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[发明专利]一种飞秒激光微加工方法及装置-CN201711077427.1有效
发明人：王竹萍;王才良;范小康;孙禹;刘娟娟 -专利权人：武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： B23K26/0622 文献下载
摘要：本发明公开了一种飞秒激光微加工方法及装置，所述方法包括：在基底材料上表面镀膜；将飞秒脉冲激光光束聚焦到镀膜基底材料上表面；在所述镀膜基底材料上表面写入微孔图案；将加工有微孔图案的镀膜基底材料放入反应溶液中，洗去镀膜层；取出洗去镀膜层的基底材料，经超声浴后即可获得飞秒脉冲激光微加工后的具有微孔图案的基底材料。通过上述方法解决了现有技术中飞秒激光微加工过程中，加工区域存在热影响区、重铸层、热变形和裂纹等，影响加工质量和加工精度的技术问题，达到了避免热影响区、重铸层、热变形和裂纹等的出现，提高加工质量和加工精度的技术效果
一种激光加工方法装置

[发明专利]用于标签层叠体的基底、标签层叠体以及用于制造标签层叠体的方法-CN201380081947.3有效
发明人： N·米切尔;M·曼纳;T·赛克斯博格 -专利权人： UPM拉弗拉塔克公司
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：根据一实施方式，可揭衬里包括含有丙烯嵌段共聚物的基底。基底可在基底的机器加工方向上取向。基底可在基底的机器加工方向上、在张力水平为200到1200N/m下具有小于3％的基底的伸长率。基底中，基底的机器加工方向上的1％正割模量与基底的横向方向上的伸长率之比为2到15。进一步，本发明还涉及用于自粘性标签层叠体的可揭衬里的用途和一种提供标签层叠体的方法。
用于标签层叠基底以及制造方法

[发明专利]一种用于非平基底的双光子自动加工方法、系统及设备-CN202211127765.2在审
发明人：吴思竹;李鑫凯;劳召欣;尹智东;张晨初 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B23K26/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于非平基底的双光子自动加工方法、系统及设备。加工方法包括如下步骤：S1：调节基底的水平位置，使激光焦点的水平位置位于基底的初始加工区域内；S2：对激光进行对焦，对焦后在初始加工位置进行激光加工；S3：基底移动到下一加工点，在该加工点进行对焦，完成对焦后在该加工点进行激光加工；S4：重复S3直至完成所有加工点的加工，对加工完成的微纳结构进行显影，得到成品微纳结构。本发明通过对每个加工点进行自动对焦，解决了使用激光在非平基底上加工过程中，手动对焦操作繁复、耗时而且存在较大误差的问题。
一种用于基底光子自动加工方法系统设备

[发明专利]一种激光双光子直写加工设备及其自动对焦方法-CN202210715534.7在审
发明人：劳召欣;尹智东;吴思竹;张晨初 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B23K26/046 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光双光子直写加工设备及其自动对焦方法。加工设备包括：激光器、光路调节组件、物镜、相机、运动台、基底和控制器。基底用于承载待加工材料，运动台与基底固定连接，物镜设置在基底与相机之间，光路调节组件设置在激光器与物镜之间。本发明通过控制器启动激光器发射激光，并通过相机采集基底和待加工材料所处区域的图像，测量每张图像中荧光光斑的等效直径，从而确定荧光光斑等效直径的理想值，进而控制基底升降直至光斑等效直径达到理想值，完成自动对焦，提高了激光双光子直写加工的对焦效率和对焦精度，提高了三维微纳结构的加工精度。
一种激光光子加工设备及其自动对焦方法

[发明专利]用于控制等离子体密度的系统和方法-CN201480073933.1有效
发明人：陈立;彼得·L·G·文泽克;巴顿·G·莱恩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容涉及用于控制靠近被加工基底的边缘或边界的等离子体密度的等离子体加工系统。该等离子体加工系统可以包括能够接纳并处理基底的等离子体室，所述处理室利用等离子体对基底进行蚀刻、对基底进行掺杂或者在基底上沉积膜。本公开内容涉及可以包括可以与偏置电极相对的供电电极和围绕基底的聚焦环电极的等离子体加工系统。在一个实施方案中，供电电极可以耦合至直流(DC)源。施加至偏置电极的电力可以用于将离子吸引至基底。可以通过向设置在基底和/或偏置电极周围的聚焦环施加聚焦环电压而使等离子体密度变得更均匀。
用于控制等离子体密度系统方法

[发明专利]装饰组件和用于形成所述装饰组件的方法-CN201580005832.5有效
发明人： R·H·安德里亚尔;F·S·加达拉 -专利权人：蔻驰股份有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： B32B7/12 文献下载
摘要：一种组件(10、10’)包括基底(12、12’)、装饰构件(14、14’)和热活化粘合剂构件(16、16’)。所述基底限定包括加工表面(18a、18a’)和未加工表面(18b、18b’)的至少两个表面(18、18’)。所述装饰构件限定包括面向外的加工表面(20a、20a’)和面向内的附接表面(20b、20b’)的至少两个表面(20、20’)。所述装饰构件的所述面向内的附接表面布置在所述基底的所述未加工表面上并且装饰所述基底的所述未加工表面。所述基底的所述加工表面和所述装饰构件的所述面向外的表面形成所述组件的配合加工表面(24、24’)。所述热活化粘合剂构件设置在所述基底的所述未加工表面和所述装饰构件的所述面向内的附接表面两者上，以便将所述基底的所述未加工表面间接地附接到所述面向内的附接表面。
装饰组件用于形成方法

[发明专利]特别用于处理和/或检查基底的加工机-CN201180058152.1无效
发明人：雅各布·塞凯尔斯;克劳斯·奥佩尔特;格尔德·克劳斯 -专利权人： EKRA自动化系统有限公司
申请日： 2011-08-20 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种加工机，特别是用于处理和/或检查基底（16）、特别是电路板、印制电路板、太阳能电池等，所述加工机具有至少一个用于输送基底的输送装置（1）以及具有至少一个用于加工、特别是用于处理和/或检查所述基底的加工装置设定，输送装置和加工装置被构造为分开的、分别自立式的模块单元，其中，模块单元可被如此可选择地相互组合，使得输送装置将基底输送通过加工装置。本发明还涉及一种针对检查和/或处理基底、特别是电路板、印制电路板、太阳能电池等的方法，具有至少一个用于输送电路板的输送装置和至少一个用于处理和/或检查基底的加工装置，其中，输送装置和加工装置作为分开的、分别自立式的模块单元可被如此组合，使得输送装置将基底输送通过加工装置。
特别用于处理检查基底加工

[发明专利]一种柔性双面电极的超快激光加工方法-CN202111446811.0有效
发明人：丁烨;杨立军;王联甫 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性双面电极的超快激光加工方法，包括：固定柔性电极基底至超快激光加工装置的工作台上；开启所述超快激光加工装置的超快激光器以加工要求输出参数输出超快激光；调整所述超快激光至所述柔性电极基底的有效作用位置，对所述柔性电极基底进行同步双面加工。本发明通过超快激光对柔性电极基底进行同步双面加工，以在柔性电极基底上下表面同步构筑电极，从而得到柔性双面电极，以用于制备微储能器件等，实现了柔性双面电极加工的高质量、高精度、高效率；且通过在柔性电极基底上下表面同步构筑电极，有效提升了柔性双面电极及具有柔性双面电极的微储能器件的集成度、加工效率及电极单位面积输出的能量密度。
一种柔性双面电极激光加工方法

[发明专利]阶梯状基底超表面及相关设计方法、加工方法和光学透镜-CN202111166673.0有效
发明人：郝成龙;谭凤泽;朱健 -专利权人：深圳迈塔兰斯科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种阶梯状基底超表面及相关设计方法、加工方法和光学透镜，其中，阶梯状基底超表面包括：阶梯状基底和纳米结构；阶梯状基底，包括：多个对入射光线的相位进行改变的相位设计位置，多个相位设计位置中相邻的相位设计位置之间的高度不同；相位设计位置的高度与阶梯状基底超表面实现的功能相关；纳米结构分别设置在多个相位设计位置中的各相位设计位置上。从而设计出比曲面基底超表面实现相同功能但厚度更薄的阶梯状基底超表面，但阶梯状基底超表面的阶梯状基底中的高度不同的对入射光线的相位进行改变的相位设计位置是不同高度的平面，所以可以使用现有的半导体平面加工工艺对阶梯状基底超表面进行加工，加工工艺简单。
阶梯基底表面相关设计方法加工光学透镜

[发明专利]一种FIB直写加工制备SERS基底的优化加工方法-CN201410128552.0有效
发明人：徐宗伟;李康;房丰洲;高婷婷;申雪岑;徐晓轩 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G05B19/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种FIB直写加工制备SERS基底的优化加工方法，采用具有可以进行电子束扫描（SEM）和离子束（FIB）加工的聚焦离子束-电子束的双束系统，包括下列步骤：将待加工基底置于双束系统样品室，并通过电子束成像系统进行形貌观测；预留一定加工宽度，按照目标图形利用聚焦离子束对基底进行离子刻蚀加工；利用电子束或离子束扫描成像系统实时观测加工过程和结果；将样品取出样品室放入镀膜设备，调整参数与离子束加工结构和尺寸相结合在加工样品表面精确蒸镀金膜，并将镀膜后的样品作为拉曼散射增强基底。本发明提出的方法，能显著提高SERS基底的灵敏度和稳定性。
一种 fib 加工制备 sers 基底优化方法

[发明专利]基于高斯光束聚焦直写的表面周期性锥形微结构加工方法-CN202011036851.3有效
发明人：杨霄;姜玉刚;刘华松;刘丹丹 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于高斯光束聚焦直写的表面周期性锥形微结构的加工方法，用以解决现有技术中大面积表面周期锥形微结构加工效率低的问题。所述表面周期锥形微结构加工方法，首先将高斯激光光束导入聚焦物镜形成光斑，再根据基底材料损伤阈值调节相关参数，使聚焦光斑能量高于基底材料损伤阈值的区域为一椭球形，光斑对焦至基底加工面后，利用位移平台平移待加工基底，使聚焦光斑在基底表面的烧蚀出周期性锥形微结构。本发明无需高精度聚焦，利用高斯光束聚焦后自身的能量分布梯度，通过扫描的运动形式，在基底表面直接形成锥状周期微结构，一次性完成精细三维结构的加工，速度快、效率高，工艺流程简单，且可实现高精度连续非平面的加工
基于光束聚焦表面周期性锥形微结构加工方法

[发明专利]制备个人护理制品的方法-CN201880011908.9在审
发明人： E·S·亨利;W·A·瓦特斯;D·F·金 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2018-03-10 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： A45D34/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备个人护理制品的方法，其包括将转换加工机架放置在具有砧板的砧板组件上；将至少一个下基底放置在所述砧板和所述转换加工机架上；将所述至少一个下基底固定在所述转换加工机架内；将清洁组合物放置在所述至少一个下基底上并在所述砧板上的置中引导件的周边内；将至少一个上基底设置在所述清洁组合物和所述至少一个下基底之上；将所述转换加工机架和所述砧板组件放置在热压机的目标位置上；以及启动所述热压机以将加热密封板引导到所述砧板上，从而接触所述至少一个上基底并在所述至少一个上基底与所述至少一个下基底之间形成密封
基底砧板转换个人护理制品清洁组合物砧板组件热压机加工制备基底固定加热密封目标位置引导件密封

[发明专利]快速制备大面积石墨烯/金属复合结构SERS基底方法-CN201710398684.9有效
发明人：张陈涛;张建寰;李姗文;林坤;黄元庆 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速制备大面积石墨烯/金属复合结构SERS基底的方法。使用脉冲激光在基底表面加工线阵列图形，以形成交替分布的若干激光加工区域和若干激光未加工区域，其中激光加工区域去除的材料以纳米颗粒的形式沉积在激光未加工区域；再将金属薄膜沉积在处理后的基底上形成金属纳米结构；再将石墨烯转移至所述金属纳米结构表面；滴加PMMA溶液后烘干，使石墨烯与金属纳米结构紧密贴合；最后，去除PMMA并清洗干净，即得石墨烯/金属复合结构SERS基底。本发明可快速、高效、低成本地制备大面积的石墨烯/金属复合结构SERS基底，且制得的SERS基底灵敏度高，一致性好。
快速制备大面积石墨金属复合结构 sers 基底方法

[发明专利]表面改性技术加工RB-SiC超光滑表面反射镜方法-CN200710159200.1无效
发明人：公发全;刘万发;李刚;董闯;牟宗信 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种加工具有微孔的RB-SiC表面加工及处理方法，在RB-SiC基底采用表面沉积或能流注入方法产生致密化的加工层；然后对致密化的加工层进行常规精抛光加工，再采用纳米抛光方法对加工层进行抛光。本发明将表面改性技术和光学机械加工相结合，其针对RB-SiC存在的微孔缺陷，利用表面改性技术使得待加工RB-SiC基底表面致密化，然后再进行光学二次加工，以实现RB-SiC基底表面的粗糙度小于1nm(rms因此本发明为以具有微孔材料为基底的超光滑表面加工提供了行之有效的方法。
表面改性技术加工 rb sic 光滑反射方法

[发明专利]用于晶片的调准和预固定的装置-CN201080019365.9有效
发明人： J·伯格拉夫;P·林德纳;S·帕格弗里德;D·伯格斯塔勒 -专利权人： EV集团有限责任公司
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在支撑基底上对面型的基底进行调准和预固定以用于进一步加工基底的装置，该装置带有以下特征调准件，其用于通过作用于基底外轮廓而相对于支撑基底的支撑基底外轮廓使基底的基底外轮廓调准，其中，该调准沿着通过基底与支撑基底的接触面而展开的基底平面E而实现；和固定件，其用于至少部分地将已调准的基底预固定在支撑基底上。此外，本发明涉及一种用于在支撑基底上对面型的基底进行调准和预固定以用于进一步加工基底的方法，该方法带有以下特征通过经由调准件对基底外轮廓的作用，相对于支撑基底的支撑基底外轮廓使基底的基底外轮廓调准，其中，调准沿着通过基底接触面而展开的基底平面E而实现，并且通过固定件至少部分地将已调准的基底预固定在支撑基底上。
用于晶片调准固定装置