“邹宗成”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果55个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]记忆体装置及其写入电路-CN202320465585.9有效
发明人：池育德;邹宗成;吴俊谕;洪哲民 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种记忆体装置包括：包含主记忆体单元的主阵列；包含冗余记忆体单元的冗余阵列；及写入电路。写入电路包含一或多个写入驱动器，其包含电流镜电路及比较器。电流镜电路耦合在主阵列、冗余阵列与电源之间。比较器的输出与电流镜电路的第一端耦合。比较器的输入与电流镜电路的第二端耦合。
记忆体装置及其写入电路

[发明专利]存储器器件和降低存储器器件的操作电压的方法-CN202211027713.8在审
发明人：林钲峻;邹宗成;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了一种存储器器件包括RRAM存储器单元，其被配置为形成0晶体管1电阻器(0T1R)阵列结构，其中RRAM存储器单元的存取晶体管被旁路或去除。替代地，RRAM存储器单元的存取晶体管可以以并联结构布置以减少相关联的IR压降，从而实现降低的写入电压操作。根据本申请的其他实施例，还提供了一种降低存储器器件的操作电压的方法。
存储器器件降低操作电压方法

[发明专利]存储器器件及其操作方法-CN202210927469.4在审
发明人：林钲峻;苏晋毅;邹宗成;李嘉富 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种存储器器件及其操作方法，存储器器件包括静态随机存取存储器，静态随机存取存储器包括两个交叉耦合的反相器和具有连接到字线的栅极的存取晶体管。存储器器件进一步包括电耦合到静态随机存取存储器的一个或多个逻辑门，以及电耦合到静态随机存取存储器并被配置为储存数据并使用静态随机存取存储器被读取的非易失性存储器。其中非易失性存储器在一侧连接到存取晶体管并且在另一侧连接到两个交叉耦合的反相器。
存储器器件及其操作方法

[发明专利]存储器器件及其操作方法-CN202010076602.0有效
发明人： 邹宗成;王典彥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：存储器器件包括存储器阵列，该存储器阵列包括以行和列布置的多个存储器单元。闭环偏置发生器配置为向存储器阵列输出列选择信号。限流器接收闭环偏置发生器的输出。限流器耦合至存储器阵列的多个列。本发明的实施例还涉及操作存储器器件的方法。
存储器器件及其操作方法

[发明专利]记忆体装置、记忆体系统以及记忆体装置的操作方法-CN202210133194.7在审
发明人：林钲峻;苏晋毅;曾珮玲;邹宗成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：在本揭示文件的一些态样中，揭示一种记忆体装置、一种记忆体系统以及一种记忆体装置的操作方法。在一些态样中，记忆体装置包含第一电压调节器，用于接收提供至记忆体阵列的字元线电压；耦接至第一电压调节器以提供抑制电压至记忆体阵列的电阻器网络，其中电阻器网络包含多个电阻器，且其中电阻器中的各者串联并耦接至多个电阻器中的相邻者；及包含多个开关的开关网络，其中开关中的各者耦接至多个电阻器中的相应者且透过第二电压调节器耦接至记忆体阵列。
记忆体装置系统以及操作方法

[发明专利]RRAM电路及在RRAM器件中形成细丝的方法-CN201910477959.7有效
发明人： 邹宗成;曾佩玲;林钲峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：电路包括偏置电压生成器和限流器。偏置电压生成器，配置为接收第一参考电压，并且响应于第一电流和所述第一参考电压输出偏置电压。限流器配置为接收输入端的第二电流、第二参考电压和所述偏置电压，并且响应于所述第二参考电压和所述输入端的电压电平，将所述第二电流限制为电流限制等级，所述输入端的电压电平基于所述偏置电压。本发明的实施例提供了RRAM电路及在RRAM器件中形成细丝的方法。
rram 电路器件形成细丝方法

[发明专利]存储器电路及其操作方法-CN202110504049.0在审
发明人：苏晋毅;邹宗成;池育德;林钲峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C8/12 文献下载
摘要：提供了一种存储器电路，包括第一驱动器电路、耦合至第一驱动器电路的第一存储器单元列、第一电流源、被配置为跟踪第一存储器单元列的泄漏电流的跟踪电路，以及耦合至第一存储器单元列、第一电流源和跟踪电路的脚部电路。本发明的实施例还提供了一种操作存储器电路的方法。
存储器电路及其操作方法

[发明专利]存储器电路和对RRAM器件执行写入操作的方法-CN201910477228.2有效
发明人： 邹宗成;陈旭顺;赖建安;曾佩玲;林钲峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：存储器电路包括偏置电压生成器、驱动电路和电阻式随机存取存储器(RRAM)器件。偏置电压生成器包括第一电流路径，配置为从电流源接收第一电流并且基于由在所述第一电流路径中传导的所述第一电流所生成的电压差输出偏置电压。驱动电路配置为接收所述偏置电压并且输出具有基于所述偏置电压的电压电平的驱动电压；以及RRAM器件，配置为响应于所述驱动电压传导第二电流。本发明的实施例还提供了对RRAM器件执行写入操作的方法。
存储器电路 rram 器件执行写入操作方法

[发明专利]存储器件、电阻式存储单元阵列的电压补偿控制器和方法-CN201910637077.2有效
发明人：赖建安;邹宗成;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：存储器件包括电阻式存储单元阵列，其中，多条字线连接至电阻式存储单元阵列。电压补偿控制器被配置为确定要施加到多条字线的所选字线的字线电压。字线驱动器被配置为将确定的字线电压施加到所选字线。本申请的实施例还涉及电阻式存储单元阵列的电压补偿控制器和方法。
存储器件电阻单元阵列电压补偿控制器方法

[发明专利]用于RRAM单元的混合式自跟踪参考电路-CN202110123835.6在审
发明人：林钲峻;曾佩玲;邹宗成;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：提供一种自动跟踪参考电路，其补偿IR降且在写入操作之后在不同温度下实现目标电阻状态。所公开的自跟踪参考电路包含跟踪PVT变化以针对RRAM验证操作提供PVT跟踪电平的副本存取路径、可配置电阻器网络、副本选择器迷你阵列以及阶跃电流产生器。
用于 rram 单元混合式跟踪参考电路

[发明专利]一种用于检测白术叶斑病致病菌的引物及其方法和应用-CN201810271863.0有效
发明人：游景茂;郭杰;郭晓亮;林先明;段媛媛;邹宗成 -专利权人：湖北省农业科学院中药材研究所
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明属于生物技术领域。提出一种用于检测白术叶斑病致病菌的引物及其方法和应用，所述的引物如SEQ ID NO：1和SEQ ID NO：2所示，通过基因组DNA提取，通用引物进行第一轮扩增，特异性引物进行第二轮扩增，从而检测白术叶斑病致病菌。本发明具有检测灵敏度极高，即使在Phoma herbarum处于潜伏侵染，不表现症状的时候也能检测出病原菌的存在，最低检测浓度为1fg/μL；同时具有特异性强，不会被其他病原菌干扰，准确率高的特点。
一种用于检测白术叶斑病致病菌引物及其方法应用

[发明专利]存储器件及其感测放大器和读取方法-CN201910199143.2有效
发明人：林钲峻;邹宗成;曾佩玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了存储器件及其感测放大器和读取方法。存储器件包括存储单元和感测放大器。感测放大器具有被配置为输出参考电压的参考电路和连接至存储单元的感测电路。比较器包括第一输入端和第二输入端，其中，第一输入端连接至参考电路以接收参考电压，并且第二输入端连接至存储单元。预充电器被配置为选择性地将感测电路预充电至预定的预充电电压。
存储器件及其放大器读取方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器件及其操作方法-CN201811447834.1有效
发明人：池育德;邹宗成;朱文定 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种存储器架构及其操作方法。存储器架构包括：多个单元阵列，每个单元阵列均包括多个位单元，其中，多个单元阵列中的每个位单元均使用相应的可变电阻介电层以在第一和第二逻辑状态之间转换；以及控制逻辑电路，连接至多个单元阵列，并且被配置为使第一信息位作为第一信息位的原始逻辑状态和第一信息位的逻辑互补逻辑状态写入一对单元阵列的相应位单元中，其中，相应的可变电阻介电层通过使用相同的沉积设备方案形成并且具有不同的直径。
电阻随机存取存储器及其操作方法

[发明专利]存储器器件及提供写入电压的方法-CN202011265898.7在审
发明人：赖建安;邹宗成;池育德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种存储器器件及提供写入电压的方法，存储器器件包括多个单元，布置成包括多个行和多个列的矩阵。存储器器件还包括多个位线，其中，多个位线中的每个连接到布置在多个列的列中的多个单元中的第一多个单元。电压控制电路，与多个位线中的所选择的位线可连接，并且包括检测瞬时电源电压的电压检测电路和连接至电压检测电路的电压源选择电路。电压源选择电路基于检测到的瞬时电源电压从多个电压源中选择电压源。电压源选择电路包括将所选择的电压源连接到所选择的位线以提供写入电压的开关。
存储器器件提供写入电压方法

[发明专利]存储器系统、电荷泵系统及其操作方法-CN202010498676.3在审
发明人： 邹宗成;王典彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种具有电荷泵系统的系统，包括：电荷泵系统，具有多个使能信号输入端子和输出端子，所述电荷泵系统配置为在所述输出端子处提供输出电压；检测电路，连接到所述电荷泵系统的所述使能端子和所述输出端子，所述检测电路配置为将所述电荷泵系统的输出电压与多个预定输入检测电压电平进行比较，并且响应于所述比较向所述电荷泵系统的使能信号输入端子输出多个使能信号。本申请的实施例还涉及存储器系统、电荷泵系统及其操作方法。
存储器系统电荷及其操作方法

1
2
3
4
下一页»
尾页
共 55 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top