专利]存储器的检测方法及存储器-CN202210186674.X在审
发明人：苏阿妹 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器的检测方法及存储器，涉及半导体技术领域，用于解决存储单元和位线之间的漏电检测复杂的技术问题，该存储器的检测方法包括：选通字线，通过位线向所有的存储单元中写入预设存储数据；关闭字线，并向位线上施加第一电压，以使位线上的电位与存储单元的电位不同；保持预设时间后，选通字线，通过位线读取所有的存储单元中的实际存储数据；将每个存储单元的实际存储数据与预设存储数据进行比较，以判断该存储单元是否存在漏电。通过在所有的存储单元中进行预设存储数据的写入和实际存储数据的读出，且位线上的电位单独施加，无需依次选通字线，存储单元与位线之间的漏电检测简单。
存储器检测方法

[发明专利]包括电压区域的存储器器件及其操作方法-CN201810794935.X有效
发明人：金荣华;吴台荣;张晋熏;赵硕进 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：提供了具有多个电压区域的存储器器件及其操作方法。该存储器器件包括存储器单元阵列；包括数据处理块的数据通路区域，所述数据处理块在读取/写入操作期间从/向存储器单元阵列传输读取/写入数据；和包括控制块的控制信号通路区域，所述控制块在读取/写入操作期间控制数据处理块。数据通路区域根据存储器器件的操作模式选择性地接收第一高电源电压或第一低电源电压。控制信号通路区域接收第一高电源电压而不管操作模式。
包括电压区域存储器器件及其操作方法

[发明专利]操作存储器的方法、设备及系统-CN202111050453.1有效
发明人： P·V·莱亚;T·P·芬克拜纳 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明涉及操作存储器的方法、设备及系统。所述设备可包含耦合到感测线的存储器单元阵列。所述设备可包含控制器，所述控制器经配置以控制耦合到所述感测线的感测电路，以在不经由输入/输出I/O线传送数据的情况下执行若干运算。所述感测电路可经控制以计算存储在所述存储器单元阵列中的数据的错误码且比较所述错误码与所述数据的初始错误码以确定所述数据是否已被修改。
操作存储器方法设备系统

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