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[发明专利]单晶硅位错腐蚀剂及检测方法-CN201310576502.4有效
发明人：王新强;邓浩;马自成 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅位错腐蚀剂，由氢氟酸、硝酸和缓释剂组成，所述缓释剂为硼酸溶液。该单晶硅位错腐蚀剂能腐蚀出低密度位错，且无刺激性气味，环境友好。本发明单晶硅位错检测方法为将待检测的单晶硅浸入单晶硅位错腐蚀剂中进行腐蚀，方法简单，检测效果好。
单晶硅腐蚀剂检测方法

[发明专利]类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭-CN201911357098.5在审
发明人：陈伟;王万胜;李林东;王全志;陈志军;丁云飞 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭，包括：在坩埚底部铺设籽晶层形成引晶层；在籽晶层上方装填硅料至坩埚的1/3至2/3高度之间；将磷合金铺设至硅料上形成掺杂层；继续装填硅料装至坩埚顶部；将坩埚装入铸锭炉，并将铸锭炉抽真空且在氩气保护下加热使硅料熔化；采用定向凝固法使硅料长晶直至形成类单晶硅锭。本发明类单晶硅锭的制备方法及类单晶硅锭可保证磷合金全部融化均匀地扩散至硅料中，从而提升类单晶硅锭的品质。
单晶硅制备方法

[发明专利]一种用于图像传感器的形成方法及图像传感器-CN202110023544.X在审
发明人：李杰;赵立新 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于图像传感器的形成方法及图像传感器，该方法至少包括：提供单晶硅衬底；于所述单晶硅衬底上形成第一凹槽；以单晶硅作为阻挡，对所述单晶硅衬底进行离子注入，于所述第一凹槽下方的单晶硅衬底中形成第一离子掺杂区域通过利用单晶硅为阻挡层进行离子注入，于半导体衬底中形成具有较深的离子掺杂区，可以形成具有小像素的图像传感器。
一种用于图像传感器形成方法

[发明专利]单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法-CN202011392014.4有效
发明人：铃木洋二 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：提供单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法，该评价方法可简便且精度良好地评价从极低氧、氮掺杂单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的好坏。对从极低氧、氮掺杂单晶硅锭采集的晶片状试样或纵切试样的表面实施铜装饰处理和随后的Wright蚀刻处理或Secco蚀刻处理。然后，观察所述表面，基于所述表面上显现的缺陷的有无和存在区域，评价从所述单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的好坏。
单晶硅晶片氧化耐压评价方法

[实用新型]一种运输托盘-CN201220393725.8有效
发明人：孙昭;郭博涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： B65D85/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种运输托盘，用于运输单晶硅棒，包括支撑块，其还包括：设置在所述支撑块上的安装板；设置在所述安装板上以支撑所述单晶硅棒的多个凸块，多个所述凸块均具有相互配合以卡放所述单晶硅棒的凹槽。本实用新型提供的运输托盘，在安装板上设置了凸块，以对单晶硅棒进行定位，使得单晶硅棒无法晃动，进而避免了单晶硅棒因相互碰撞而造成损害，保证了运输的安全性。
一种运输托盘

[实用新型]一种新型单晶硅棒-CN201220090673.7有效
发明人：杜振刚 -专利权人：杜振刚
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型单晶硅棒，包括单晶硅棒、导向条、连接缝和底座，所述单晶硅棒有若干个，通过树脂黏粘在一起，所述相邻两个单晶硅棒之间有连接缝，所述单晶硅棒顶部有两条平行的导向条，所述单晶硅棒通过树脂与底座连接在一起
一种新型单晶硅

[实用新型]一种双棒式单晶硅棒开方机-CN201921398660.4有效
发明人：张天泽;郑家坤 -专利权人：大连昊霖智能装备有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种双棒式单晶硅棒开方机，包括用于同时测量两根单晶硅棒长度及晶线方向的上料台、用于同时夹取两根单晶硅棒的机械手夹运装置、用于同时夹持两根单晶硅棒的夹持装置，以及用于同时切割加工两根单晶硅棒的切割头本发明能够同时对两根单晶硅棒进行同时加工，而且线速快，加工效率高，是传统工开方机效率的2倍。
一种双棒式单晶硅开方

[发明专利]超薄绝缘体上硅（SOI）衬底基片及其制备方法-CN202110312120.5在审
发明人：季明华;张汝京;林志高;苏崇文 -专利权人：青岛昇瑞光电科技有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种超薄绝缘体上硅(SOI)衬底基片及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供一单晶硅背衬底，并在单晶硅背衬底的上表面形成具有第一厚度的埋氧化层；刻蚀埋氧化层，并形成贯穿该埋氧化层的窗口，该窗口暴露出单晶硅背衬底的部分上表面；以单晶硅背衬底为籽晶，并沿窗口生长出具有第二厚度的单晶硅层；单晶硅层覆盖埋氧化层的上表面以及窗口，且晶向与单晶硅背衬底的晶向相同。本申请的SOI衬底基片具有薄的埋氧化层和单晶硅层，其能够通过改善短沟道效应来减小阈值电压变异性，以增强衬底基片的稳定性。另外，埋氧化层和单晶硅层均具有良好的厚度均匀性，其能够减小由厚度不均匀所导致的阈值电压变异性。
超薄绝缘体 soi 衬底及其制备方法

[发明专利]多晶硅检测采样设备-CN201710090785.X在审
发明人：陈湘伟;尹祚鹏;刘晓霞;王桃霞 -专利权人：江苏协鑫软控设备科技发展有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅检测采样设备，包括：支架；竖直固定于所述支架上的容纳管，用以容纳颗粒硅料，所述容纳管具有上端口；位于所述容纳管内的籽晶夹头以及一端连接于所述籽晶夹头、并由所述上端口延伸至所述容纳管外的上轴，所述籽晶夹头用以夹持单晶硅籽晶，使单晶硅籽晶位于所述颗粒硅料的上方；设置于所述容纳管的外侧壁、且对应所述单晶硅籽晶所在位置的加热机构，用于对所述单晶硅籽晶进行加热，使单晶硅籽晶的下端面熔融成液滴状，以将与单晶硅籽晶的下端面接触的颗粒硅料吸附至单晶硅籽晶的表面上述多晶硅检测采样设备能够使对颗粒硅料进行提样，以备后续对该颗粒硅料进行纯度检测。
单晶硅籽晶颗粒硅容纳管采样设备籽晶夹头多晶硅上端口下端面支架检测纯度检测加热机构竖直固定一端连接外侧壁成液滴状夹持熔融上轴吸附加热容纳延伸

[实用新型]多晶硅检测采样设备-CN201720152723.2有效
发明人：陈湘伟;尹祚鹏;刘晓霞;王桃霞 -专利权人：江苏协鑫软控设备科技发展有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅检测采样设备，包括支架；竖直固定于所述支架上的容纳管，用以容纳颗粒硅料，所述容纳管具有上端口；位于所述容纳管内的籽晶夹头以及一端连接于所述籽晶夹头、并由所述上端口延伸至所述容纳管外的上轴，所述籽晶夹头用以夹持单晶硅籽晶，使单晶硅籽晶位于所述颗粒硅料的上方；设置于所述容纳管的外侧壁、且对应所述单晶硅籽晶所在位置的加热机构，用于对所述单晶硅籽晶进行加热，使单晶硅籽晶的下端面熔融成液滴状，以将与单晶硅籽晶的下端面接触的颗粒硅料吸附至单晶硅籽晶的表面上述多晶硅检测采样设备能够使对颗粒硅料进行提样，以备后续对该颗粒硅料进行纯度检测。
多晶检测采样设备

[发明专利]单晶硅晶棒的取棒装置-CN201110455272.7无效
发明人：汤仁兴 -专利权人：汤仁兴
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅晶棒的取棒装置，属于单晶硅的生产制造设备技术领域，其特征在于：它包括机架（1）和升降杆（3），所述机架（1）上固定有上下两块夹持板（2），所述升降杆（3）穿过两块夹持板（2）上的通孔这种单晶硅晶棒的取棒装置将机架放置于单晶炉旁的地面上后，用钳子夹住单晶硅晶棒的上部，松开两块夹持板，并用油缸推动升降杆上升，从而取出单晶硅晶棒。能方便地将单晶硅晶棒取出，并且可以保证操作人员的完全，同时取出晶棒时不会抖动，使得单晶硅晶棒在被取出的过程中不会碰到单晶炉，从而保证了单晶硅晶棒的质量。
单晶硅装置

[发明专利]一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒-CN202111411291.X有效
发明人：宋振亮;宋少杰 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种单晶硅棒的拉制方法及单晶硅棒；所述拉制方法包括：在单晶硅棒的等径生长初始阶段，设置水平磁场的起始高度高于硅熔液的自由表面；在所述单晶硅棒的等径生长过程中，通过改变所述水平磁场对所述硅熔液对流的控制强度以使得所述单晶硅棒沿轴向自头部至尾部方向上的氧浓度呈下降趋势
一种单晶硅拉制方法

[发明专利]自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法-CN202211688041.5在审
发明人：华亚平;苏佳乐 -专利权人：安徽芯动联科微系统股份有限公司;北京芯动致远微电子技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种自对准多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极及其制造方法，通过在单晶硅圆片上刻蚀多个深槽、氧化单晶硅圆片、淀积多晶硅的方法，形成多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极，单晶硅晶格完美、物理特性好，可用于制造可动电极和功能结构；多晶硅固定在单晶硅固定柱上作为固定电极。单晶硅可动电极和多晶硅固定电极通过一次光刻/刻蚀的图形决定，实现自对准，电极间水平方向的电极间距由二氧化硅层的厚度决定，本发明的多晶硅单晶硅混合MEMS垂直电极具有尺寸精度高、加工重复性好、性能一致性好
对准多晶单晶硅混合 mems 垂直电极及其制造方法

[发明专利]一种单晶硅材料及其在制备异形件中的用途-CN202111287350.7在审
发明人：吕金虎 -专利权人：东海县太阳光新能源有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅材料及其在制备异形件中的用途，属于单晶硅材料技术领域，具体涉及一种单晶硅材料的制备方法，将单晶硅片分别采用氧化清洗液、氢氟酸清洗液及腐蚀液进行浸泡处理制备得到金字塔微结构绒面单晶硅材料；单晶硅片经浸泡处理后均采用去离子水冲洗；腐蚀液中含有碳酸钾、氟化钾和1H‑吡唑‑3‑基尿素。本发明进一步在银纳米粒子存在的条件下，使用含有氢氟酸和双氧水的催化腐蚀液对金字塔微结构绒面单晶硅材料进行腐蚀处理及除银处理得到金字塔型纳米多孔单晶硅材料。
一种单晶硅材料及其制备异形中的用途

[发明专利]单晶硅的培育方法-CN201880063993.3在审
发明人：星亮二 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的培育方法，其为利用CZ法培育高电阻率单晶硅的方法，该培育方法中，培育所述单晶硅时，计算有助于所述单晶硅的目标电阻率的掺杂剂浓度的1/3的值，以使施主所造成的载流子浓度变化量为所述计算值以下的方式，设定培育条件以控制培育的单晶硅中的轻元素杂质的浓度，并基于该设定的培育条件来培育具有所述目标电阻率的单晶硅，所述施主起因于可能在制造器件时形成于培育后的所述单晶硅中的所述轻元素杂质。由此，提供一种即使经过器件工序也能够抑制产生起因于轻元素杂质的施主、且能够抑制偏离目标电阻率的变化量的高电阻率单晶硅的培育方法。
单晶硅培育方法