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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器管理设备、系统和方法-CN202010591159.0在审
发明人： N·乔拉;T·罗伊;A·格罗弗 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及存储器管理设备、系统和方法。一种存储器管理电路存储指示存储器阵列的区域的可靠性类型的信息。存储器管理电路装置通过确定与用于分配存储器的请求相关联的请求类型对用于将存储器阵列中的存储器分配给进程的请求做出响应。存储器阵列的存储器基于与用于分配存储器的请求相关联的请求类型和指示存储器阵列的区域的可靠性类型的所存储的信息而被分配给进程。存储器阵列可以是共享存储器阵列。存储器阵列可以被组织为行和列，并且存储器阵列的区域可以是存储器阵列的行。
存储器管理设备系统方法

[发明专利]计算系统功率管理设备、系统和方法-CN202011456888.1在审
发明人： N·乔拉;A·格罗弗;G·德索利;K·J·多里;T·勃伊施;P·库玛 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G06F1/26 文献下载
摘要：提供了系统和设备使得能够对存储器内的多个存储器电路(例如多个存储器单元阵列)中的每个存储器电路的保持或激活状态进行粒度控制。多个存储器阵列中的每个相应的存储器阵列被耦合到相应的镇流器驱动器和相应的存储器阵列的相应的激活存储器信号开关。一个或多个电压调节器被耦合到镇流器驱动器栅极节点和相应存储器阵列中的至少一个存储器阵列的偏置节点。在操作中，相应的存储器阵列的相应的激活存储器信号开关使得相应的存储器阵列在相应的存储器阵列的激活状态与相应的存储器阵列的保持状态之间转换。
计算系统功率管理设备方法

[发明专利]用于同步DDR兼容存储器的协调的模块内RAS特征-CN201710125176.3有效
发明人：张牧天;牛迪民;郑宏忠;林璇渶;金寅东;崔璋石 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：一种存储器模块包括存储器阵列、接口和控制器。存储器阵列包括存储器单元的阵列，并且被配置为双列直插存储器模块(DIMM)。DIMM包括多个连接，这些连接已经从标准DIMM引脚分配配置改用以将存储器设备的操作状态连接到主机设备。接口耦合到存储器阵列和DIMM的多个连接以将存储器阵列通过接口连接到主机设备。控制器耦合到存储器阵列和接口，并且控制存储器阵列的至少一个刷新操作、控制存储器阵列的纠错操作、控制存储器阵列的存储器擦除操作并且控制阵列的损耗均衡控制操作，并且控制器与主机设备连接。
用于同步 ddr 兼容存储器协调模块 ras 特征

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201611198376.3在审
发明人：洪俊雄;张坤龙;陈耕晖;罗思觉;谢明志 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括一第一存储器阵列及一第二存储器阵列。第一存储器阵列及第二存储器阵列为不同类型的存储器，且形成于一晶圆的单一存储器晶粒上。该操作方法包括编程、擦除或读取该第一存储器阵列，其中该第一存储器阵列的编程单位小于该第一存储器阵列的擦除单位；以及写入、擦除或读取该第二存储器阵列，其中该第二存储器阵列的各个存储单元被写入为一编程状态或一擦除状态
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储器阵列中的错误校正方法及实施其的系统-CN201710508727.4有效
发明人：池育德;李嘉富;刘建瑛;史毅骏;陈冠均;杨学之;吕士濂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：一种校正存储器阵列中的错误的方法。该方法包括配置具有第一纠错码(ECC)的第一存储器阵列以提供存储在第一存储器阵列中的数据的错误校正，配置具有第二ECC的第二存储器阵列以提供存储在第一存储器阵列中的数据的错误校正，对第一存储器阵列和第二存储器阵列实施回流工艺，以及至少基于第一ECC或第二ECC校正存储在第一存储器阵列中的数据。第一存储器阵列包括布置为多行和多列的第一组存储器单元。第二存储器阵列包括布置多行和多列的第二组存储器单元。本发明还提供了实施校正存储器阵列中的错误的方法的系统。
存储器阵列中的错误校正方法实施系统

[实用新型]片上系统设备、计算系统以及存储器设备-CN202022969368.2有效
发明人： N·乔拉;A·格罗弗;G·德索利;K·J·多里;T·勃伊施;P·库玛 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体国际有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及片上系统设备、计算系统以及存储器设备。提供了系统和设备使得能够对存储器内的多个存储器电路(例如多个存储器单元阵列)中的每个存储器电路的保持或激活状态进行粒度控制。多个存储器阵列中的每个相应的存储器阵列被耦合到相应的镇流器驱动器和相应的存储器阵列的相应的激活存储器信号开关。一个或多个电压调节器被耦合到镇流器驱动器栅极节点和相应存储器阵列中的至少一个存储器阵列的偏置节点。在操作中，相应的存储器阵列的相应的激活存储器信号开关使得相应的存储器阵列在相应的存储器阵列的激活状态与相应的存储器阵列的保持状态之间转换。
系统设备计算以及存储器

[发明专利]一种存储器电路及其存储器修补方法-CN202010673163.1在审
发明人：邱创隆 -专利权人：珠海南北极科技有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器电路及其存储器修补方法。所述存储器电路，包括一第一存储器阵列以及一第二存储器阵列，所述第一存储器阵列与所述第二存储器阵列是各自独立的，所述第一存储器阵列包括多个一般位元，所述第二存储器阵列包括多个备用位元，所述第一存储器阵列中的不佳位元的位址储存在第二存储器阵列中，所述存储器电路根据所述位址让多个所述备用位元的其中一个取代不佳位元。
一种存储器电路及其修补方法

[发明专利]半导体存储器器件和具有半导体存储器器件的存储器系统-CN201811124242.6在审
发明人：辛薰;金度延;宋镐永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器器件和具有该半导体存储器器件的存储器系统。该半导体存储器器件包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元阵列块；以及刷新控制器，被配置为控制存储器单元阵列块来执行正常刷新操作和锤击刷新操作。刷新控制器控制除第一存储器单元阵列块和与第一存储器单元阵列块相邻的一个或多个第二存储器单元阵列块之外的一个或多个第三存储器单元阵列块来在对存储器单元阵列块当中的第一存储器单元阵列块执行正常刷新操作的同时执行锤击刷新操作
存储器单元阵列块半导体存储器器件刷新操作存储器系统单元阵列块刷新控制器锤击存储器单元阵列第二存储器控制存储器配置

[发明专利]具有共享基准的存储装置和方法-CN200710102640.3有效
发明人： G·勒曼;S·古普塔;D·德维韦迪 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种存储装置具有第一核心存储器阵列、第二核心存储器阵列、第三核心存储器阵列、第四核心存储器阵列、第一核心存储器阵列和第二核心存储器阵列的第一共用基准部分、以及第三核心存储器阵列和第四核心存储器阵列的第二共用基准部分还提供具有共享信号的另一存储装置和方法。
具有共享基准存储装置方法

[发明专利]一种可变编程次数的多次可编程存储器-CN201911337288.0有效
发明人：王少龙;李弦;张露涛;王志刚 -专利权人：珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种可变编程次数的多次可编程存储器，所述可变编程次数的多次可编程存储器利用状态寄存器电路记录多个存储器阵列的状态信息，以使用户可以通过所述多个存储器阵列的状态信息，了解多个存储器阵列的编程次数信息以及冗余存储器阵列的使用信息，从而可以根据实际情况对冗余存储器阵列进行编程操作或修复操作或读操作的目的，使得冗余存储器阵列在主存储器阵列编程成功后仍然可以进行编程操作，进而使得该多次可编程存储器的编程次数可控，避免了在主存储器阵列编程成功后，无法在冗余存储器阵列中进行数据存储的情况，避免了冗余存储器阵列的浪费。
一种可变编程次数多次可编程存储器

[发明专利]存储器电路及其操作方法-CN201010570478.X有效
发明人：杨天骏;池育德;刘上玄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器电路。该存储器电路包括一第一组存储器阵列及一第二存储器阵列，该第一组存储器阵列包括一第一存储器阵列，耦接至一第一输入/输出(IO)接口，而该第二存储器阵列耦接至一第二IO接口。一第二组存储器阵列包括一第三存储器阵列及一第四存储器阵列。该第三存储器阵列耦接至一第三输入/输出(IO)接口而该第四存储器阵列耦接至一第四IO接口。多个冗余位元线包括至少一第一冗余位元线，用以选择性修复该第一组存储器阵列，其中至少一第二冗余位元线用以选择性修复该第二组存储器阵列。本发明采用冗余技术以修复失效的存储器位元晶格，可达到理想的修复效率。
存储器电路及其操作方法

[发明专利]包括闪存阵列和RAM阵列的组成的存储器阵列且其具有数据写入RAM阵列和从闪存阵列读取数据-CN201380013116.2有效
发明人： K·K·沃尔什;D·R·比奇洛;J·D·瑞兰德;P·R·索海姆;R·D·马斯托;C·R·戈登 -专利权人：美敦力公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：用于存储数据的存储器阵列、系统、和方法。该存储器阵列具有闪存阵列、被耦合至所述闪存且被配置用以接收数据的随机存取存储器阵列、存储器管理模块、和数据总线。该存储器管理模块被耦合至该随机存取存储器阵列且被耦合至该闪存阵列，该存储器管理模块被配置为将存储在该随机存取存储器阵列中的至少部分数据传送至所述闪存阵列。该数据总线被耦合至所述闪存阵列，且被配置为从该闪存阵列输出初始存储在该随机存取存储器阵列中的至少部分数据。
包括闪存阵列 ram 组成存储器具有数据写入读取

[发明专利]存储器阵列装置及其操作方法-CN201110133035.9有效
发明人：李明修;陈介方 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： G11C8/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器阵列装置，该存储器阵列装置包含一存储器阵列、一第一电路、以及一第二电路。该第一电路电连接于该存储器阵列，用以使该存储器阵列操作于一第一模式。该第二电路电连接于该存储器阵列，用以使该存储器阵列操作于一第二模式。
存储器阵列装置及其操作方法

[发明专利]针对非易失性存储器的自动递增写入计数-CN202010997363.2在审
发明人： S·卡瓦米 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：存储器设备具有多个非易失性(NV)存储器阵列，这些NV存储器阵列用于共同地存储数据块，其中每个阵列用于存储数据块的一部分。选定的NV存储器阵列存储针对该数据块的写入计数。响应写入命令，存储数据的NV存储器阵列执行内部预写入读取。存储写入计数的选定的NV存储器阵列将执行写入计数的预写入读取，递增选定的NV存储器阵列内部的写入计数，并且将递增的写入计数写回到选定的NV存储器阵列。
针对非易失性存储器自动递增写入计数

[发明专利]测试三维存储器单元阵列的方法和存储器电路-CN202110603735.3在审
发明人：吴昭谊;吕士濂;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：一种测试三维(3D)存储器单元阵列的方法，包括将数据写入3D存储器单元阵列中的存储器单元的每个层，同时执行3D存储器单元阵列的至少第一支列中的每个存储器单元的读取操作，确定3D存储器单元阵列中的一个存储器单元是否响应于读取操作而发生故障，并响应于确定该3D存储器单元阵列中的存储器单元发生故障而将3D存储器单元阵列中的至少一个故障存储器单元替换为备用存储器单元。第一支列包括在3D存储器单元阵列的每个对应层上的存储器单元。本发明的实施例还涉及一种存储器电路。
测试三维存储器单元阵列方法电路

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