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[发明专利]硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭-CN201110336713.1有效
发明人：蓝文杰;刘泳呈;余文怀;许松林;徐文庆;蓝崇文 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭，是利用一硅晶种层并基于一方向性凝固制程，来制造硅晶铸锭，其中，所述硅晶种层硅是由多个主要单晶硅晶种以及多个次要单晶硅晶种所构成，每一主要单晶硅晶种具有非[100]的第一晶向，每一个次要单晶硅晶种具有非所述第一晶向的一第二晶向，每一主要单晶硅晶种紧邻至少一个次要单晶硅晶种并与其他主要单晶硅晶种隔开，本发明无须将两相邻单晶硅晶种的边界接合，也能抑制两相邻单晶硅晶种的边界在硅晶铸锭制造过程中发展成有害缺陷，且制得的硅晶铸锭整体有较佳的晶体质量，后续制成的太阳能电池的光电转换效率也较高。
铸锭制法以及

[发明专利]利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法-CN201811606677.4在审
发明人：张文霞;高润飞;高树良;谷守伟;裘孝顺;武志军;郭志荣;刘伟;张全顺 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供利用掺镓单晶硅回收料生产低光衰直拉单晶硅棒的方法，将多晶硅和掺镓单晶硅回收料进行混合装料，熔融后进行单晶拉制，多晶硅和掺镓单晶硅回收料装料时，多晶硅与掺镓单晶硅回收料的质量比按能使合格电阻率区间最大化的比例配置本发明的有益效果是利用掺镓单晶硅回收料进行单晶硅棒的生产，利用固态的含镓回收料，代替了掺镓合金，不需在直拉单晶过程中再次补掺镓元素或合金，不仅提高了回收料的利用率，同时避免了资源的浪费，节省了原材料，降低了生产成本
回收料单晶硅多晶硅直拉单晶硅棒装料低光比例配置单晶硅棒单晶拉制直拉单晶电阻率质量比最大化镓合金镓回收镓元素熔融生产成本生产合金

[发明专利]SOI基板的制造方法-CN202111550729.2在审
发明人：李永浩 -专利权人：韩商则舒穆公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及SOI基板的制造方法，SOI基板的制造方法包括以下步骤：(a)在第一单晶硅基板的一面上形成硅剥离层；(b)在硅剥离层上形成单晶硅外延层；(c)在单晶硅外延层的一面上形成多个阴刻图案；(d)在阴刻图案和单晶硅外延层上形成绝缘层；(e)在绝缘层的表面上接合形成有氧化层的第二单晶硅基板；(f)通过向硅剥离层施加能量，将第一单晶硅基板分离并去除；(g)从单晶硅外延层的另一面向一面方向缩减厚度的同时进行去除。
soi 制造方法

[发明专利]一种单晶硅中子辐照装置及方法-CN202111542340.3有效
发明人：吴瑞;张先萌;罗文广;刘荣;魏甫;王亚军;刘鹏;刘豪;彭芳;郑海川 -专利权人：中国核动力研究设计院
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅中子辐照装置及方法，辐照系统包括单晶硅装备间、硅水池和堆厅，所述堆厅内布置有堆芯，所述堆芯内设置有单晶硅辐照孔道；还包括单晶硅装取平台、硅水池自动对中吊车、移动车和堆厅自动对中吊车本发明所述单晶硅装取平台能够实现单晶硅在转运桶和硅桶之间切换，同时硅水池自动对中吊车、移动车和堆厅自动对中吊车能够实现将转运桶或硅桶吊装至指定位置；本发明解决了单晶硅辐照过程中操作人员劳动强度大、受到的辐射剂量大和单晶硅破损率高的难题
一种单晶硅中子辐照装置方法

[发明专利]单晶硅自动粘接方法-CN201310154795.7无效
发明人：李佳 -专利权人：苏州工业园区高登威科技有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种单晶硅自动粘接方法，包括如下步骤：S1：给单晶硅自动粘接机的单晶硅上料系统、晶硅夹具上料系统以及树酯上料系统上料；S2：打开点胶系统，并在晶硅夹具上喷胶；S3：移动机械手，抓取一片树酯放置在晶硅夹具上；S4：打开点胶系统，并在树酯上喷胶；S5：移动机械手，抓取一片单晶硅放置在树酯上；S6：将粘接在一起的晶硅夹具、树酯以及单晶硅运送至单晶硅自动粘接机的出料端。相较于现有技术，本发明所述单晶硅自动粘接方法能够实现晶硅夹具、树酯以及单晶硅的自动粘接。
单晶硅自动方法

[发明专利]一种单晶硅棒的制造方法-CN201910713504.0有效
发明人：周嘉浩;李强;涂准 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种单晶硅棒的制造方法，所述单晶硅棒的制造方法包括：将原生多晶硅料装入坩埚中；加热熔化所述坩埚内的原生多晶硅料，得到原始硅液；将所述原始硅液进行提纯，得到硅液；在所述硅液中执行引晶、放肩、等径操作，以得到单晶硅棒，其中，在所述等径操作过程中发生晶棒断线时，执行重新熔化所述晶棒断线处的固态硅以及续接拉晶的操作。本发明实施例中可以提高单晶硅棒的品质，降低所述单晶硅棒的断线率，提高所述单晶硅棒的整根率。在所述单晶硅棒用于生产多晶硅时，可以相应提高所述多晶硅的品质。
一种单晶硅制造方法

[发明专利]单晶硅上料自适应夹持转运装置及方法-CN202210104356.4在审
发明人：李海威;梁兴华;李元业;郑光健;廖书阳;沈锦锋;梁洁;李波;赖晓锟 -专利权人：福州天瑞线锯科技有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅上料自适应夹持转运装置及方法，包括上料机构及位于上料机构旁侧用于承接单晶硅的转运机构，上料机构包括送料机架及铰接于送料机架上由送料驱动机构驱动转动的上料架，转运机构包括滑台及用于夹持单晶硅的转运夹爪，转运机构旁侧具有单晶硅棒夹持机构，单晶硅棒夹持机构包括用于承托单晶硅棒的回转下夹持件及位于回转下夹持件上方由夹持驱动装置驱动下压单晶硅棒的上夹持件，本发明提供了单晶硅上料自适应夹持转运装置，能够通过放置架与夹爪组配合实现对单晶硅棒的上料与转运，减少上料时间提高棒料输送效率并利用自适应夹持夹持结构，可以找到硅晶棒实际轴向重心，依靠锁紧装置，实现硅晶棒稳定竖立。
单晶硅自适应夹持转运装置方法

[实用新型]一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜-CN202220658942.9有效
发明人：戚佳斌;李忠贤;赵毅 -专利权人：中国电子科技南湖研究院
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜，柔性单晶硅薄膜半导体器件包括应力缓冲膜、单晶硅片、聚合物膜和半导体芯片，单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm～80μm，半导体芯片位于单晶硅片内或凸出单晶硅片设置，并与单晶硅片电性连接，聚合物膜覆盖于半导体芯片和单晶硅片上并对半导体芯片进行密封。柔性单晶硅薄膜包括应力缓冲膜、单晶硅片和聚合物膜，单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm～80μm，聚合物膜覆盖于单晶硅片上。既保持了硅单晶特点，又兼容半导体芯片高温制备工艺，具有高性能，提高了信息处理速度、单晶硅片的利用效率和器件电路设计的灵活性，且生产效率和良品率高，移取方便。
一种柔性单晶硅薄膜半导体器件

[发明专利]一种电容式压力传感器及其制备方法-CN201811445583.3在审
发明人：缪建民;姚运强 -专利权人：华景传感科技(无锡)有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：该电容式压力传感器包括：单晶硅衬底，所述单晶硅衬底包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域；所述第一区域设置有绝缘层和单晶硅层，所述绝缘层设置于所述单晶硅层邻近所述单晶硅衬底的一侧；所述单晶硅层表面设置有多个通孔，所述绝缘层与所述多个通孔对应的区域形成有贯穿所述绝缘层的凹槽，使所述单晶硅层、所述单晶硅衬底和所述绝缘层之间形成空腔；所述通孔内填充有金属层；所述单晶硅层远离所述绝缘层的表面设置有第一金属电极；所述单晶硅衬底的所述第二区域设置有第二金属电极
绝缘层单晶硅衬底单晶硅层电容式压力传感器第一区域通孔第二区域金属电极制备单晶硅层表面表面设置区域形成压力检测金属层空腔填充邻近贯穿

[发明专利]一种MEMS热电堆器件及其制作方法-CN202211574807.7在审
发明人：李昕欣;张昊智;贾浩;许鹏程 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10N10/17 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS热电堆器件及其制作方法，该器件包括单晶硅衬底、隔热空腔、多个单晶硅热偶对及支撑膜；隔热空腔位于单晶硅衬底内；多个单晶硅热偶对串联且悬设于隔热空腔之上，单晶硅热偶对包括N型热偶及P型热偶，串联后的多个单晶硅热偶对的一端作为热端，相对的另一端作为冷端；支撑膜位于单晶硅热偶对的上方以支撑单晶硅热偶对，热端及冷端分别位于支撑膜的中心区域及边缘区域。本发明的制作方法采用单面微加工方法从器件正面释放支撑膜和单晶硅热偶对以形成隔热空腔，使单晶硅热偶对悬浮于衬底之上，降低热耗散，提高传感器的温差检测灵敏度；此外，本发明的制作方法使得器件兼具良好的机械稳定性
一种 mems 热电器件及其制作方法

[发明专利]单晶硅等径拉速设定、调控方法及装置-CN202310425517.4在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;潘辉;岳亚文 -专利权人：浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明提出一种单晶硅等径拉速设定、调控方法及装置，涉及单晶硅生产技术领域，方法包括：基于单晶硅对应的热量传递参量以及晶体生长程度参量对单晶硅的拉晶历史状态数据进行拉速划分，以根据拉速划分得到的多个拉速数据集，挖掘单晶硅等径拉速过程对应的等径拉速目标曲线，并根据与单晶硅等径拉速相关的特征监测变量和单晶硅等径拉速的对应关系，构建等径拉速预测模型，根据任一目标时刻等径拉速目标曲线的拉速设定值与等径拉速预测模型预测的拉速预测值之间的偏差，对目标时刻单晶硅等径时的拉速进行调控，由此，基于拉速设定值与拉速预测值之间的偏差，实现单晶硅等径拉速的精准控制以及单晶硅等径拉速为代表的时变参量预先、自适应调节。
单晶硅径拉速设定调控方法装置

[发明专利]一种单晶硅棒切片装置-CN202010428169.2有效
发明人：邓筑蓉 -专利权人：新疆东方希望光伏科技有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅棒切片装置，其结构包括配电箱、切割头、导入装置、加工台、固定座、底座，固定座安装在底座上，固定座上设有加工台，切割头与导入装置相配合，本发明的有益效果：利用夹合头上的夹合层与单晶硅棒相接触时，两个磁块的磁性相异，相互吸引加固了夹合头的夹合力，双重作用下使得夹合头可以将单晶硅棒夹合并固定，并且两个活动槽可以随着单晶硅棒的直径大小而被顶出更替并适配单晶硅棒的尺寸，当两个活动槽与两个固定槽处于同一弧线上时，停止向外运动，并同时对单晶硅棒施加力，使得单晶硅棒被固定，从而防止单晶硅棒在线锯的冲击力下发生位移，保障单晶硅棒加工过程中位置的相对固定，进一步保障单晶硅棒的切片质量。
一种单晶硅切片装置

[发明专利]磨削机床及在该机床上加工非球面单晶硅透镜的方法-CN201410697311.8无效
发明人：陈冰;郭兵;赵清亮 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：磨削机床及在该机床上加工非球面单晶硅透镜的方法，它涉及一种磨削机床及单晶硅透镜精密磨削加工的方法。装置：真空吸盘安装在工作主轴上，单晶硅工件通过转接夹具安装在真空吸盘上，磨削主轴装在Z轴联动工作台上，圆弧形金刚石砂轮安装在磨削主轴的下端部，圆弧形金刚石砂轮的外圆弧与单晶硅工件表面相接触。方法：单晶硅工件和圆弧型金刚石砂轮的安装；单晶硅工件的外圆面磨削加工；单晶硅基准端面的磨削加工；单晶硅工件的非球凹面磨削加工；单晶硅工件的非球凸面磨削加工。本发明用于非球面单晶硅透镜的加工。
磨削机床加工球面单晶硅透镜方法

[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池-CN200710185125.6无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;古屋昌浩;川合信;田中好一;久保田芳宏;飞坂优二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明粘结剂的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。
单晶硅太阳能电池制造方法

[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池-CN200710185126.0无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；对该单晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方，进行表面活化处理的工序；以该进行表面活化处理后的面作为贴合面，来贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在该单晶硅层的该剥离面由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。
单晶硅太阳能电池制造方法