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[发明专利]一种钼台阶靶的制造方法-CN201910376673.X有效
发明人：谢军;杨洪;魏胜;蒋柏斌;高莎莎;胡勇;袁光辉;童维超;梁榉曦;张昭瑞;何智兵;张海军;李国;宋成伟 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明的钼台阶靶的基底为平面，基底的四周包围有封闭的边框，在基底的上面、边框的内部有水平的台阶。本发明的钼台阶靶可避免台阶的中间层或间隙对物理实验的影响；钼台阶靶预留的边框，可有效防止加工后台阶靶的变形，且便于拾取等操作。本发明的钼台阶靶的制造方法采用纯度极高的钼薄膜为原材料，通过对钼台阶靶加工进行建模，生成数控加工程序，采用电火花铣削加工技术，实现对钼薄膜中间区域台阶的加工。
一种台阶制造方法

[实用新型]一种柱形零件加工专用工装-CN201921429346.8有效
发明人：肖争光;张磊;谭康康;高获优 -专利权人：河南乾和机电设备有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B23Q3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种柱形零件加工专用工装，包括基底，基底上设置有用于连接机床的连接结构以及至少一个用于放置待加工零件的定位孔，并且各安装孔分别设置有相应的固定结构；所述固定结构包括定位螺栓和定位板，所述定位板上设置有通孔，所述定位螺栓穿过定位板的通孔后连接在基底上，所述定位螺栓、定位板和定位孔配合，用于固定待加工零件。本实用新型所提供的技术方案，可在加工柱形零件时将其固定，能够解决现有技术中在对柱形零件进行加工时固定不方便的问题。
一种零件加工专用工装

[发明专利]带有独立流体管的微机械加工流通池-CN201280068989.9有效
发明人：约翰·曼尼恩;凯文·济伦;卡斯特恩·卡埃扎克 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2012-02-03 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：一种微机械加工流通池，包括基底(102)，和在其中界定了流体导管(800)且由基底(102)的材料整体成型的独立管(104)。
带有独立流体管微机加工流通

[发明专利]载台及其切割方法、加工设备-CN201710142618.5在审
发明人：陶胜;朱文龙;徐清阳;李昀泽;汪祖良 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： B25H1/00 文献下载
摘要：一种用于切割工艺的载台及其切割方法、加工设备。该载台包括：承载基底和设置于所述承载基底上的驱动单元。所述驱动单元配置为驱动所述承载基底绕第一方向旋转以清除所述承载基底上的异物，所述第一方向为位于所述承载基底板面内并与所述承载基底板面平行的方向。该载台中设置的驱动单元可以驱动承载基底旋转以实现承载基底上的异物自动滑落，可以提高载台清除异物的清除率和自动化能力，提高产品的切割良率。
承载基底载台切割加工设备驱动单元基底板异物驱动单元配置驱动方向旋转基底旋转清除异物清除率滑落良率平行自动化

[发明专利]一种高密度纳米电极阵列及其制备方法-CN201210489470.X有效
发明人：张海霞;张晓升;苏宗明;金柏宏;朱福运 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种高密度纳米电极阵列制备方法，在导电性好的金属或半导体基底上，将纳米金属颗粒均匀紧密单层排布，通过高温退火工艺使纳米金属颗粒与基底紧密结合，再利用等离子体处理工艺刻蚀基底，制备实现高密度高深宽比纳米电极阵列结构本发明可利用常规微加工设备，实现纳米尺度电极阵列结构，无需特殊昂贵的纳米加工设备，降低成本，且工艺兼容性好，可实现大面积晶片级加工。且RIE与DRIE工艺均为产业成熟可靠生产工艺，通过参数调控，可控制基底刻蚀深度，即纳米阵列高度可控，可适用于不同需求下纳米电极阵列的制备。
一种高密度纳米电极阵列及其制备方法

[发明专利]一种基于二硫化钼薄膜的加速度传感器芯片及其加工方法-CN201811244522.0有效
发明人：赵玉龙;同笑珊;张琪;马鑫 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：一种基于二硫化钼薄膜的加速度传感器芯片及其加工方法，芯片包括和硼玻璃键合的硅基底，硅基底包括质量块以及与质量块相连的四个悬臂梁，在悬臂梁靠近质量块的一端沉积有二硫化钼薄膜电阻，金属引线将四个二硫化钼薄膜电阻连接成惠斯通全桥电路并与焊盘连接；加工方法是先在硅基底上进行第一道光刻，射频溅射二硫化钼薄膜，剥离得到二硫化钼薄膜电阻；然后在硅基底上进行第二道光刻，蒸镀金属Cr和Au，剥离得到金属引线和焊盘；再在硅基底上下蒸镀Al，进行正反面套刻，剥离得到Al掩蔽；干法刻蚀，释放质量块和四个悬臂梁；最后将硅基底与硼玻璃进行键合；本发明决了传感器灵敏度与固有频率的制约问题，简化加工工艺，提高传感器的综合性能。
一种基于二硫化钼薄膜加速度传感器芯片及其加工方法

[发明专利]在柔性金属基底上形成电子器件的方法和所得器件-CN200910004025.8无效
发明人： R·S·克尔;T·J·特雷威尔;M·A·哈兰;J·T·默里 -专利权人：卡尔斯特里姆保健公司
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及在柔性金属基底上形成电子器件的方法和所得器件。形成电子器件的方法提供具有保留表面的金属载体，并将金属基底材料的接触表面固定到金属载体的保留表面上。加工该基底以便在其上形成电子器件；并将金属基底材料从金属载体上剥离以产生完成的电子器件。
柔性金属基底形成电子器件方法所得器件

[实用新型]一种离合器内圈加工工装-CN201822195179.7有效
发明人：林明路;王斌 -专利权人：太仓久信精密模具股份有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B23Q3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离合器内圈加工工装，它包括：基底座，垂直固定在基底座上的基座，置于基座内的配合锥块和穿设在配合锥块内的锁紧螺钉，所述的基座及其底部设有的下端面上设有让位槽，锁紧螺钉相对配合锥块上下移动且与基底座上设有的孔配合连接，所述的基座的内表面设有内锥面，基座的外表面套设有工件，该工装提高了去除材料加工的合格率，降低了加工难度，减少了刀具损耗，适应批量生产，成本降低。
基底座锥块锁紧螺钉本实用新型离合器内圈材料加工垂直固定刀具损耗加工工装配合连接上下移动外表面套相对配合内表面内锥面让位槽工装下端去除配合合格率加工生产

[发明专利]一种金银错饰品的制造方法-CN201510205084.7有效
发明人：杨钊;李泽琨;王潇雪 -专利权人：李泽琨;杨钊;王潇雪
申请日： 2015-04-27 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： A44C27/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种金银错饰品的制造方法，包括基底制备、嵌槽加工、它色金属材料填充、表面打磨着色等步骤，采用机械加工、化学腐蚀等方法，在饰品的基底加工出凹槽，并将饰料高温熔化后填充至凹槽，然后打磨为成品，具有结合力好
一种金银饰品制造方法

[发明专利]不可去除的抗污染涂料-CN93103591.0无效
发明人： H·S·基拉姆;K·J·哈曼 -专利权人：罗姆和哈斯公司
申请日： 1993-03-25 - 公布日： 1993-10-06 - 主分类号： C09D133/06 文献下载
摘要：这种密封涂料可以在基底制造或预加工期间施用，或在基底就位之后施用，它可以在正常的房屋维修期间重新施用。这种密封涂料以薄层形式涂敷在基底的顶面上。本研究还涉及将基底持久密封的方法，以便使基底具有抗污染性，而对光泽度无不利影响。
不可去除污染涂料

[发明专利]聚合材料的热喷涂-CN99123914.8无效
发明人： T·H·F·谭;M·L·泰勒;B·H·谭 -专利权人：坎姆科国际公司
申请日： 1999-09-23 - 公布日： 2000-06-14 - 主分类号： B05D1/10 文献下载
摘要：可以通过HVOF法将PEEK复合物施加到金属基底(32)上。该金属基底(32)是用金属粘合层(34)被电弧喷射到其表面上而制备的。然后将粉碎的PEEK复合料(36)加热并通过高速氧化燃料技术将其喷射到基底(32)和粘合层(34)上,从而均匀地涂覆基底(32)。接下来的HVOF加工,PEEK涂层被热处理而生产出牢固的PEEK涂覆的基底。
聚合材料喷涂

[发明专利]一种电化学加工三维金属微结构的系统与方法-CN201610170808.3有效
发明人：张新民;李欣潮;明平美;张晓东;秦歌;陈月涛;赵云龙;张艳华;赵晨昊 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C25D5/08 文献下载
摘要：本发明专利公开一种电化学加工三维金属微结构的系统与方法，属于微细特种加工领域。该系统包括电沉积子系统、电解子系统和导电基底。电沉积子系统包括喷头和电沉积电源。电解子系统包括阴极（横梁阴极、左侧阴极和右侧阴极）和电解加工电源。电沉积电源负极和电解加工电源正极都连接于导电基底，电沉积电源正极与喷头连接，电解加工电源负极与阴极连接。基于该系统，先通过射流电沉积加工在基底上沉积出一层金属，再用阴极对已沉积金属表面进行电化学溶解加工，以去除其表面积瘤、毛刺等缺陷，接着再沉积金属，然后对新金属层电解加工……如此交替进行，直到达到加工要求
一种电化学加工三维金属微结构系统方法

[实用新型]一种电化学加工三维金属微结构的系统-CN201620229998.7有效
发明人：张新民;李欣潮;明平美;张晓东;秦歌;陈月涛;赵云龙;张艳华;赵晨昊 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： C25D5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电化学加工三维金属微结构的系统，属于微细特种加工领域。该系统包括电沉积子系统、电解子系统和导电基底。电沉积子系统包括喷头和电沉积电源。电解子系统包括阴极（横梁阴极、左侧阴极和右侧阴极）和电解加工电源。电沉积电源负极和电解加工电源正极都连接于导电基底，电沉积电源正极与喷头连接，电解加工电源负极与阴极连接。基于该系统，先通过射流电沉积加工在基底上沉积出一层金属，再用阴极对沉积金属表面进行电化学溶解加工，以去除其表面积瘤、毛刺等缺陷，接着再沉积金属，然后对新金属层电解加工……如此交替进行，直到达到加工要求。
一种电化学加工三维金属微结构系统

[发明专利]由乳突阵列结构与基底多孔结构复合的加工工艺及成品-CN202310487991.X在审
发明人：陆龙生;唐彪;李凯凯;寇金维;谢颖熙 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了由乳突阵列结构与基底多孔结构复合的加工工艺及成品，涉及微纳制造技术领域，其中，由乳突阵列结构与基底多孔结构复合的加工工艺，包括以下步骤：将待加工的钢片的表面进行研磨抛光处理，清洗并干燥，将待加工的钢片放置于皮秒激光器的加工平台上；通过与皮秒激光器相连的工业计算机，采用定位光标进行对焦操作；圈画出加工区域并在一矩形框内进行平面阵列，并设置填充方式以及加工工艺参数，然后皮秒激光器对待加工的钢片进行加工；加工完成后，进行清洗，获得具有微钠结构的加工成品本发明所得加工零件表面具有两层结构即乳突阵列结构与基底多孔结构复合形成的分级表面，并且由一次加工完成，极大提高了制造效率。
阵列结构基底多孔复合加工工艺成品

[实用新型]一种导电布的浸液装置-CN202320329050.9有效
发明人：胡小万;程呼盈 -专利权人：苏州巨奇光电科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： D06B3/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种导电布的浸液装置，涉及浸液加工领域。该导电布的浸液装置，包括浸泡箱、推送装置、推送板、三个安装板、多个导向装置和基底布料卷，所述浸泡箱内部固定连接有加工台，所述加工台顶部开设有三个储液凹槽，三个所述储液凹槽内部均设置有过滤网。该导电布的浸液装置，基底布料进入储液凹槽内部进行浸泡加工时，当基底布料携带的和外界的杂质进入储液凹槽内部溶液内后，杂质被储液凹槽内部的过滤网截留而不会沉淀到溶液底部，只需要将通过铁板和磁铁板安装的过滤网取出浸泡箱内部，即可对杂质进行收集处理，避免需要将溶液抽出才能够将杂质清理的情况，减缓溶液更换的频率，降低对基底布料进行浸泡加工的成本投入。
一种导电浸液装置