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[发明专利]一种单晶硅表面划痕损伤层厚度的检测方法-CN201410304805.5在审
发明人：钱林茂;徐乐;余丙军;郭剑;陈磊 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：一种单晶硅表面划痕损伤层厚度的检测方法，其步骤是：A、在化学机械抛光法抛光后的单晶硅晶圆上切取出单晶硅样品，对其使用原子力显微镜进行扫描，得到单晶硅样品表面的三维形貌，并测出其中的凹陷深度；B、将单晶硅样品放置于质量分数为15-25％的HF溶液中刻蚀20-40分钟，取出单晶硅样品并用丙酮和酒精依次清洗，再使用原子力显微镜进行扫描，得到刻蚀后的单晶硅样品表面三维形貌，并测出其中的凹陷深度；C、将B步得到的凹陷深度与A步的对应位置处的凹陷深度相减，得到刻蚀后凹陷深度增加值即为单晶硅表面划痕损伤层厚度。
一种单晶硅表面划痕损伤厚度检测方法

[发明专利]单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法-CN202010365445.5在审
发明人：胡动力;张华利;陈红荣;游达;张祥 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：提供坩埚和籽晶，籽晶沿垂直于晶体生长方向的尺寸小于210mm；在坩埚的底部铺设至少四个籽晶，相邻两个籽晶相互抵接，得到籽晶单元；籽晶单元沿垂直于晶体生长方向的尺寸不小于210mm；在籽晶单元上面装硅料，之后依次经过加热阶段、熔化阶段、长晶阶段、退火阶段与冷却阶段，脱模之后得到铸造单晶硅锭；以及按照预设尺寸沿垂直于坩埚底部的方向对铸造单晶硅锭进行切割，得到至少一个单晶硅锭，单晶硅锭沿垂直于晶体生长方向的尺寸不小于本发明的上述单晶硅锭的制备方法能够大幅降低生产成本，有利于应用。
单晶硅及其制备方法铸造

[发明专利]一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场-CN202010685926.4在审
发明人：武建军;张培林;柴利春;张作文;王志辉 -专利权人：大同新成新材料股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体级直拉单晶硅炉超高纯石墨热场，包括底座，所述底座顶部两侧的两端对称设置有四组伸缩杆，四组所述伸缩杆的顶部共同设置有安装板，四组所述伸缩杆的外侧皆设置有弹簧B，且弹簧B与安装板相互连接，所述底座顶部的中间位置处设置有弹簧A，且弹簧A与安装板相互连接，所述安装板顶部的一侧设置有单晶硅炉本体，所述单晶硅炉本体外侧的顶部均匀设置有卡块，所述单晶硅炉本体的顶部设置有单晶硅炉盖；本发明装置通过单晶硅炉盖、卡扣、卡块和单晶硅炉本体的相互配合，可方便操作人员拿取投放物料，同时还对单晶硅炉本体的内部形成一定的密封能力，从而节省能源的消耗。
一种半导体级直拉单晶硅高纯石墨

[发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202111165265.3在审
发明人：黄忠守 -专利权人：合肥视涯技术有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括：一个单晶硅基板，单晶硅基板包括第一区域和第二区域；第一区域包括制作在单晶硅基板上的单晶硅晶体管电路，单晶硅晶体管电路位于显示面板的信号电路和控制电路，第二区域包括制作在单晶硅基板上的显示面板的像素电路阵列。本发明实施例的技术方案，通过在第一区域和第二区域制备不同类型的电路，其混合电路可以确保驱动LED发光层的电压不会在单晶硅基板内产生闩锁效应等寄生效应，同时具备单晶硅集成电路的高速低功耗的优点，从而更适合于制造更加微型和高性能的
一种显示面板显示装置

[发明专利]一种新能源电池生产的单晶硅棒烘干装置-CN202210783327.5在审
发明人：陈建国 -专利权人：深圳市融茂科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： F26B11/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅棒烘干装置，尤其涉及一种新能源电池生产的单晶硅棒烘干装置。本发明的目的是提供一种能够对单晶硅棒进行均匀受热的新能源电池生产的单晶硅棒烘干装置。本发明提供了这样一种新能源电池生产的单晶硅棒烘干装置，包括有壳体、进气管、加热管和出风管等，壳体上部左侧连接有进气管并连通，进气管内部连接有加热管，进气管右侧上下对称式连接有出风管并连通，两根出风管均位于壳体内部本发明通过启动加热管和鼓风机，能够将热风吹入壳体内对单晶硅棒进行烘干，再通过电机作为驱动力，能够驱动单晶硅棒发生转动，使得单晶硅棒均匀受热，从而能够加快烘干速度。
一种新能源电池生产单晶硅烘干装置

[发明专利]一种单晶硅锭切割设备-CN202310398712.2在审
发明人：杨定勇;张力峰;邹文龙 -专利权人：扬州晶樱光电科技有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅锭切割设备，包括单晶硅锭切割设备主体、齿条、第三伺服电机和抽风机，所述单晶硅锭切割设备主体的表面装设有固定底座，所述单晶硅锭切割设备主体的表面开设有限位槽，所述限位槽的顶端装设有连接底座该单晶硅锭切割设备，抽风机通过分隔板和透气网格将灰尘吸附净抽风机内，灰尘会被过滤板内部的过滤棉和透气板过滤掉，第二伺服电机带动第一齿轮进行转动，第一齿轮通过齿条带动连接底座在单晶硅锭切割设备主体的表面滑动，增加动时的稳定性，滑动块带动夹持块向内侧移动夹持住单晶硅锭，使单晶硅锭切割时更加稳定。
一种单晶硅切割设备

[发明专利]一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法-CN201210514737.6有效
发明人：俞骁;李铁;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法，先于（111）晶面型硅片上制作抗氧化掩膜并形成掩膜窗口；采用ICP刻蚀法，将单晶硅刻蚀至一预设深度；对各该掩膜窗口下方的单晶硅进行各向异性湿法腐蚀，形成上下表面为六边形的多个腐蚀槽，相邻两腐蚀槽的侧壁间形成单晶硅薄壁；利用自限制氧化工艺进行热氧化，于所述单晶硅薄壁顶部中央区域形成单晶硅纳米线；去除抗氧化掩膜及氧化硅，形成单晶硅纳米线网状阵列结构。本发明工艺简单高效，核心步骤仅涉及常规光刻、腐蚀工艺，抗氧化掩膜和各向异性腐蚀，在常规的掩膜版制备条件和光刻条件下，利用（111）晶面型硅片内的晶面分布特点，可在硅片上制作大规模的单晶硅纳米线组合图形。
一种单晶硅纳米网状阵列结构制作方法

[发明专利]一种检测单晶硅棒长度和斜度的装置及其检测方法-CN202111077852.7有效
发明人：朱焕焕;万文义 -专利权人：邳州千润模具有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测单晶硅棒长度和斜度的装置及其检测方法，属于单晶硅棒检测技术领域。一种检测单晶硅棒长度和斜度的装置，包括底座，还包括：滑动连接在所述底座上的第一安装板；固定连接在所述第一安装板侧壁的第二安装板；本发明通过四根安装杆将单晶硅棒夹住，使中心杆的轴线与单晶硅棒的轴线处于同一条直线，通过使两根中心杆与单晶硅棒两端的端面中心点相抵，快速准确的测量出单晶硅棒的长度，然后使安装筒转动，使测量杆转动，对单晶硅棒端面进行整体测量，快速测量出多组数据，从中取出最大值，利用最大值减去测量杆端点与中心杆之间的初始角度得出精确的斜度数值
一种检测单晶硅长度斜度装置及其方法

[发明专利]表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片的清洗方法-CN201910740055.9有效
发明人：潘连胜;卞梁 -专利权人：锦州神工半导体股份有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：一种表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片的清洗方法，将表面沉积有氮化铝薄膜的单晶硅垫片放入氢氟酸与超纯水配制的清洗液中，向清洗液中鼓氮，并在室温下进行腐蚀清洗后，用超纯水冲洗；继续在室温下对单晶硅垫片使用兆声波清洗机在HCl、H2O2和去离子水配制的清洗液中清洗后，用超纯水冲洗；再将单晶硅垫片放入氢氟酸与超纯水配制的清洗液中，向清洗液中鼓氮，并在室温下进行腐蚀清洗后，用超纯水冲洗；最后使用氮气风刀吹干单晶硅垫片。该清洗方法清洗效率高、工艺控制性能好，可以清除单晶硅垫片表面的氮化铝，刻蚀选择比高，减少了单晶硅垫片在清洗过程中损失，延长了单晶硅垫片的使用寿命。
表面沉积氮化薄膜单晶硅垫片清洗方法

[实用新型]切断装置-CN201020696816.X有效
发明人：秦洪强;刘学;杨长剑;陈斯奇;乔晓东 -专利权人：浙江昱辉阳光能源有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： B28D1/06 文献下载
摘要：基准板机构的基准面可以检测单晶硅棒经切断锯条切断后产生的端面是否是斜面，如果检测到有斜面产生可以通过调整夹具，使单晶硅棒与切断锯条保持垂直，防止再次切断单晶硅棒时斜面的产生。如果检测到没有斜面产生时，将单晶硅棒的端面与基准板机构的基准面对齐保证单晶硅棒的端面与基准面之间没有间隙，再调整夹具夹紧单晶硅棒，然后切断单晶硅棒，因此，该切断装置可以有效的避免切断时斜面的产生，提高了单晶硅棒的切断生产效率
切断装置

[实用新型]一种单晶硅分选烘干装置-CN201821005257.6有效
发明人：陈春成;戚建静 -专利权人：江苏晶品新能源科技有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： B07B1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅生产制造技术领域，且公开了一种单晶硅分选烘干装置，包括分选筒，分选筒底端的两侧分别与两个支撑腿的顶端固定连接，右侧支撑腿背面的中部与固定架Ⅰ的正面固定连接，固定架Ⅱ的顶端与驱动电机的底板固定连接该单晶硅分选烘干装置，通过鼓风机与电热管的配合，便于更好的采用热吹风的方式对单晶硅表面的结露进行烘干，从而解决了在单晶硅的生产过程由于环境的潮湿常常会使单晶硅的表面结露，导致在生产时影响了单晶硅圆片质量的问题，有效的提高了单晶硅生产时的质量，降低了企业生产过程中的报废率。
单晶硅烘干装置分选单晶硅生产驱动电机主动齿轮分选筒固定架支撑腿底板啮合企业生产过程本实用新型单晶硅表面单晶硅圆片鼓风机从动齿轮内部固定生产过程正面固定报废率表面结电热管热吹风输出轴烘干结露套接潮湿配合制造生产

[实用新型]一种单晶硅边皮料打磨除胶装置-CN202020522558.7有效
发明人：尹长浩 -专利权人：尹长浩
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： B24B27/033 文献下载
摘要：一种单晶硅边皮料打磨除胶装置，该装置包括机架，机架上转动安装有用于对单晶硅边皮料进行输送的输送装置，在输送装置的一侧安装有若干用于对单晶硅边皮料的带胶端面进行打磨除胶的打磨组件，打磨组件的打磨头处于单晶硅边皮料的带胶端面的侧部；若干打磨组件的打磨头设置在不同高度；所述输送装置上还安装有用于防止单晶硅边皮料在打磨时移动的下压组件，下压组件包括横向转动安装在输送装置上的支撑杆，支撑杆上转动安装有若干用于从上方对单晶硅边皮料进行滚压的辊棒该装置能够对单晶硅边皮料进行连续、高效打磨除胶，并且砂轮与单晶硅边皮料的带胶端面的接触压力可调节，安全可靠，打磨效果好。
一种单晶硅边皮料打磨装置

[实用新型]一种单晶硅棒盛放架-CN201921613418.4有效
发明人：蔡建名 -专利权人：扬州方通电子材料科技有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： B62B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅棒盛放架，包括推车底座和支撑板，所述的两个支撑板之间设有至少两组伸出板，所述的支撑板设有盛放架板，所述的盛放架板两端设有滑轮架，所述的滑轮架下端设有滑轮，所述的滑轮置于轨道一中，所述的盛放架板上设有若干单晶硅棒槽，所述的单晶硅棒槽底部中间位置设有轨道二，所述的轨道二中滑动连接设有连接块，所述的连接块上设有U型板，本实用新型与现有技术相比的优点在于：将盛放架板拉出，然后将U型板推至单晶硅棒槽的前端，使单晶硅棒的后端放在U型板上，推动单晶硅棒即可使单晶硅棒放入盛放架中，并且架体的前后两端设有连接头，方便多个单晶硅棒盛放架连接运输。
一种单晶硅盛放

[实用新型]一种用于大直径单晶硅切割定位的治具-CN202022159380.7有效
发明人：刘亮;穆光裕 -专利权人：辽宁中电科半导体材料有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于大直径单晶硅切割定位的治具，包括底座，所述底座的表面开设有弧形槽，所述弧形槽的内壁两侧均开设有凹槽，所述凹槽的内壁固定装配有传送带，所述传送带的表面与弧形槽的内壁处于同一平面，所述底座的表面两侧均开设有盲孔通过弧形槽和传送带的配合，需要对单晶硅移动时，传送带带动大直径的单晶硅进行移动，移动过后，在弧形槽的作用下单晶硅还是位于底座上中间的位置，再次对单晶硅进行固定，便于快速的定位，方便进行切割，在弹簧的作用下顶杆贴合到单晶硅的外壁上，通过多个顶杆的限位能够对不同尺寸的单晶硅进行固定，灵活性能强，适用范围广泛，方便对大直径的单晶硅进行切割，省时省力。
一种用于直径单晶硅切割定位

[实用新型]一种单晶硅压力变送器-CN202222794661.9有效
发明人：吕海永;张景依;陈玉林;丁伟勇;吕海军 -专利权人：浙江科星自控设备有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅压力变送器技术领域，且公开了一种单晶硅压力变送器，包括单晶硅压力变送器主体和单晶硅压力变送器主体一侧部设置的变送器显示屏，所述单晶硅压力变送器主体远离变送器显示屏的一侧固定有环形结构的对接筒，所述单晶硅压力变送器主体远离变送器显示屏的一侧还固定有环形结构的内筒体，所述对接筒远离单晶硅压力变送器主体的一侧设置有可与对接筒进行连接的盖板机构。本实用新型相较于对比文件，在侧盖板与单晶硅压力变送器主体的结合处采用强度更高的密封结构，侧盖板与对接筒对接时会使对接筒插入至连接副槽的内部，同时锁紧环板插入至连接主槽的内壁，并搭配侧盖板内壁的密封条，可具有更高的密封强度
一种单晶硅压力变送器