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[发明专利]半导体装置-CN201910022530.9在审
发明人：末代知子;岩鍜治阳子;诹访刚史 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置具备：半导体部，包括第一导电型的第一半导体层；第一电极，设在半导体部表面上；第二电极，设在半导体部背面上；多个控制电极，设在半导体部中，在从第一电极朝第二电极的方向上延伸；及绝缘膜，使多个控制电极与半导体部电绝缘；半导体部包括：第二导电型的第二半导体层，位于邻接的两个控制电极间，且设在第一电极与第一半导体层之间；第一导电型的第三半导体层，设在第一电极与第二半导体层之间；第二导电型的第四半导体层，设在邻接的另外两个控制电极间，且设在第一电极与第一半导体层间；第二导电型的第五半导体层，设在第一电极与第四半导体层之间；及第六半导体层，设在第四与第五半导体层之间，包含第一导电型杂质。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201780015428.5有效
发明人：成演准 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一个实施例包括：半导体衬底；图案层，设置在所述半导体衬底上并且包括彼此分离的多个图案；氮化物半导体层，设置在所述图案层上；以及半导体结构，设置在所述氮化物半导体层上并且包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，其中所述图案层的热导率高于所述半导体衬底的热导率和所述半导体结构的热导率。
半导体器件

[发明专利]FinFET及其制造方法-CN201210506140.7有效
发明人：朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该制造FinFET的方法包括：在半导体衬底上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第二半导体层；在第二半导体层上形成顶部保护层；图案化第二半导体层以形成半导体鳍片；在半导体鳍片的侧面形成侧壁保护层；对第一半导体层掺杂以形成掺杂穿通阻止层；去除顶部保护层和侧壁保护层；形成横跨半导体鳍片的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极电介质和栅极导体，并且栅极电介质将栅极导体和半导体鳍片隔开；形成围绕栅极导体的栅极侧墙；以及在半导体鳍片位于栅堆叠两侧的部分中形成源区和漏区掺杂穿通阻止层将半导体鳍片和半导体衬底隔开，从而可以容易地控制半导体鳍片的高度并且断开源区和漏区之间经由半导体衬底的漏电流路径。
finfet 及其制造方法

[发明专利]一种暴露半导体衬底的方法-CN201911350994.9在审
发明人：周炳;江秉闰;许新佳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种暴露半导体衬底的方法，该方法包括：提供半导体样品，所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层；用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层；用多晶硅蚀刻液浸泡去除所述半导体多晶层，暴露出所述半导体衬底。本发明可避免损伤半导体衬底。
一种暴露半导体衬底方法

[发明专利]全背电极异质结太阳能电池-CN201210089491.2有效
发明人：吴德清;萧睿中;陈建勋;林景熙;丁密特·萨哈雷夫·丁密措夫 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种全背电极异质结太阳能电池，包括一第一导电型硅基板、一第一非晶半导体层、一第二非晶半导体层、一第一导电型半导体层、一第二导电型半导体层以及一第二导电型掺杂区。第一非晶半导体层位在硅基板的受光面上，其为本质半导体层或第一导电型层。第二非晶半导体层位在硅基板的非受光面上，其中第二非晶半导体层为本质半导体层。第一与第二导电型半导体层分别位在第二非晶半导体层上。至于第二导电型掺杂区则位在第二导电型半导体层下方的硅基板内并与第二非晶半导体层接触。
电极异质结太阳能电池

[发明专利]半导体纳米结构及其制作方法-CN200610003180.4无效
发明人：陈振 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-02-22 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体纳米结构，包括：一衬底作为半导体器件的承载体；一半导体缓冲层，通过外延生长技术形成在衬底上，起到缓冲衬底和其他层之间应力的作用；一半导体模板层，通过外延生长技术形成在半导体缓冲层上，作为支撑模板；一钝化层，通过表面钝化形成在半导体模板层上，起到提高吸附原子在表面迁移势垒的作用；一半导体诱导层，制作在钝化层上，起到促进半导体纳米岛形成的作用；一半导体纳米岛层，制作在半导体诱导层上，作为光电子器件的活性层；一半导体盖帽层，制作在半导体纳米岛层上，起到保护半导体纳米岛层，或者提供载流子的作用。
半导体纳米结构及其制作方法

[发明专利]半导体元件-CN201210069986.9无效
发明人：斋藤涉;小野升太郎;仲敏行;谷内俊治;渡边美穗;山下浩明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体元件，包括：第1导电型的第1半导体层；第1导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上；控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层的第1沟槽内；含有SixGe1-x或SixGeyC1-x-y的第2导电型的第3半导体层，被设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层且隔着上述第2半导体层与上述第1沟槽邻接的第2沟槽内；第1主电极，与上述第1半导体层连接；以及第2主电极，与上述第3半导体层连接。上述第2半导体层的杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度。
半导体元件

[发明专利]氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体层叠体-CN201580048531.0在审
发明人：田尻雅之;伊藤伸之;小河淳;藤重阳介;冈崎舞;远崎学 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：氮化物半导体层叠体的制造方法包括：在反应炉内在衬底的上方形成第1氮化物半导体层(12)的第1氮化物半导体层形成工序；在第1氮化物半导体层(12)的上方形成第2氮化物半导体层(13)的第2氮化物半导体层形成工序；和在第2氮化物半导体层(13)的上表面形成与第2氮化物半导体层(13)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14)的第3氮化物半导体层形成工序。第2氮化物半导体层形成工序与第3氮化物半导体层形成工序之间不被中断，第3氮化物半导体层形成工序与第2氮化物半导体层形成工序连续地被实施。
氮化物半导体层叠制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410589701.3有效
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V‑坑；以及活性层，插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V‑坑穿过活性层，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V‑坑的起点的V‑坑产生层半导体装置包括具有大尺寸和高密度的V‑坑，从而有效地防止由于静电放电导致的对半导体装置的损坏。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]功率用半导体装置-CN201210060051.4有效
发明人：小林政和 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种功率用半导体装置，具备：第1导电类型的第1半导体层(1)、第1导电类型的第2半导体层(2)、第2导电类型的第3半导体层(3)、第2导电类型的第4半导体层(4)、第1主电极(5)及第2主电极第2半导体层(2)设置在第1半导体层(1)上，第3半导体层(3)选择性地设置于第2半导体层(2)的表面。第4半导体层(4)选择性地设置于第3半导体层(3)的表面，具有比第3半导体层(3)的第2导电类型杂质的浓度高的第2导电类型杂质的浓度。第3半导体层(3)具有载流子寿命降低区域，该载流子寿命降低区域与第4半导体层(4)的底面邻接并与第2半导体层(2)有间隔，被处理为使载流子寿命变短。
功率半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN201420631994.2有效
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V-坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V-坑；以及活性层，插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V-坑穿过活性层，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V-坑的起点的V-坑产生层半导体装置包括具有大尺寸和高密度的V-坑，从而有效地防止由于静电放电导致的对半导体装置的损坏。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310053696.X无效
发明人：野津哲郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种耐性高、使制造成品率提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；设置在第1半导体层之上的第2导电型的第2半导体层；设置在第2半导体层之上的第1导电型的第1半导体区域；与设置在第2半导体层之上的第1半导体区域相接的第2导电型的第2半导体区域，第2半导体区域具有比第2半导体层高的杂质元素浓度；隔着第1绝缘膜而与第1半导体区域、第2半导体层、以及第1半导体层相接的第1电极；隔着第2绝缘膜而与第2半导体区域相接的第2电极；与第1半导体区域以及第2半导体区域连接的第3电极；以及与第1半导体层电连接的第4电极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201210313559.0无效
发明人：末代知子;小仓常雄;二宫英彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：能够使形成在相同基板上的不同种类的元件的特性都良好的半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层，具有第一及第二面；第二导电型的第二半导体层和第一导电型的第三半导体层，在第一半导体层的第二面侧相互邻接地形成；第二导电型的第四半导体层，在上述第一面侧与第二半导体层对置地形成；第一导电型的第五半导体层，形成在第四半导体层的表面；第二导电型的第六半导体层，在上述第一面侧与第三半导体层对置地形成；和栅电极，形成在贯通第四半导体层的第一沟槽内第六半导体层的底面的深度比第四半导体层的底面的深度深，第六半导体层的底面与第一半导体层的第二面之间的距离比第四半导体层的底面与第一半导体层的第二面之间的距离短。
半导体装置

[发明专利]用于苛刻介质的基于CMOS的器件-CN201910522640.1在审
发明人： A·J·范德维尔 -专利权人：迈来芯科技有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件(100)，包括：第一掺杂半导体层(112)、第二掺杂半导体层(122)、氧化物层(127)，并且包括互连(129)，该氧化物层(127)覆盖第一掺杂半导体层(112)和第二掺杂半导体层(122)；第一掺杂半导体层借助互连(129)与第二掺杂半导体层(122)电连接，该互连(129)跨越第二掺杂半导体层(122)的侧壁(133)；互连包括所述氧化物层(127)中的金属填充的狭缝(123)；至少一个电子组件(115)，被形成在第一半导体层(112)和/或第二半导体层(122)中；该半导体器件还包括钝化层(128)，该钝化层(128)覆盖第一掺杂半导体层(112)、第二掺杂半导体层(122)和氧化物层(127)。
掺杂半导体层氧化物层互连半导体器件半导体层钝化层电子组件金属填充电连接侧壁覆盖狭缝申请

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN201710976438.7有效
发明人：长田昌也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体基板，包括半导体；玻璃基板，在所述半导体基板的上方；电极层，形成在所述半导体基板的第一表面侧上；导体层，形成在至少所述半导体基板的所述第一表面上；孔，形成为从所述半导体基板的第二表面穿过所述半导体基板和所述电极层至所述导体层；以及配线层，其形成于所述孔中，通过在所述半导体基板的所述第一表面上的所述导体层电连接至所述电极层，所述配线层通过设置在所述配线层和所述电极层之间的绝缘层从所述电极层物理分离。
半导体器件制造方法