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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池-CN200810083479.4无效
发明人：伊藤厚雄;秋山昌次;川合信;田中好一;飞坂优二;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。
单晶硅太阳能电池制造方法

[实用新型]单晶硅棒转移设备-CN201720265887.6有效
发明人：孙明祥 -专利权人：浙江好亚能源股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅棒转移设备，包括车架和车轮，车架上具有适于横向容纳单晶硅棒的容纳腔，该容纳腔具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，容纳腔顶部设有供单晶硅棒放入的敞口；容纳腔内部设有用于对单晶硅棒限位的限位机构，限位机构包括限位板和限位弹簧，第一侧壁上固定有铰接座，限位板的上端与所述铰接座铰接，限位板正面具有适于与单晶硅棒相抵的抵压部，限位弹簧的两端分别与限位板的背面和第一侧壁相连，单晶硅棒放入容纳腔后，在限位弹簧的作用下限位板上的抵压部与第二侧壁相配合对单晶硅棒夹持限位该转移设备能快捷有效的实现对单晶硅棒定位，并满足多种尺寸的单晶硅棒规格，保证了单晶硅棒在转移过程中的稳定性。
单晶硅转移设备

[实用新型]一种电容式压力传感器-CN201821995592.5有效
发明人：缪建民;姚运强 -专利权人：华景传感科技(无锡)有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：该电容式压力传感器包括：单晶硅衬底，所述单晶硅衬底包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域；所述第一区域设置有绝缘层和单晶硅层，所述绝缘层设置于所述单晶硅层邻近所述单晶硅衬底的一侧；所述单晶硅层表面设置有多个通孔，所述绝缘层与所述多个通孔对应的区域形成有贯穿所述绝缘层的凹槽，使所述单晶硅层、所述单晶硅衬底和所述绝缘层之间形成空腔；所述通孔内填充有金属层；所述单晶硅层远离所述绝缘层的表面设置有第一金属电极；所述单晶硅衬底的所述第二区域设置有第二金属电极
绝缘层单晶硅衬底单晶硅层电容式压力传感器第一区域通孔本实用新型第二区域金属电极单晶硅层表面表面设置区域形成压力检测金属层空腔填充邻近贯穿

[实用新型]一种单晶硅高通量微针结构-CN201920463684.7有效
发明人：蔡晓雨 -专利权人：苏州泽矽能电子科技有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶硅高通量微针结构，包括单晶硅衬底、单晶硅微针针体阵列和通量孔，所述单晶硅微针针体阵列均匀分布在所述单晶硅衬底上表面，所述通量孔为单个或多个，贯穿设置于所述单晶硅衬底上，所述通量孔和所述单晶硅微针针体阵列互不干涉，所述单晶硅微针针体阵列中的微针针体为实心针体，所述实心针体轴线与单晶硅衬底表面垂直，所述实心针体为圆锥状或多棱锥状，所述单晶硅微针针体阵列排布形式为蜂窝型、方型或三角型中的一种。
单晶硅微针针体阵列实心针通量高通量衬底本实用新型衬底上表面衬底表面持续提供互不干涉排布形式微针结构一致性好成品率多棱锥蜂窝型贯通孔体轴线圆锥状方型皮下针体垂直贯穿加工

[实用新型]一种单晶硅棒加工用表面处理装置-CN202122243769.4有效
发明人：吴宝佳;江志荣;陆沁 -专利权人：江苏宇太光伏科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶硅棒加工用表面处理装置，属于单晶硅棒加工技术领域，包括底板，底板的顶部通过支撑柱固定连接有盖板，底板的顶部转动连接有第一转轴，第一转轴的顶部固定连接有打磨盘，打磨盘的上侧设置有单晶硅棒，支撑柱的底部固定连接有两个安装板，两个安装板上分别设置有转动组件和压紧组件，底板上设置有驱动组件，驱动组件用于同时驱动打磨盘和转动组件工作，压紧组件用于保证单晶硅棒能够稳定转动，利用弹簧自身的弹性，自动压紧单晶硅棒，利用打磨盘对单晶硅棒的表面进行打磨，单晶硅棒转动配合，实现均匀打磨单晶硅棒的圆周表面，提高打磨速度，且可以在打磨时移动单晶硅棒移动，可以均匀的打磨单晶硅棒的表面，提高加工效率。
一种单晶硅工用表面处理装置

[发明专利]硅外延片-CN200810095543.0有效
发明人：保科祐章;田中纪通 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延片，具有单晶硅基片，形成于该单晶硅基片的背面的硅氧化膜，以及形成于上述单晶硅基片的主表面上的硅外延层，其特征是，从上述单晶硅基片的上述背面延续到该单晶硅基片的外周部的至少最外缘的外周氧化膜
外延

[发明专利]一种单晶硅棒的制造方法-CN202010949545.2有效
发明人：涂准;陈立军;邓浩 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种单晶硅棒的制造方法，包括：加热融化坩埚中的混合硅料，得到混合硅液，混合硅料包括掺杂剂和多晶硅料，混合硅液用于拉制N根单晶硅棒；在拉制第N根单晶硅棒时，在所述差值大于预设值的情况下，计算混合硅液的重量与埚底料的重量的差值；按照第一拉晶参数在混合硅液中执行第一次拉晶操作，得到预设长度的第一段单晶硅棒；按照第二拉晶参数执行第二次拉晶操作，在第一段单晶硅棒上续接第二段单晶硅棒，得到目标长度的第一单晶硅棒本实施例根据掺杂剂的分凝效应，在拉制第N根单晶硅棒时，分为两段进行拉晶操作，每次拉晶操作对应设置合理的拉晶参数，以使拉晶得到的第一段单晶硅棒和第二段单晶硅棒都可以被利用。
一种单晶硅制造方法

[发明专利]晶体硅及其制备方法-CN201310178470.2有效
发明人：武鹏;胡亚兰;游达;郑玉芹;徐岩;郑循强 -专利权人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体硅的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部中央铺设填充料，在填充料上铺设单晶硅籽晶，形成单晶硅籽晶层，在填充料和单晶硅籽晶层的四周铺设多晶硅块，形成多晶硅籽晶层；在单晶硅籽晶层和多晶硅籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制坩埚内的温度，在单晶硅籽晶层熔化10%～90%时进入长晶阶段；控制长晶时的温度，在垂直于坩埚底部方向形成由下向上逐步升高的温度梯度，使熔化的硅液沿单晶硅籽晶的晶向方向定向凝固，得到中间为单晶硅边缘为多晶硅的晶体硅，上述方法减少了单晶硅籽晶的用量，提高了边缘硅片的转换效率。还提供了一种通过该方法制得的晶体硅。
晶体及其制备方法

[发明专利]一种低反射率单晶硅及其制绒方法-CN202210584182.6在审
发明人：李玉琼;陈立航;郑宣 -专利权人：重庆臻宝实业有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及涉及一种低反射率单晶硅及其制绒方法，属于光电核心材料制备领域。本发明通过将单晶硅置于40‑80℃的制绒液中，在10K‑60K Hz的超声功率下，处理2‑40Min；处理期间单晶硅在制绒液中以100‑1000r/min的转速旋转。在本发明中通过控制单晶硅的旋转使单晶硅与制绒液均匀接触，并实现单晶硅与制绒液接触面处制绒液浓度控制和温度控制；另外，在超声处理的作用下能避免在单晶硅表面形成“掩膜”。通过本发明制备得到一种表面密布椭球型结构且椭球型结构表面遍布沟壑的低反射率单晶硅。
一种反射率单晶硅及其方法

[发明专利]磁控装置-CN202310769799.X在审
发明人：陈松松;魏星;刘文凯 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01F7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控装置，包括：线圈组件；线圈组件用于套设于单晶硅设备外侧，线圈组件沿单晶硅设备的轴向可移动；线圈组件包括多个主线圈，多个主线圈沿单晶硅设备的周向排布，其中，主线圈产生的磁场沿单晶硅设备径向分量强度大于其沿单晶硅设备的轴向分量强度如此配置，主线圈产生的磁场沿单晶硅设备的径向分量强度大于其沿单晶硅设备的轴向分量强度，使得磁场的径向分量强度得以提升，能够有效抑制熔体边缘自然对流，并灵活控制晶体中的氧、碳等杂质含量和径向均匀性；此外，线圈组件沿单晶硅设备的轴向可移动，进一步提升了磁控装置的实用性和灵活性。
装置

[发明专利]单晶硅太阳能电池及其制作方法-CN201210529857.3有效
发明人：杨瑞鹏;张开军;付建明;温显 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳能电池及其制作方法，所述单晶硅太阳能电池的制作方法包括：提供基片；在所述基片的上表面形成SiGe虚拟衬底；在所述SiGe虚拟衬底上形成第二掺杂类型单晶硅层；在所述第二掺杂类型单晶硅层表面形成应力层，所述应力层的应力类型与第二掺杂类型单晶硅层的掺杂类型相对应；在所述应力层表面形成第一电极；在所述基片的下表面形成第二电极。所述单晶硅太阳能电池的制作方法能够有效提高单晶硅太阳能电池中载流子的迁移率，提高单晶硅太阳能电池的转换效率。
单晶硅太阳能电池及其制作方法

[发明专利]单晶硅太阳能电池-CN201210493308.5无效
发明人：曾宏;林国勇 -专利权人：宁波贝达新能源科技有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅太阳能电池，包括有绝缘基板，透明粘结胶层及单晶硅层；所述透明粘结胶层和单晶硅层各包括有两层，所述绝缘基板上设置有第二层透明粘结胶层，第二层透明粘结胶层上设置有第二层单晶硅层，在第二层单晶硅层上设置有第一层透明粘结胶层，在第一层透明粘结胶层上设置有第一层单晶硅层；在第一层单晶硅层和第二层单晶硅层的背对光源的侧面设置有电引出导线。
单晶硅太阳能电池

[发明专利]制作腔体的方法与缩减微机电元件的尺寸的方法-CN200510114001.X无效
发明人：黄德昌;林弘毅;徐文祥 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：该方法包括首先提供一单晶硅基底，且单晶硅基底包含有位于该单晶硅基底的正面的一隔膜。接着进行一第一阶段各向异性干蚀刻工艺，由单晶硅基底的背面蚀刻单晶硅基底以形成一对应该隔膜的开口，且单晶硅基底的蚀刻停止于单晶硅基底中的一沿该隔膜的边缘延伸的特定晶面上。随后进行一第二阶段各向异性湿蚀刻工艺，并沿特定晶面蚀刻单晶硅基底直至暴露出隔膜以形成一腔体，且腔体具有一类钻石结构形状。
制作方法缩减微机元件尺寸

[实用新型]一种高透光率单晶硅太阳能电池板-CN201320713967.5有效
发明人：梁坚;许国其;庄伟伟 -专利权人：江苏天宇光伏科技有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L31/049 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高透光率单晶硅太阳能电池板，所述电池板包括有单晶硅电池、背板，所述背板连接在单晶硅电池底面，所述电池板还包括有超白钢化玻璃、铝材边框，所述超白钢化玻璃连接在单晶硅电池上面的，所述超白钢化玻璃透光率为%，所述铝材边框套在所述太阳能电池板四周，本实用新型不但有效的保护了单晶硅太阳能电池板的发电主体单晶硅电池，而且减轻了单晶硅太阳能电池板重量，节约了能源，降低了成本，并将单晶硅太阳能电池的透光率提高至97%
一种透光率单晶硅太阳能电池板

[实用新型]一种单晶硅加工设备的状态监控装置-CN202122559010.7有效
发明人：薛佳伟;王海军;薛佳勇 -专利权人：天津众晶半导体材料有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：一种单晶硅加工设备的状态监控装置，包括信号采集器、网关装置和远端电脑，单晶硅加工设备包括有主控制器、主电机和时间计数器，所述单晶硅加工设备主电机的交流接触器的采集端子的输出端、单晶硅加工设备的主控制器上的保养按钮、单晶硅加工设备的时间计数器分别与信号采集器连接，所述的信号采集器与网关装置连接，所述的网关装置与远端电脑连接；所述单晶硅加工设备的时间计数器上设置有蜂鸣器。通过信号采集器采集单晶硅加工设备的运行状态，使得管理人员不用到生产现场就能够随时掌握单晶硅加工设备的运行状态，方便指挥和调度。
一种单晶硅加工设备状态监控装置

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