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[发明专利]半导体装置以及半导体电路-CN202210804669.0在审
发明人：末代知子;岩鍜治阳子;下条亮平 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供半导体装置以及半导体电路，其包含具有IGBT和二极管的RC‑IGBT，能够减少导通损失。实施方式的半导体装置具备：晶体管区域，其包含第一沟槽、设于第一沟槽之中的第一栅极电极、第二沟槽、设于第二沟槽之中的第二栅极电极、第三沟槽和设于第三沟槽之中的第三栅极电极；二极管区域，其包含第五沟槽和设于第五沟槽之中的导电层；边界区域，其包含第四沟槽和设于第四沟槽之中的第四栅极电极，设于晶体管区域与二极管区域之间；第一电极焊盘，其与第一栅极电极电连接；第二电极焊盘，其与第二栅极电极电连接；以及第三电极焊盘，其与第三栅极电极以及第四栅极电极电连接。
半导体装置以及电路

[发明专利]半导体装置以及半导体电路-CN202210811220.7在审
发明人： 岩鍜治阳子;末代知子;下条亮平 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供能够减少开关损失的半导体装置以及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：第一沟槽；第一栅极电极，被设于第一沟槽之中；第二沟槽；第二栅极电极，被设于第二沟槽之中；第三沟槽；第三栅极电极，被设于第三沟槽之中；第一电极焊盘，与第一栅极电极电连接；第二电极焊盘，与第二栅极电极电连接；以及第三电极焊盘，与第三栅极电极电连接，其特征在于，与第三沟槽相接且与第三栅极电极对置的导电型半导体区域的厚度比与第一沟槽相接且与第一栅极电极对置的导电型半导体区域的厚度薄，与第三沟槽相接且与第三栅极电极对置的导电型半导体区域的厚度比与第二沟槽相接且与第二栅极电极对置的导电型半导体区域的厚度薄。
半导体装置以及电路

[发明专利]半导体装置-CN202210831311.7在审
发明人：系数裕子;末代知子;岩鍜治阳子;河村圭子;布施香织 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供开关损耗小、击穿耐量大的半导体装置。半导体装置具备包含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二及第三半导体层的半导体部、第一电极、第二电极、设于所述半导体部中的多个第三电极。所述半导体部设于所述第一电极与所述第二电极之间，所述第一半导体层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸。所述第二半导体层设于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设于所述第二半导体层与所述第二电极之间。在相邻的两个所述第三电极之间，所述第二电极具有在所述第二半导体层中延伸的接触部。所述第三半导体层相互分离，分别设于所述接触部与所述两个第三电极中的任意的一方之间，并与所述两个第三电极的所述一方面对。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210960718.X在审
发明人：诹访刚史;末代知子;岩鍜治阳子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够控制末端区域的击穿电压以及骤回特性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第一控制电极、至少一个第二控制电极以及控制焊盘。半导体部具有活性区域和末端区域。第一电极设于半导体部的表面上，且位于活性区域上。第一控制电极设于半导体部的活性区域，隔着第一绝缘膜与半导体部相对。第二控制电极隔着第二绝缘膜设于半导体部的末端区域上，以包围第一电极的方式配置。控制焊盘在半导体部的表面上与第一电极分离地设置，并与第二控制电极电连接。半导体部包括从活性区域向末端区域延伸的第一半导体层，第二控制电极隔着第二绝缘膜与第一半导体层的一部分相对。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210729322.4在审
发明人：下条亮平;末代知子;岩鍜治阳子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供可降低导通损失及关断损失的半导体装置，具备：第一及第二电极；半导体部，设置在第一电极与第二电极间，具有第一至第四半导体层；第一至第三栅极电极，设置在半导体部与第一电极间，与第一至第三半导体层相对，相互电分离；第一至第三绝缘膜，分别设置在第一至第三栅极电极与半导体部间；第二半导体层设置在第一半导体层与第三半导体层间，第三半导体层设置在第二半导体层与第一电极间，第四半导体层设置在第一半导体层与第二电极间，设第一栅极电极与第三半导体层隔着第一绝缘膜相对的面积为S1、第二栅极电极与第三半导体层隔着第二绝缘膜相对的面积为S2、第三栅极电极与第三半导体层隔着第三绝缘膜相对的面积设为S3时，S1≤S2S3。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体电路-CN202010020268.7有效
发明人： 岩鍜治阳子;末代知子;河村圭子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供能够实现开关损耗的降低的半导体装置及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：具有多个第1沟槽和多个第2沟槽的半导体层、第1沟槽中的第1栅极电极、第2沟槽中的第2栅极电极、第1栅极电极焊盘、第2栅极电极焊盘、将第1栅极电极焊盘与第1栅极电极连接的第1布线及将第2栅极电极焊盘与第2栅极电极连接的第2布线，半导体层具有第1连接沟槽，从多个第1沟槽选出的相邻的2个第1沟槽在各自的端部通过第1连接沟槽而连接，多个第2沟槽内的至少1个第2沟槽设置于相邻的2个第1沟槽间，至少1个第2沟槽中的第2栅极电极在相邻的2个第1沟槽间与第2布线电连接。
半导体装置电路

[发明专利]半导体装置-CN202010606415.9有效
发明人： 岩鍜治阳子;末代知子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种能够使栅极控制电路的结构简略化的半导体装置。半导体装置具备：半导体部；半导体部的背面侧的第1电极；表面侧的第2电极；以及第1、第2控制电极，在半导体部与第2电极之间，配置在半导体部的沟槽的内部。第1、第2控制电极从半导体部及第2电极绝缘，第2控制电极从第1控制电极电分离。半导体部包括：第1导电型的第1层；第2导电型的第2层；第1导电型的第3层；第2导电型的第4层；第2导电型的第5层；以及第2导电型的第6层。第2层设置于第1层与第2电极之间，第3及第4层有选择地设置于第2半导体层与第2电极之间。第5层设置于第1层与第1电极之间。第6层设置于第1层与第2控制电极之间，沿着第2控制电极延展。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210049171.8在审
发明人：布施香织;河村圭子;罇贵子;末代知子;岩鍜治阳子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，设于第一电极之上；第二导电型的第二半导体层，设于第一半导体层之上；第二电极，设于第二半导体层之上；第一沟槽，从第二半导体层到达第一半导体层；第一半导体区域，在第二半导体层内，与第一沟槽相接地设置，第二导电型杂质浓度比第二半导体层的第二导电型杂质浓度高；以及第一绝缘膜，在第二半导体层内，与第一半导体区域相接地设置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202111611306.7在审
发明人：罇贵子;末代知子;岩鍜治阳子;系数裕子;布施香织;河村圭子;大麻浩平 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备半导体部、第一电极、第二电极以及控制电极。所述半导体部设置于所述第一电极与所述第二电极之间，包含第一导电型的第一层以及第三层、以及第二导电型的第二层、第四层以及第五层。所述第一层在所述第一电极与所述第二电极之间延伸，所述第二层设置于所述第一半导体层与所述第二电极之间，所述第三半导体层设置于所述第二层与所述第二电极之间，所述第四层设置于所述第一层与所述第一电极之间。所述半导体部具有包含所述控制电极、所述第二层及所述第三层的有源区域和包围所述有源区域的终端区域。所述5层在所述终端区域中设置于所述第一半导体层中。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的控制方法-CN202111008803.8在审
发明人： 岩鍜治阳子;末代知子;系数裕子;河村圭子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其控制方法。半导体装置具有第一电极、第二电极、第一至第五半导体区域、第一及第二栅极电极。第一半导体区域设置于第一电极与第二电极之间。第二半导体区域设置于第一半导体区域与第二电极之间。第三半导体区域设置于第一半导体区域与第一电极之间。第一栅极电极隔着第一绝缘膜与第二半导体区域对置。第二栅极电极隔着第二绝缘膜与第二半导体区域对置，且隔着与第二绝缘膜接触的第三绝缘膜而与第二电极对置。第五半导体区域设置于第二半导体区域与第二电极之间，且隔着第二或第三绝缘膜与第二栅极电极相邻，并且具有与第二电极电接触的边界部。第四半导体区域的上表面与第一电极的距离大于边界部与第一电极的距离。
半导体装置控制方法

[发明专利]半导体装置-CN202110833956.X在审
发明人：末代知子;岩鍜治阳子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供抑制了因电流集中导致的破坏的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，其具有第一面和与第一面相向的第二面；晶体管区域，其包含具有设置于半导体层的第一面侧的第一栅电极的第一晶体管和具有设置于半导体层的第二面侧的第二栅电极的第二晶体管；以及相邻区域，其包含半导体层及第三晶体管并且相邻于所述晶体管区域，该第三晶体管具有电连接于第二栅电极并设置在半导体层的第二面侧的第三栅电极且具有比第二晶体管的阈值电压的绝对值小的阈值电压的绝对值。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体电路-CN202110835833.X在审
发明人：安原纪夫;岩鍜治阳子;川口雄介;吉川大辉;松下宪一;花形祥子;末代知子;系数裕子;河村圭子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供能够降低开关损耗的半导体装置及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有第一面及第二面、从第一面侧到第二面侧依次具有第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域和第二导电型的第四半导体区域，并具有第一面侧的第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽之中的第一栅极电极；第一导电层，与第一沟槽之中的第一栅极电极与第二面之间的第一栅极电极分离；第二沟槽之中的第二栅极电极；第二沟槽之中的第二栅极电极和第二面之间的第二导电层；第一面侧的第一电极；第二面的第二电极；与第一栅极电极电连接的第一栅极电极焊盘；及与第二栅极电极电连接的第二栅极电极焊盘。
半导体装置以及电路

[发明专利]半导体装置-CN202110841381.6在审
发明人：系数裕子;末代知子;岩鍜治阳子;河村圭子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供能够实现多个栅极驱动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：在第1方向上延伸的第1沟槽及第2沟槽；第1沟槽之中的第1栅极电极；第2沟槽之中的第2栅极电极；与第1栅极电极连接的第1栅极布线，包括在与第1方向垂直的第2方向上延伸的第1部分、在第1方向上延伸的第2部分以及在第2方向上延伸的第3部分；与第2栅极电极连接的第2栅极布线，包括在第2方向上延伸的第1部分、在第1方向上延伸的第2部分以及在第2方向上延伸的第3部分；第1栅极电极焊盘；以及第2栅极电极焊盘；在第1栅极布线的第1部分与第3部分之间有第2栅极布线的第1部分，在第2栅极布线的第1部分与第3部分之间有第1栅极布线的第3部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体电路-CN202110835931.3在审
发明人：末代知子;岩鍜治阳子;系数裕子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供恢复损失降低、安全动作区域扩大的半导体装置及半导体电路。半导体装置具备：半导体层，包含第一沟槽、第二沟槽、第一导电型的第一半导体区域、第一面与第一半导体区域之间的、第一沟槽与第二沟槽之间的、与第二沟槽接触的第二导电型的第二半导体区域、设置于第一沟槽与第二半导体区域之间的第一导电型的第三半导体区域、第三半导体区域与第一面之间的第二导电型杂质浓度比第二半导体区域高的第二导电型的第四半导体区域、及设置于第二半导体区域与第一面之间、与第四半导体区域分离、与第二沟槽接触、第二导电型杂质浓度比第二半导体区域高的第二导电型的第五半导体区域；半导体层的第一面侧的第一电极；及半导体层的第二面侧的第二电极。
半导体装置以及电路

[发明专利]半导体装置及其驱动方法-CN202210208121.X在审
发明人： 岩鍜治阳子;末代知子 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够降低损失的半导体装置及其驱动方法。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第1半导体层，在二极管区域中设在上述第1电极上；第2半导体层，在IGBT区域中设在上述第1电极上；第3半导体层，遍及上述二极管区域、边界区域、上述IGBT区域设置，位于上述第1半导体层及上述第2半导体层上；第4半导体层，在上述边界区域及上述IGBT区域中设在上述第3半导体层上；第5半导体层，设在上述第3半导体层及上述第4半导体层上；第2电极，设在上述二极管区域中；第3电极，设在上述IGBT区域中；以及第4电极，在上述边界区域中从上述第5半导体层的上表面朝向上述第3半导体层延伸，相对于上述第3电极被电绝缘。
半导体装置及其驱动方法

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