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[发明专利]N型单晶硅晶圆的制造方法-CN202180067920.3在审
发明人：阵祐徹宽;竹安志信;添田聪 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明是一种N型单晶硅晶圆的制造方法，包含从通过CZ法掺杂Al而制造出的N型单晶硅的块切取晶圆的步骤，其特征在于，预先求出所述N型单晶硅的寿命值、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆为止的天数、有无产生OSF之间的关系，基于所述关系确定关于所述N型单晶硅的所述块的、在切取出的所述晶圆中不产生OSF的、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆的最长保管天数，在确定的最长保管天数之前从所述N型单晶硅的所述块中切取所述晶圆由此，能够提供一种能够防止在PW中产生OSF的N型单晶硅晶圆的制造方法。
单晶硅制造方法

[发明专利]一种硅外延片的生长方法-CN202310584101.7在审
发明人：谈耀忠;张俊宝;陈猛 -专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明一种硅外延片的生长方法，涉及半导体材料技术领域，首先将经过多道加工工序处理后的单晶硅在650℃以下进行去除单晶硅片表面的自然氧化膜，当自然氧化膜去除后,在单晶硅片的表面上通过使用一氧化二氮分别形成氧原子和单晶硅，其中，氧原子的形成是通过将所述单晶硅晶片暴露于含有所述一氧化二氮的气氛中来进行的，所述单晶硅则在500℃以上且700℃以下的温度下外延生长而形成，当进行多次氧原子和单晶硅的形成工序,交替地形成多个氧原子层和单晶硅层，最终形成硅外延层。
一种外延生长方法

[实用新型]一种单晶硅棒竖直定位装置-CN202020384448.9有效
发明人：薛俊兵;刘绪军;杨德飞;娄和强 -专利权人：青岛高测科技股份有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶硅棒竖直定位装置，包括定位块、浮动球面、及用于锁紧定位块状态的锁紧气缸，所述锁紧气缸通过浮动球面与定位块活动连接。本实用新型采用将单晶硅棒放置在定位块上，通过锁紧气缸调整锁紧定位块，使得单晶硅棒能竖直的放置在定位块上，改变了以往的水平放置，便于单晶硅棒的定位检测，同时锁紧气缸的外围设置有回转轴承，并通过回转电机带动回转轴承转动以带动单晶硅棒旋转，通过单晶硅棒外围设置的探针实现了对单晶硅棒的晶线位置检测。本实用新型结构简单，制作成本低，同时减少了单晶硅棒的定位时间，降低了晶线位置的检测时间，提高了检测效率。
一种单晶硅竖直定位装置

[实用新型]一种气体回用装置及单晶硅生产设备-CN201920298047.9有效
发明人：贾祯;金雪;冉瑞应;杨东 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种气体回用装置及单晶硅生产设备，该气体回用装置包括：气体净化模块、检测模块以及控制模块；其中，气体净化模块分别与单晶硅生产设备的出气口及进气口连接，检测模块分别与气体净化模块的出气口和单晶硅生产设备的进气口连接，控制模块分别与所述气体净化模块、所述纯净气体储存罐、所述检测模块电性连接，所述控制模块用于控制所述气体净化模块向所述单晶硅生产设备供气，或者，控制所述纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。本实用新型实施例中，可以避免将不符合使用要求的气体通入所述单晶硅生产设备，提高所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质。
一种气体装置单晶硅生产设备

[实用新型]一种散热性好的单晶硅组件-CN202320460724.9有效
发明人：徐小萍 -专利权人：中环艾能（高邮）能源科技有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H02S40/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种散热性好的单晶硅组件，涉及到节能设备领域，包括单晶硅组件外壳，单晶硅组件外壳的顶部固定连接有防护框体，单晶硅组件外壳的底部固定连接有连接壳体，单晶硅组件外壳的内部设置有散热组件，散热组件包括支撑架本实用新型，设置了散热组件，通过散热组件的设计，齿轮与齿条，两者相互配合，在电机的作用下，带动螺纹杆进行转动，散热扇跟随转动杆的方向进行转动，对单晶硅组件进行散热处理，避免单晶硅组件在进行供电时，负载电流较大或者充电电流较大时，热量增加无法迅速排出，使单晶硅组件内阻被增大的情况。
一种散热单晶硅组件

[发明专利]低阻单晶硅掺杂方法-CN201810602914.3在审
发明人：唐珊珊;许红方;罗闵浩;关培海;龚连鹤 -专利权人：山东大海新能源发展有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种低阻单晶硅掺杂方法，包括以下步骤：先将低阻镓材料和低阻硼材料制成低阻镓硼硅合金材料，然后再加入硅料中，接着进行抽真空、引晶、缩颈、放肩，以更好的满足低阻单晶硅的生产。本方法制得的单晶硅的电阻率档位为0.5‑1.5Ω·cm，将单晶硅太阳能电池光电转化效率提升至21.71％；在不影响单晶硅抗衰减能力的情况下，解决了由于镓分凝系数低导致单晶硅轴向电阻率分布不均匀的问题，提高了原材料利用率，提高了低阻单晶硅产品合格率，减少浪费。
单晶硅低阻掺杂单晶硅太阳能电池光电转化效率原材料利用率产品合格率电阻率档位电阻率分布分凝系数合金材料不均匀抽真空抗衰减硼材料放肩硅料硼硅缩颈引晶轴向申请生产

[发明专利]一种硅膜的制备方法-CN201110151798.6有效
发明人：王荣华;朱琳;荆二荣;陈思奇 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种硅膜的制备方法，属于半导体制备工艺技术领域。该方法包括步骤：对于第一单晶硅衬底刻蚀形成通腔的步骤、对第二单晶硅衬底外延生长硅薄膜层的步骤、第一单晶硅衬底与第二单晶硅衬底的键合步骤、以及选择性地刻蚀去除全部第二单晶硅衬底的步骤。该方法易于控制硅膜的厚度，并且硅膜的均匀性一致性好。
一种制备方法

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201880043340.9有效
发明人：川上泰史;前川浩一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为掺杂剂的硅熔液中提拉直体直径为301mm以上且330mm以下的单晶硅并使其生长，在该单晶硅的制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为1.20mΩcm以上且1.35mΩcm以下，之后，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.7mΩcm以上且1.0mΩcm以下。
单晶硅制造方法

[发明专利]n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片-CN201880026821.9在审
发明人：前川浩一;鸣嶋康人;川上泰史;小川福生;堤有二 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其利用提拉法从包含红磷作为主要掺杂剂的硅熔液提拉单晶硅并使其生长，在该制造方法中，将单晶硅的直体部开始位置中的电阻率控制为0.80mΩcm以上且1.05mΩcm以下，之后，随着提拉单晶硅并使其生长，逐渐降低单晶硅的电阻率，将单晶硅的一部分的电阻率设为0.5mΩcm以上且小于0.6mΩcm。
单晶硅电阻率提拉电阻率控制开始位置逐渐降低生长掺杂剂硅熔液提拉法红磷直体制造

[发明专利]一种铸造单晶硅的制备方法-CN201810876213.9在审
发明人：明亮;邱昊;黄美玲;段金刚;刘福刚 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造单晶硅的制备方法，该制备方法包括以下步骤：在石英坩埚底部中心放置一块单晶硅籽晶，装入硅原料和母合金；对石英坩埚进行加热，使硅原料和母合金完全熔化，单晶硅籽晶部分熔化，进入长晶阶段；控制硅熔体的横向温度梯度和纵向温度梯度，使晶体从单晶硅籽晶和硅熔体的接触面向四周及向上生长，得到铸造单晶硅锭。本发明制备方法具有工艺简单、易操作、成本低廉、单晶硅籽晶用量小、单晶率高、位错率低等优点，适合于大规模制备，利用工业化生产，有着很好的应用价值和应用前景。
制备单晶硅籽晶熔化单晶硅铸造石英坩埚硅熔体硅原料母合金横向温度梯度纵向温度梯度单晶硅锭底部中心向上生长单晶位错加热装入应用

[发明专利]力敏薄膜厚度精确可控的差压传感结构及其制备方法-CN201610023873.3有效
发明人：李昕欣;邹宏硕;王家畴 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： G01L13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种力敏薄膜厚度精确可控的差压传感结构及其制备方法，包括：单晶硅基片；压力参考腔体；位于压力参考腔体上的多晶硅力敏感薄膜、位于多晶硅力敏感薄膜上表面的单晶硅应力集中结构、位于单晶硅应力集中结构上表面的压敏电阻；过孔，穿过单晶硅基片的背面与压力参考腔体相通。本发明采用体硅下薄膜工艺制作，多晶硅力敏感薄膜被沉积在体硅加工后的单晶硅层下表面且薄膜厚度精确可控，单晶硅层与多晶硅力敏感薄膜之间夹着一层氧化硅层；通过干法自停止刻蚀单晶硅层形成单晶硅应力集中结构，最后去除氧化硅层暴露出多晶硅力敏感薄膜
薄膜厚度精确可控传感结构及其制备方法

[发明专利]单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺-CN201710402195.6在审
发明人：张进 -专利权人：江苏拓正茂源新能源有限公司
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺，主要包括以下流程：单晶生长→切断→外径滚磨→端面磨削、抛光→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→包装。本发明单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片的工艺简单，所需设备要求低，成本低，可提高加工效率。
单晶硅单晶硅棒抛光硅片抛光加工单晶生长端面磨削加工效率设备要求研磨切片倒角滚磨清洗腐蚀

[发明专利]一种变埚比的单晶硅生长方法-CN201310211852.0有效
发明人：孙新利 -专利权人：浙江长兴众成电子有限公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种变埚比的单晶硅生长方法，单晶硅在坩埚中生长，待单晶硅进入等径生长后，调整坩埚埚比不断增加，进行变埚比单晶硅生长。本发明通过变埚比可以缓慢提高单晶界面生长液位，有效加速熔体自然热对流，保持熔体中氧含量浓度，有效提高单晶硅轴向氧含量一致性，操作方便，适合工业化生产。
一种单晶硅生长方法

[发明专利]单晶硅片的制备系统-CN201810844087.9在审
发明人：孟静;王书杰 -专利权人：孟静
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片的制备系统，涉及晶体的生长方法技术领域。所述制备系统包括单晶硅棒生长装置、单晶硅棒切割装置、硅片裁切装置、硅片清洗装置以及硅片烘干装置。所述单晶硅棒生长装置用于生长单晶硅棒；所述切割装置用于对所述单晶硅棒进行切割，制备成厚度符合要求的单晶硅片；所述裁切装置用于对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状；所述清洗装置用于对裁切后的硅片进行清洗所述制备系统能够顺利完成单晶硅片的制备，且系统结构较为简单，制备方便。
单晶硅棒单晶硅片制备系统硅片制备硅片烘干装置裁切装置生长装置裁切清洗单晶硅棒切割硅片清洗装置硅片表面烘干处理切割装置清洗装置系统结构生长晶体的去除切割加工

[发明专利]单晶硅制绒添加剂、制绒方法以及绒面单晶硅片制备方法-CN202010276903.8在审
发明人：李新普;高志博;贾锐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅制绒添加剂，包括：溶剂以及质量比为0.25％～1.5％绒面催化剂、0.1％～3％环糊精和0.52％～1.9％绒面缓蚀剂。还提供一种单晶硅制绒方法，包括：将单晶硅片通过制绒剂制绒，其中，制绒剂包括溶剂以及质量百分比为0.5％～3％碱和体积百分比为0.1％～2％如上述单晶硅制绒添加剂。还提供一种绒面单晶硅片制备方法，包括：将单晶硅片在碱性环境中进行抛光，以去除单晶硅片损伤层；将去除损伤层单晶硅片在碱液中进行清洗，以去除单晶硅片表面杂质；将去除杂质单晶硅片采用如权利要求6～8任意一项单晶硅制绒方法进行制绒；将制绒后单晶硅片在碱液中进行清洗，以去除单晶硅片表面杂质；将去除杂质单晶硅片在酸液中进行清洗。本发明能够在单晶硅片表面制备均匀细密金字塔结构。
单晶硅添加剂方法以及制备