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[发明专利]用于加工系统的材料和气体化学组成-CN00818379.1无效
发明人： A·D·拜利三世;A·M·舍普;D·J·赫姆克尔;M·H·维尔科克森 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-11-14 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于加工衬底的等离子体加工系统。该等离子体加工系统包括单一的腔室,即基本水平对称的等离子体加工腔室,其中点燃并保持等离子体用于加工。该等离子体加工腔室没有单独的等离子体发生腔室。该等离子体加工腔室具有上端和下端。该等离子体加工腔室包含基本不与送入该等离子体加工腔室的反应性气体化学物质反应的材料。此外,本发明公开了流入所述等离子体加工腔室的反应物气体。
用于加工系统材料气体化学组成

[发明专利]预载等离子体反应器设备及其应用-CN200310123278.X无效
发明人：理查德·怀斯;马克·C·哈基;西德哈撒·潘达;博米·A·陈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-12-22 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种预载的等离子体基加工系统，其包括预反应等离子体加工室、与预反应等离子体加工室可操作地连接的能源和与预反应等离子体加工室流体连通的晶片等离子体加工室。预反应等离子体加工室的结构设置成使反应试剂物质发生等离子体基化学反应，形成反应性自由基。晶片等离子体加工室的结构设置成使反应性自由基与放置在晶片等离子体加工室内的晶片表面上的物质反应。其它实施方案包括在等离子体环境中加工晶片的方法及预载反应性气体流以防止晶片掩模或停蚀层腐蚀的方法。
等离子体反应器设备及其应用

[发明专利]一种火抛光辅助电感耦合等离子体加工方法-CN201510389611.4有效
发明人：王波;苏星;张鹏;辛强;王骏 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：一种火抛光辅助电感耦合等离子体加工方法，它属于精密光学零件加工的技术领域。它的步骤一：启动加工电感耦合等离子体炬和火抛光电感耦合等离子体炬；步骤二：使火抛光电感耦合等离子体炬的火抛光电感耦合等离子体炬作用区位于加工电感耦合等离子体炬的加工电感耦合等离子体炬作用区运动方向前侧；步骤三：被加工件的上表面被加工件吸热，微裂纹发生融化修复作用；然后加工电感耦合等离子体炬对火抛光电感耦合等离子体炬作用区进行去除加工。本发明在对光学镜片加工时，使用火抛光电感耦合等离子体炬预处理，不会产生波纹度误差条件下部分修复微裂纹，进而使用大气等离子体加工，避免了等离子体加工损伤打开的效果，实现了高质量的光学加工。
一种抛光辅助电感耦合等离子体加工方法

[发明专利]一种火抛光辅助电感耦合等离子体加工装置-CN201510389614.8有效
发明人：王波;苏星;张鹏;李娜;王骏 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种火抛光辅助电感耦合等离子体加工装置，本发明属于精密光学零件加工的技术领域。它的加工电感耦合等离子体炬和火抛光电感耦合等离子体炬都安装在双炬连接组件上；加工电感耦合等离子体炬通入的工作气体为含氟气体，具有去除效果；火抛光电感耦合等离子体炬通入的气体为不含氟气体，无去除效果；使火抛光电感耦合等离子体炬的火抛光电感耦合等离子体炬作用区位于加工电感耦合等离子体炬的加工电感耦合等离子体炬作用区运动方向前侧本发明在对光学镜片加工时，使用火抛光电感耦合等离子体炬预处理，不会产生波纹度误差，部分修复微裂纹，进而使用大气等离子体加工，避免了等离子体加工损伤打开的效果，实现了高质量的光学加工。
一种抛光辅助电感耦合等离子体加工装置

[发明专利]自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工的装置-CN201310177071.4有效
发明人：王波;李娜;姚英学;李国;金会良;辛强;金江;李铎 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： B23K10/00 文献下载
摘要：自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工的装置，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的五轴联动数控机床的绝缘工作架上安装有大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬；将待加工光学零件装卡在地电极上；大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬分别对待加工光学零件待加工表面进行大气等离子体数控加工本发明能采用不同类型的等离子体炬进行大气等离子体加工。
自由曲面光学零件大气等离子体数控加工装置

[发明专利]自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工方法-CN201310177053.6有效
发明人：王波;李娜;姚英学;李国;金会良;辛强;金江;李铎 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： B23K10/00 文献下载
摘要：自由曲面光学零件的大气等离子体数控加工方法，它属于等离子体加工大口径非球面光学零件的技术领域。它是为了解决高精度大口径非球面光学零件的加工效率和表面质量问题。它的步骤一：在工作架上安装有大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬；步骤二：将待加工光学零件装卡在地电极上；步骤三：使大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬靠近待加工表面；步骤四：预热；步骤五：启动射频电源；步骤六：使大口径的等离子体炬或中口径的等离子体炬或小口径的等离子体炬进行多自由度运动；步骤七：取出待加工光学零件。本发明采用三种不同口径的等离子体炬对大口径复杂曲面光学零件进行大气等离子体加工。
自由曲面光学零件大气等离子体数控加工方法

[发明专利]一种等离子体腔室及用于物理气相沉积的预清洗设备-CN201710464284.3有效
发明人：张彦召;陈鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体腔室和用于物理气相沉积的预清洗设备。本发明公开的等离子体腔室包括腔体、等离子体发生器、以及设置于腔体内用于支撑被加工工件的基座；还包括等离子体调节装置，等离子体调节装置设置在基座上方；且当工艺时，等离子体调节装置的表面形成有鞘层，等离子体中的离子密度大的区域中的部分离子被鞘层中的电子中和为中性粒子，从而使到达被加工工件表面的等离子体中的离子密度趋于均匀。本发明公开的用于物理气相沉积的预清洗设备包括本发明的等离子体腔室。本发明的等离子体腔室及预清洗设备内的等离子体的密度分布均匀，对被加工工件的加工质量高。
一种等离子体腔用于物理沉积清洗设备

[发明专利]一种用于超光滑表面的等离子体加工装置-CN201110323727.X有效
发明人：解滨;辛煜;皱帅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：一种用于超光滑表明的等离子体加工装置，包括：真空系统、感性耦合等离子体发生系统以及水冷系统。该等离子体加工装置通过感性耦合等离子体的方式产生等离子体，并在真空状态下，将等离子体作用于物件表面形成抛光机制。与现有技术相比，本发明具有加工效率高、抛光效果好以及能有效控制等离子体均匀性的特点。
一种用于光滑表面等离子体加工装置

[实用新型]一种用于超光滑表面的等离子体加工装置-CN201120405435.6有效
发明人：解滨;辛煜;皱帅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：一种用于超光滑表明的等离子体加工装置，包括：真空系统、感性耦合等离子体发生系统以及水冷系统。该等离子体加工装置通过感性耦合等离子体的方式产生等离子体，并在真空状态下，将等离子体作用于物件表面形成抛光机制。与现有技术相比，本实用新型具有加工效率高、抛光效果好以及能有效控制等离子体均匀性的特点。
一种用于光滑表面等离子体加工装置

[发明专利]电极组件-CN200610009280.8有效
发明人： F·郝;A·R·埃林贝;E·H·伦茨 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-12-22 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：这里公开了一种用于加工衬底的等离子体加工系统。此等离子体加工系统包括加工室，等离子体在其中被点燃和保持以用于加工。等离子体加工系统还包括位于加工室下端处的电极(152)。电极被构型为用来在加工室中产生电场。等离子体加工系统还包括用来控制电极与等离子体之间的阻抗的元件(158)。此阻抗被设置成影响电场，以改善衬底表面上的加工均匀性。
电极组件

[发明专利]电极组件-CN00819264.2有效
发明人： F·郝;A·R·埃林贝;E·H·伦茨 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-12-22 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：这里公开了一种用于加工衬底的等离子体加工系统。此等离子体加工系统包括加工室，等离子体在其中被点燃和保持以用于加工。等离子体加工系统还包括位于加工室下端处的电极(152)。电极被构型为用来在加工室中产生电场。等离子体加工系统还包括用来控制电极与等离子体之间的阻抗的元件(158)。此阻抗被设置成影响电场，以改善衬底表面上的加工均匀性。
电极组件

[发明专利]等离子体系统的腔室-CN201611255444.5在审
发明人：廖崇宪;蔡文包 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种等离子体系统的腔室包括腔室壁，其定义等离子体加工区域；衬底支架，其经配置以支撑等离子体加工区域中的衬底；以及内衬，其位在等离子体加工区域中并且将腔室壁与等离子体加工区域分离。还提供一种用于等离子体系统的内衬以及一种用于将内衬安装到等离子体系统的方法。
等离子体系统

[发明专利]宽带等离子体加工系统和方法-CN202080078931.7在审
发明人：赵建平;彼得·文特泽克 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于操作等离子体加工系统的方法，包括确定用于为等离子体加工室内的第一等离子体供电的第一频率。该方法包括在宽带功率放大器处生成具有该第一频率的第一放大RF信号。该方法包括供应该第一放大RF信号，以使用包括该第一等离子体的第一等离子体工艺来加工布置在该等离子体加工室中的衬底。该方法包括确定用于为该等离子体加工室内的第二等离子体供电的第二频率。该方法包括供应该第二放大RF信号，以使用包括该第二等离子体的第二等离子体工艺来加工布置在该等离子体加工室中的衬底。
宽带等离子体加工系统方法

[发明专利]等离子加工设备-CN200810009320.8有效
发明人：李荣钟;崔浚泳;郑然周;孙亨圭;金春植;郑元基;朴希侦 -专利权人：爱德牌工程有限公司
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：一种等离子加工设备，其在真空状态的腔室内产生等离子体从而利用该等离子体处理放置在该腔室内的基片，该等离子加工设备包括一个环绕于设置在该等离子加工设备内的电极周围的等离子体防护单元，用来阻止电极暴露于等离子体中
等离子加工设备

[发明专利]等离子加工设备-CN200610003211.6有效
发明人：李荣钟;崔浚泳;郑然周;孙亨圭;金春植;郑元基;朴希侦 -专利权人：爱德牌工程有限公司
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：一种等离子加工设备，其在真空状态的腔室内产生等离子体从而利用该等离子体处理放置在该腔室内的基片，该等离子加工设备包括一个环绕于设置在该等离子加工设备内的电极周围的等离子体防护单元，用来阻止电极暴露于等离子体中
等离子加工设备

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