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[发明专利]具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法-CN201680032098.6有效
发明人：秋山昌次;川合信 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合晶片及制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法，其至少包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体照射可见光，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
具备氧化物薄膜复合晶片制造方法

[发明专利]具备氧化物单晶薄膜的复合晶片及其制造方法-CN201680031978.1有效
发明人：秋山昌次;川合信 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面无破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体的离子注入层赋予机械冲击的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
具备氧化物薄膜复合晶片及其制造方法

[发明专利]具备氧化物单晶薄膜的复合晶片的制造方法-CN201680032041.6有效
发明人：秋山昌次;川合信 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体赋予超声波振动，沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
具备氧化物薄膜复合晶片制造方法

[发明专利]具备氧化物单晶薄膜的复合晶片及其制造方法-CN201680033205.7有效
发明人：秋山昌次;川合信 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种复合晶片及制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法，其至少包括：在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在接合体的至少一个表面具备具有比氧化物单晶晶片小的热膨胀系数的保护晶片的工序；以及以80℃以上的温度对具备保护晶片的接合体进行热处理的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
具备氧化物薄膜复合晶片及其制造方法

[发明专利]复合基板、纳米碳膜的制作方法和纳米碳膜-CN202010233868.1在审
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;川合信;小西繁;茂木弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及复合基板、纳米碳膜的制作方法和纳米碳膜。本发明提供一种纳米碳膜形成用复合基板的制造方法，其中，从单晶碳化硅基板的表面注入离子以形成离子注入区域，在该单晶碳化硅基板的离子注入面、以及操作基板的与单晶碳化硅基板贴合的表面分别形成薄膜，使得这些薄膜的合计膜厚为2nm以上且1μm以下，接着，将所述单晶碳化硅基板的离子注入面上的薄膜与操作基板上的薄膜贴合后，在所述离子注入区域剥离单晶碳化硅基板，使单晶碳化硅薄膜转印到操作基板上，进而对该单晶碳化硅薄膜进行研磨，从而获得的纳米碳膜形成用复合基板。
复合纳米制作方法

[发明专利]复合基板-CN201580009375.7有效
发明人： 川合信;小西繁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及复合基板，是在热导率为5W/m·K以上并且体积电阻率为1×10⁸Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板11的至少表面具有单晶半导体薄膜13的复合基板，其中，在上述无机绝缘性烧结体基板11和单晶半导体薄膜13之间具有由多晶硅或非晶硅构成的硅被覆层12。根据本发明，即使是在对于可见光为不透明、导热性良好、而且高频区域中的损失小、并且价格低的陶瓷烧结体上设置了单晶硅薄膜的复合基板，也可以抑制来自烧结体的金属杂质污染，使特性提高。
复合

[发明专利]混合基板的制造方法和混合基板-CN201480024384.9有效
发明人：飞坂优二;秋山昌次;久保田芳宏;川合信;永田和寿 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。
混合制造方法

[发明专利]SOS基板的制造方法和SOS基板-CN201380039471.7有效
发明人：小西繁;久保田芳宏;川合信;秋山昌次;永田和寿 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。
sos 制造方法基板

[发明专利]纳米碳膜的制造方法及纳米碳膜-CN201380053732.0有效
发明人： 川合信;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：涉及可便宜地制造无缺陷的纳米碳膜的、使用混合基板的纳米碳膜的制造方法，其特征在于，自单晶的碳化硅基板的表面注入离子而形成离子注入区域，将上述碳化硅基板的经离子注入的表面与基底基板的表面贴合，随后在上述离子注入区域使碳化硅基板剥离而制造在基底基板上转印有包含单晶的碳化硅的薄膜的混合基板，接着加热该混合基板使硅原子从上述包含单晶的碳化硅的薄膜升华，得到纳米碳膜。
纳米制造方法

[发明专利]复合基板-CN201280063158.2有效
发明人：小西繁;久保田芳宏;川合信 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种复合基板，具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×10⁸Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜，或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明，可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体，提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。
复合

[发明专利]半导体衬底的制造方法-CN201510117172.1在审
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;飞坂优二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2007-11-12 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。
半导体衬底制造方法

[发明专利]放热基板及其制造方法-CN201380024083.1在审
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;川合信 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及放热基板，其特征在于，是由2层组成的复合基板，表层(第一层)1由单晶硅构成，处理基板(第二层)2由热导率比第一层高的材料构成，本发明涉及的放热基板给予高的放热性。
放热及其制造方法

[发明专利]贴合晶片的制造方法-CN201080019226.6无效
发明人： 川合信;飞坂优二;秋山昌次 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种贴合晶片的制造方法，在操作基板的热膨胀系数比施主基板大的情况下，也可以进行剥离，而不会在基板上产生裂纹。所述制造方法至少包括下述步骤：从施主基板(3)的表面向所述施主基板(3)注入离子，形成离子注入界面(5)；在所述施主基板(3)的已经注入了离子的表面上，贴合热膨胀系数比所述施主基板(3)大的操作基板(7)，制成贴合基板；对所述贴合基板进行热处理，制成接合体(1)；和当所述接合体(1)由冷却装置(20)冷却到室温以下的温度后，在所述离子注入界面上剥离所述接合体(1)的所述施主基板(3)，将施主膜转印到所述操作基板(7)上。
贴合晶片制造方法

[发明专利]转印有硅薄膜的绝缘性晶片的制造方法-CN200980116731.X有效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏;伊藤厚雄;川合信;田中好一;飞坂优二;野岛义弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种SOI晶片的制造方法，上述方法可防止由绝缘性基板和SOI层的热膨胀系数的差异引起的热应力、剥离、裂缝等问题的产生，同时改善SOI层的膜厚均一性。上述SOI晶片的制造方法包含以下工序：对绝缘性晶片的表面及具有氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序；将氢离子注入面与绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的工序；将贴合晶片在第1温度进行热处理的工序；为了降低贴合晶片中单晶硅晶片的厚度，对贴合晶片中单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序；将贴合晶片在高于第1温度的第2温度下进行热处理的工序；通过对贴合晶片中的氢离子注入层施以机械性冲击，将氢离子注入层进行剥离的工序。
印有薄膜绝缘性晶片制造方法

[发明专利]贴合基板的制造方法-CN200980112677.1有效
发明人：飞坂优二;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;秋山昌次;田村博 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-04-10 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造贴合基板的方法，所述基板在整个基板表面、特别是贴合终端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序。
贴合制造方法

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