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- [发明专利]半导体激光器元件和半导体激光器器件-CN201010100012.3无效
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今西大介
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索尼公司
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2010-01-22
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2010-11-10
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H01S5/20
- 本发明提供了一种半导体激光器元件和半导体激光器器件，该半导体激光器元件包括：第一半导体层；具有电流注入区域的有源层；第二半导体层；第三半导体层；以及用于将电流注入所述有源层中的电极。在该半导体激光器元件中，第一半导体层、有源层、第二半导体层以及第三半导体层被依次层叠在衬底上，第一半导体层具有约束有源层的电流注入区域的电流约束层，第三半导体层形成在第二半导体层的上表面上对应于有源层的电流注入区域的区域中，电极形成在第二半导体层的上表面上除第三半导体层的区域以外的区域中。
- 半导体激光器元件器件
- [发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法-CN201210280030.3有效
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冈本康弘;中山达峰;井上隆;宫本广信
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瑞萨电子株式会社
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2012-08-08
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2013-02-13
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H01L29/20
- 提供一种半导体器件及制造该半导体器件的方法。具体涉及包括氮化物半导体层的半导体器件及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层；通过栅极绝缘膜面对第二氮化物半导体层的栅电极。因为通过堆叠多个Al组成比彼此不同的半导体层形成第二氮化物半导体层，因此第二氮化物半导体层的Al组成比阶段式改变。形成第二氮化物半导体层的半导体层在相同方向上被极化，使得这些半导体层中更靠近栅电极的半导体层具有更高(或更低)的极化强度。即多个半导体层的极化强度基于它们与栅电极的距离而以如下倾向改变，使得在两个半导体层的界面的每一个处，负电荷量变得大于正电荷量。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN201310397355.4在审
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原田峻丞;中野敬志;奥野卓也
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株式会社电装
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2013-09-04
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2014-05-21
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H01L27/085
- 一种半导体器件包括：半导体衬底（5），包括在所述半导体衬底（5）上的第一半导体层（2）；在半导体衬底（5）中的多个半导体元件（50）；及无效区（30）。每一个半导体元件（50）都包括：在所述第一半导体层（2）的表面部分中的第二半导体层（21）；第三半导体层（17），设置在所述第一半导体层（2）的另一个表面部分中，并与所述第二半导体层（21）间隔开；及控制层（34），设置在所述第一半导体层（2）在所述第二半导体层（21）与所述第三半导体层（17）之间的部分上。所述无效区（30）设置在至少两个相邻的半导体元件（50）之间的半导体衬底（5）中；并且不提供所述半导体元件（50）的功能。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体器件-CN201310027193.5无效
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内城竜生
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株式会社东芝
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2013-01-24
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2014-03-26
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H01L29/739
- 本发明提供一种能够提高元件的耐性的半导体器件。实施方式的半导体器件具备：第1半导体层；第2半导体层；第3半导体层，具有第1半导体区域和第2半导体区域沿着相对第1半导体层与第2半导体层的层叠方向垂直的第1方向交替排列的构造；第4半导体层，具有第3半导体区域和第4半导体区域沿着第1方向交替排列的构造；以及第5半导体层，设置于所述第3半导体区域上以及所述第4半导体区域上。第2半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于第1半导体区域中包含的杂质元素的浓度。第3半导体区域中包含的杂质元素的浓度高于第4半导体区域中包含的杂质元素的浓度。第3半导体层和第4半导体层的界面与第5半导体层的下端之间的第1长度比界面与第2半导体层的上端之间的第2长度长。
- 半导体器件
- [发明专利]半导体装置-CN202210841233.9在审
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谷平圭;堀阳一;河野洋志
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2022-07-18
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2023-09-22
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H01L27/07
- 实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，连接于所述第一电极；第二半导体层，设于所述第一半导体层上的第一区域，所述第二半导体层是第一导电型，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高；第二导电型的第三半导体层，设于所述第二半导体层上；第四半导体层，设于所述第一半导体层上的第二区域，所述第四半导体层是第一导电型，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高、比所述第二半导体层的杂质浓度低，并隔着所述第一半导体层的一部分与所述第二半导体层分离；第二导电型的第五半导体层，设于所述第四半导体层上的一部分；以及第二电极，连接于所述第三半导体层、所述第四半导体层以及所述第五半导体层。
- 半导体装置
- [发明专利]发光器件和照明系统-CN201510516402.1有效
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朴赞槿;金亨濬;郑明训;韩在雄
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LG伊诺特有限公司
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2015-08-20
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2019-11-26
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H01L33/06
- 一种发光器件包括第一电极、布置在第一电极上并且包括第一导电掺杂剂的第一半导体层、布置在第一半导体层上并且包括具有比第一半导体层的掺杂浓度低的掺杂浓度的第一导电掺杂剂的第二半导体层、布置在第二半导体层上以调节应力的第三半导体层、在第三半导体层上的第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、在有源层上的第二导电半导体层、和在第二导电半导体层上的第二电极，第三半导体层具有在第二半导体层的掺杂浓度和第一导电半导体层的掺杂浓度之间的范围中的掺杂浓度，并且第三半导体层的掺杂浓度朝向第一导电半导体层增加。
- 发光器件照明系统
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410051942.2在审
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吉冈启;杉山亨;齐藤泰伸;津田邦男
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株式会社东芝
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2014-02-14
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2015-03-18
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H01L29/41
- 本发明为半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：n型第一GaN系半导体层；p型第二GaN系半导体层，位于第一GaN系半导体层上，具有第一GaN系半导体层侧的低杂质浓度区域和第一GaN系半导体层相反侧的高杂质浓度区域；n型第三GaN系半导体层，位于第二GaN系半导体层的与第一GaN系半导体层相反的一侧；栅电极，一端位于第三GaN系半导体层或第三GaN系半导体层上方，另一端位于第一GaN系半导体层，经由栅极绝缘膜与第三GaN系半导体层、低杂质浓度区域及第一GaN系半导体层相邻；第三GaN系半导体层上的第一电极；高杂质浓度区域上的第二电极；第一GaN系半导体层的与第二GaN系半导体层相反侧的第三电极。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体存储装置-CN202010817821.X在审
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大贺淳;福田夏树;矢吹宗
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铠侠股份有限公司
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2020-08-14
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2021-09-14
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H01L25/18
- 本发明的实施方式提供一种得当地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1芯片及第2芯片。第1芯片具备半导体衬底、及设置在半导体衬底的表面的多个晶体管。第2芯片具备多个第1导电层、多个第1半导体层、以及设置在多个第1导电层与多个第1半导体层的交叉部的多个存储单元。另外，第2芯片具备：第2半导体层，比多个第1导电层离半导体衬底远，且相接在多个第1半导体层；第3半导体层，比第2半导体层离半导体衬底远，且相接在第2半导体层；及第1绝缘层，包含比第3半导体层离半导体衬底远的部分、及相接在第2半导体层的部分。
- 半导体存储装置
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