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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202310453556.5在审
发明人：申建旭;李殷奎;李昌锡;金昌炫;卞卿溵 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一种半导体器件可以包括：第一半导体层，包括第一半导体材料；金属层，面对第一半导体层并具有导电性；2D材料层，在第一半导体层和金属层之间；以及第二半导体层，在第一半导体层和2D材料层之间。第二半导体层可以包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。第二半导体层和2D材料层可以彼此直接接触。第二半导体材料可以包括锗。
半导体器件

[发明专利]晶体管-CN202310100911.0在审
发明人：金尚昱;卞卿溵;申建旭;郑文一;金恩太;杨智恩;李光熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种晶体管包括氧化物半导体层、在氧化物半导体层上彼此间隔开设置的源电极和漏电极、与氧化物半导体层间隔开的栅电极、设置在氧化物半导体层和栅电极之间的栅极绝缘层以及设置在栅电极和栅极绝缘层之间并掺杂有金属的石墨烯层。
晶体管

[发明专利]非均质二维材料的复合物、制造其的方法、和电子器件-CN202211410901.9在审
发明人：薛珉洙;申铉石;卞卿溵;黄炫泰;李昌锡;金炯俊 -专利权人：三星电子株式会社;蔚山科学技术院
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供非均质二维材料的复合物、制造其的方法、和电子器件。所述非均质二维材料的复合物可包括：基板；在所述基板上并且具有二维晶体结构的第一二维材料层；以及在所述基板和所述第一二维材料层之间的第二二维材料层。所述第二二维材料层具有其中多个磷原子彼此共价键合的二维晶体结构。
非均质二维材料复合物制造方法电子器件

[发明专利]非易失性存储装置及神经形态设备-CN202211434058.8在审
发明人：申建旭;金昌炫;朴世勋;金炫佑;卞卿溵;尹桐振;李昌锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本公开涉及一种非易失性存储装置及神经形态设备。该垂直非易失性存储装置可以包括：在第一方向上延伸的沟道层；多个栅电极和多个间隔物，其中每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个栅电极和多个间隔物在第一方向上彼此交替排列；以及在沟道层和多个栅电极之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层。多个栅电极中的每个可以包括金属掺杂的石墨烯。
非易失性存储装置神经形态设备

[发明专利]包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备-CN202210942713.4在审
发明人：申建旭;卞卿溵;李相受;金昌炫;李昌锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供了一种包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备，该薄膜结构包括衬底、在衬底上并与衬底间隔开的金属层、以及在衬底和金属层之间的二维材料层。二维材料层可以被配置为限制和/或阻挡衬底和金属层之间的电子转移。二维材料层上的金属层的电阻率可以通过二维材料层降低。
包括二维材料薄膜结构电子器件电子设备

[发明专利]纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备-CN201811431633.2有效
发明人：宋伣在;申建旭;申铉振;李昌锡;金昌炫;卞卿溵;李升元;李殷奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。
纳米晶体石墨形成方法设备

[发明专利]垂直沟道晶体管-CN202210498032.3在审
发明人： 卞卿溵;金尚元;金昌炫;申建旭;李昌锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种垂直沟道晶体管包括：第一源/漏电极；第二源/漏电极，在第一方向上与第一源/漏电极间隔开；第一沟道图案，在第一源/漏电极和第二源/漏电极之间；第一栅电极，在第一沟道图案的侧表面上；第一栅绝缘层，在第一沟道图案和第一栅电极之间；以及第一石墨烯插入层，在第一源/漏电极和第一沟道图案之间。
垂直沟道晶体管

[发明专利]垂直沟道单元阵列晶体管结构和包括其的DRAM器件-CN202210517382.X在审
发明人：李昌锡;金尚元;金昌炫;卞卿溵;李殷奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种垂直沟道单元阵列晶体管结构和包括其的动态随机存取存储器(DRAM)器件。该垂直沟道单元阵列晶体管结构包括：半导体基板；多个沟道，在半导体基板上布置成阵列并且每个从半导体基板垂直地延伸；在所述多个沟道上的栅极绝缘层；多条字线，在半导体基板上并在第一方向上延伸；以及二维(2D)材料层，在所述多条字线中的每条的至少一个表面上。
垂直沟道单元阵列晶体管结构包括 dram 器件

[发明专利]多桥沟道场效应晶体管及制造其的方法-CN202211039311.X在审
发明人：金昌炫;金彦起;A.郑;卞卿溵 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种多桥沟道场效应晶体管及制造其的方法，该多桥沟道场效应晶体管包括：基板、在基板上的第一源极/漏极图案、在基板上沿第一方向与第一源极/漏极图案分开的第二源极/漏极图案、在第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间的第一沟道层和第二沟道层、在第一沟道层和第一源极/漏极图案之间的第一石墨烯阻挡物、围绕第一沟道层的栅极绝缘层、以及栅电极，栅电极围绕第一沟道层并且栅极绝缘层位于其间。
沟道场效应晶体管制造方法

[发明专利]纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法-CN202210207355.2在审
发明人：金尚元;卞卿溵;赵连柱;申建旭;李殷奎;李昌锡;宋伣在;申铉振;尹祯秀;李昭荣;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。
纳米晶石形成方法

[发明专利]摩擦电发生器-CN201710325561.2有效
发明人： 卞卿溵;金在瑛;薛珉洙;申铉振;白正民;梁宇正;芮秉旭;李在元;李镇杓;金京男 -专利权人：三星电子株式会社;蔚山科学技术院
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H02J7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。
摩擦发生器

[发明专利]布线结构以及包括其的半导体器件-CN202111031346.4在审
发明人：林炫锡;赵玟赫;卞卿溵;申铉振;山本薰;尹祯秀;李昭荣;郑根吾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种布线结构和包括该布线结构的半导体器件。该布线结构包括在衬底上的包括掺杂多晶硅的第一导电图案、在第一导电图案上的包括金属硅化物的欧姆接触图案、在欧姆接触图案上的包括金属硅氮化物的防氧化图案、在防氧化图案上的包括石墨烯的扩散阻挡物、以及在扩散阻挡物上的包括金属的第二导电图案。
布线结构以及包括半导体器件

[发明专利]形成互连结构的方法-CN202110582170.5在审
发明人：申建旭;安商熏;李禹镇;卞卿溵;申定候;申铉振;李润姓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供形成互连结构的方法。所述方法包括：制备包括第一金属层和第一绝缘层的基板，在所述第一金属层上选择性地形成具有sp2键合结构的碳层，在所述第一绝缘层上选择性地形成第二绝缘层，形成第三绝缘层以覆盖所述第二绝缘层，和形成电连接至所述第一金属层的第二金属层。
形成互连结构方法

[发明专利]用XPS计算石墨层厚度和测量硅碳化物含量的方法-CN202110333720.X在审
发明人：李殷奎;赵连柱;金尚元;卞卿溵;宋伣在;申铉振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了通过使用X射线光电子能谱(XPS)来测量石墨烯层的厚度的方法和测量硅碳化物的含量的方法。计算直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度的方法包括：通过使用从石墨烯层发射的光电子束的信号强度与从硅衬底发射的光电子束的信号强度之间的比值来测量直接生长在硅衬底上的石墨烯层的厚度。
xps 计算石墨厚度测量碳化物含量方法

[发明专利]导电结构、结合结构和控制金属的功函数的方法-CN202110318984.8在审
发明人：申铉振;金尚元;卞卿溵;李殷奎;金昌炫;李昌锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种导电结构、结合结构和控制金属的功函数的方法。该导电结构包括包含金属的导电材料层和用于通过结合至该导电材料层来控制导电结构的功函数的功函数控制层。功函数控制层包括具有缺陷的二维材料。
导电结构结合控制金属函数方法

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