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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有多个保持器的存储器电路-CN201010549888.6有效
发明人：蓝丽娇;陶昌雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种存储器电路，包含以列的形式排列的第一存储器阵列组。此存储器电路包含第一保持器组，其中每个保持器与第一存储器阵列组中相对应的一存储器阵列电耦合。第一限流器与第一保持器组电耦合，并由第一保持器组共享。本发明可缩减存储器电路的面积。
具有保持存储器电路

[发明专利]非易失性存储器架构-CN201110327168.X有效
发明人： C.德雷;K.霍夫曼;A.奈伊 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及非易失性存储器架构。存储器设备的代表性实施方式在存储器设备的存储器单元之间具有晶体管。存储器设备可以布置成存储器阵列。使用晶体管可以包括在存储器阵列中的成对或者成组存储器单元之间交替地提供电隔离或者电流路径。
非易失性存储器架构

[发明专利]一种动态随机存储器的阵列结构及其制备方法-CN201010105582.1无效
发明人：吴东平;张世理;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种动态随机存储器的阵列结构及其制备方法。该动态随机存储器的阵列结构利用竖直MOS场效应晶体管作为动态随机存储器的阵列器件，并用金属硅化物埋层作为连接连续多个竖直MOS场效应晶体管阵列器件的埋层位线。所述的竖直MOS场效应晶体管阵列器件含有埋层金属双栅结构，并且所述的埋层金属双栅结构同时作为该动态随机存储器的阵列结构的埋层字线。本发明所公开的动态随机存储器的阵列结构可以提高动态随机存储器的集成密度、降低埋层位线的电阻率，还可以增强阵列器件的存储性能。同时，本发明还提出了一种动态随机存储器的阵列结构的制备方法。
一种动态随机存储器阵列结构及其制备方法

[发明专利]用于执行多重存储器操作的设备及方法-CN201910855051.5在审
发明人：达尼埃莱·巴卢智;科拉多·维拉 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及用于执行多重存储器操作的设备及方法。所揭示技术涉及一种经配置以响应于通过存储器控制器接收的单个命令而执行多重存取操作的存储器装置及一种执行所述多重存取操作的方法。在一个方面中，所述存储器装置包含包括多个存储器单元的存储器阵列，以及存储器控制器。所述存储器控制器经配置以接收指定将对所述存储器阵列执行的多个存储器存取操作的单个命令。所述存储器控制器进一步经配置以致使对所述存储器阵列执行所述经指定多个存储器存取操作。
存储器控制器存储器阵列存储器存取操作存储器装置单个命令多重存取配置存储器操作存储器单元响应申请

[发明专利]尖峰神经单元-CN202080060400.5在审
发明人： R·C·墨菲;G·E·胡申;H·孙 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本公开提供与存储器中的尖峰神经单元相关的装置及方法。一种装置包含：存储器阵列；及互补金属氧化物半导体(CMOS)，其耦合到所述存储器阵列且定位在所述存储器阵列下，其中所述CMOS包含尖峰神经单元，所述尖峰神经单元包括经配置以进行以下操作的逻辑：接收输入以增加存储在所述存储器阵列的存储器单元中的权重；从所述存储器阵列的所述存储器单元收集所述权重；使具有基于所述输入的增加量的所述权重累加；将所述经累加权重与阈值权重进行比较；及响应于所述经累加权重大于所述阈值权重而提供输出。
尖峰神经单元

[发明专利]存储器设备和操作存储器设备的方法-CN202010710068.4在审
发明人：崔元载;朴宽 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开涉及存储器设备和操作存储器设备的方法。一种存储器设备，包括：多个存储器单元阵列，每个存储器单元阵列被配置为包括多个存储器单元；多个外围电路，每个外围电路被配置为对多个存储器单元阵列执行操作；多个控制逻辑，被配置为控制多个外围电路；以及控制逻辑选择器，被配置为根据从存储器控制器接收的命令的类型来激活多个控制逻辑中的至少一个控制逻辑。
存储器设备操作方法

[发明专利]运用于多次编程非易失性存储器的差动存储器胞阵列结构-CN202210355290.6在审
发明人：郭瑞旻;廖弘毅;陈纬仁;孙文堂 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：本发明为一种运用于多次编程非易失性存储器的差动存储器胞阵列结构。该阵列结构连接至源极线、字线、位线、反相位线、擦除线。根据本发明的实施例，在擦除操作(ERS)时，多次编程非易失性存储器不会将阵列结构中选定行上所有差动存储器胞的数据擦除。多次编程非易失性存储器仅将阵列结构中选定行上单一个选定存储器胞的数据擦除。
运用于多次编程非易失性存储器差动存储器阵列结构

[发明专利]与存储器装置相关联的写入广播操作-CN201980084577.6在审
发明人： D·A·尤达诺夫;S·K·贾因 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明描述有关与存储器装置相关联的写入广播操作的方法、系统及装置。在一个实例中，根据所描述技术的存储器装置可包含存储器阵列、感测放大器阵列及信号开发高速缓冲存储器，所述信号开发高速缓冲存储器经配置以存储与可存储于所述存储器阵列处(例如，根据各种读取或写入操作)的逻辑状态(例如，存储器状态)相关联的信号(例如，高速缓冲存储器信号、信号状态)。所述存储器装置可实现写入广播操作。写入广播可从一或多个信号开发组件或者从一或多个多路复用器到所述存储器阵列的多个位置发生。
存储器装置相关写入广播操作

[发明专利]具有多位存储器件的数据存储系统及其操作方法-CN201110056113.X有效
发明人：尹翔镛;朴起台;韩真晚;李元奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种数据存储设备包括：包括存储单元阵列的非易失性存储器件；和包括缓冲存储器并控制该非易失性存储器件的存储器控制器。该数据存储设备的操作方法包括：根据外部请求将数据存储在缓冲存储器中，并确定存储在该缓冲存储器中的数据是否是伴随该存储单元阵列的缓冲器编程操作的数据。当存储在该缓冲存储器中的数据是伴随该缓冲器编程操作的数据时，该方法还包括确定是否需要对该存储单元阵列的主编程操作，以及当需要对存储单元阵列的主编程操作时，确定对该存储单元阵列的主编程操作的编程模式。该方法还包括基于确定的编程模式向该多位存储器件发出用于对该存储单元阵列的主编程操作的命令的集合。
具有存储器件数据存储系统及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN202010593798.0在审
发明人：刘逸青;罗棋 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：存储器装置，包括：存储器阵列，包括多个存储器单元与多条位线；以及电流转换电路，耦接至该存储器阵列。其中，于执行运算操作时，存储器阵列的这些存储器单元产生相关于运算操作结果的源极电流。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]编程存储器装置以增加数据可靠性-CN200980137043.1有效
发明人：弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明揭示用于编程存储器阵列的方法、存储器装置及存储器系统。在一种所述方法中，确定待编程的数据的目标可靠性。确定所述存储器阵列的不同存储器单元群组的相对可靠性。将所述数据编程到所述阵列的具有对应于所述目标可靠性的相对可靠性的存储器单元群组中。
编程存储器装置增加数据可靠性

[发明专利]存储器装置-CN200810087341.1有效
发明人：郭玉兰;李俊毅;张坤龙;洪俊雄 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G11C16/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置，包括一存储器阵列，一状态缓存器以及一安全缓存器。存储器阵列具有多个存储器区域，各存储器区域是独立进行存取控制的。状态缓存器耦接至存储器阵列，状态缓存器包括至少一保护位用以指示对应保护位的此些存储器区域至少其中之一的一写入保护状态。安全缓存器耦接至存储器阵列与状态缓存器，安全缓存器包括至少一缓存器保护位，至少一缓存器保护位是可编程为一存储保护状态，以防止状态缓存器的至少一保护位的状态改变。存储器装置复位之前，缓存器保护位将持续维持于存储保护状态。
存储器装置

[发明专利]具有边缘垫优化的列选择架构-CN202110863521.X在审
发明人：何源;赤松宏 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本申请涉及具有边缘垫优化的列选择器架构。提出了一种存储器垫架构，其中列解码器安置在存储器阵列内。所述列解码器的位置减小所述列解码器与目标存储器单元之间的距离，并因此减小列选择信号从所述列解码器行进到所述目标存储器单元的距离。单个预解码器安置在所述存储器阵列的组控制器中。所述列解码器可安置在所述存储器阵列的中间或从靠近与所述组控制器相对的所述存储器阵列的远边缘的中间偏移。所述列解码器的位置实现从所述目标存储器单元获得数据的减少的阵列存取时间。
具有边缘优化选择架构

[发明专利]一种非易失性触发器阵列及工作方法-CN201210413808.3有效
发明人：景蔚亮;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性触发器阵列，包括：易失性触发器阵列，其包括多个锁存器单元；非易失性相变存储器阵列，其包括由相变存储器单元组成的阵列；控制端组，其包括多个控制端，实现控制调节非易失性相变存储器阵列保存或恢复易失性触发器阵列的数据；非易失性相变存储器阵列中的每一列相变存储器单元均与易失性触发器阵列中的一个锁存器单元连接；非易失性相变存储器阵列中的每一行相变存储器单元均与控制端组中的一个控制端连接。本发明还公开了一种非易失性触发器阵列的工作方法。本发明可断电保存数据、提高数据恢复速度，并且减小芯片面积。
一种非易失性触发器阵列工作方法

[发明专利]存储器装置和控制存储器装置的方法-CN201910701177.7在审
发明人：藤原英弘;陈炎辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：本申请实施例涉及存储器装置和控制存储器装置的方法。一种存储器装置包含：存储器单元阵列，其具有多个存储器单元，其中所述多个存储器单元中的每一个包含第一端口；第一控制电路，其安置于所述存储器单元阵列的第一侧上且经布置以电连接到所述多个第一端口；以及第二控制电路，其安置于所述存储器单元阵列的第二侧上且经布置以电连接到所述多个第一端口；其中所述存储器单元阵列的所述第二侧与所述第一侧相对。
存储器单元阵列存储器单元存储器装置控制电路电连接控制存储器安置申请

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