“半导体层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2732727个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光电子半导体芯片和用于其制造的方法-CN201380049234.9有效
发明人：亚历山大·F·普福伊费尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有半导体本体(2)和载体(5)，在所述载体上设置有半导体本体，其中半导体本体具有半导体层序列(200)，所述半导体层序列具有设为用于产生或接收辐射的有源区域(20)、第一半导体层(21)和第二半导体层(22)；有源区域设置在第一半导体层和第二半导体层之间；第一半导体层设置在有源区域的背离载体的一侧上；在半导体本体中构成有沟槽结构(25)，所述沟槽结构穿过第二半导体层和有源区域延伸进入到第一半导体层中；在载体和半导体本体之间构成具有多个接触接片(31)的电接触结构(3)；并且接触接片在沟槽结构中与第一半导体层导电连接。此外，提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。
光电子半导体芯片用于制造方法

[发明专利]氮化物半导体LED-CN200910172051.1有效
发明人：李昔宪 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体LED。根据本发明的一种氮化物半导体发光二极管，包含：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；和部分突出在所述第二导电半导体层上的第四半导体层。根据本发明的另一种氮化物半导体发光二极管，包含：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；和铟含量顺序变动的超梯度半导体层。
氮化物半导体 led

[实用新型]半导体结构及半导体器件-CN201922132556.7有效
发明人：白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构及半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括半导体衬底、预设半导体层、栅介质层和栅极层，其中：半导体衬底，包括间隔设置的隔离结构及位于相邻两个隔离结构之间的第一有源区，第一有源区具有预设外延区；预设半导体层，形成于预设外延区，预设半导体层的电子亲和能大于半导体衬底的电子亲和能；栅介质层，形成于预设半导体层和半导体衬底共同构成的表面；栅极层，形成于栅介质层的表面。本公开的半导体结构及半导体器件可减小栅极层厚度，提高栅极层的栅极控制能力，减小短沟道效应，降低生产成本。
半导体结构半导体器件

[实用新型]一种半导体器件结构及电子产品-CN201922200784.3有效
发明人：诸舜杰;钟添宾;阮孟波 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件结构及电子产品，所述半导体器件结构包括，第一半导体层，所述第一半导体层下表面设置有覆盖所述第一半导体层的第一半导体金属层，其特征在于，所述半导体器件结构还包括第二半导体层，所述第二半导体层上表面设置有覆盖所述第二半导体层的第二半导体金属层，所述第二半导体金属层上表面平行覆盖设置在所述第一半导体金属层下表面。本实用新型公开的技术方案以尽可能保证第一半导体层不翘曲的情况下降低导通电阻，增加散热能力。
一种半导体器件结构电子产品

[发明专利]鳍式场效应管基体制备方法-CN201510375744.6在审
发明人：黄秋铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管基体制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成待蚀刻半导体材料层，在半导体材料层上形成图案化掩膜层；利用图案化掩膜层来部分蚀刻半导体材料层，以便在半导体材料层中形成处于图案化掩膜层下方的突起部；氧化半导体材料层暴露出来的表层，以便在突起部的侧壁以及半导体材料层的上表面上形成氧化层；利用图案化掩膜层来干法蚀刻氧化层和半导体材料层，以完全去除被图案化掩膜层暴露的氧化层和半导体材料层，从而形成鳍形的半导体材料层；湿法蚀刻图案化掩膜层下方的鳍形的半导体材料层，从而在鳍形的半导体材料层下部形成凹进；去除图案化掩膜层和侧壁上的氧化层，从而形成Ω形截面的半导体基体结构。
场效应基体制备方法

[发明专利]多孔半导体层形成材料-CN200680018659.3有效
发明人：筱原祐治 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-04-14 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明的目的是提供半导体层形成材料，从所述半导体层形成材料可以制造具有高载流子运输能力的半导体层，提供形成半导体元件的方法，所述半导体元件具有高载流子运输能力的半导体层，提供由半导体元件制造方法形成的半导体元件，提供装备有所述半导体元件的电子装置，并提供具有高可靠性的电子设备。所述半导体层形成材料包括半导体材料、各自具有许多孔隙的多孔颗粒、和分散介质，其中所述半导体材料以至少一部分半导体材料填充在多孔颗粒孔隙中的状态存在于半导体层形成材料中。根据所述半导体层形成材料，可以形成和制造具有高载流子运输能力的半导体层。
多孔半导体形成材料

[发明专利]半导体元件-CN201780069747.4有效
发明人：成俊锡;崔炳均;玄九 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：实施例提供了一种半导体元件，包括：多个半导体结构，每个半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及延伸穿过第二导电半导体层和有源层并到第一导电半导体层的部分区域的第一凹口；第二凹口，设置在多个半导体结构之间；第一电极，设置在第一凹口处并电连接到第一导电半导体层；反射层，设置在第二导电半导体层下方；和突出部分，设置在第二凹口上并且比半导体结构的上表面突出得更高，其中在第一凹口中第一电极与第一导电半导体层进行接触的表面到半导体结构的上表面的距离为
半导体元件

[发明专利]氮化物半导体发光器件-CN201680061503.7有效
发明人：三好晃平 -专利权人：优志旺电机株式会社
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供发光效率比以往得到了提高的主要发射波长为520nm以上的氮化物半导体发光器件。本发明是主要发射波长为520nm以上的氮化物半导体发光器件，其具备蓝宝石基板和形成于蓝宝石基板的上层的半导体层。半导体层包含第一半导体层、第二半导体层、活性层和第三半导体层，该第一半导体层形成于上述蓝宝石基板的面上，该第二半导体层形成于第一半导体层的上层，掺杂n型或p型的杂质得到，该活性层形成于第二半导体层的上层，该第三半导体层形成于活性层的上层，导电型与第二半导体层不同。蓝宝石基板的厚度X和半导体层的厚度Y满足0.06≤Y/X≤0.12的关系。
氮化物半导体发光器件

[发明专利]半导体器件-CN201010143449.5无效
发明人：大田浩史;斋藤涉;小野昇太郎;薮崎宗久;羽田野菜名;渡边美穗 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置。本发明的晶体管包括第一导电型的第一半导体层、和具有沿着与第一半导体层的表面平行的方向交替排列了第一导电型的第二半导体层以及第二导电型的第三半导体层的柱结构的漂移层。相对上述漂移层并行并且交替配置了第一导电型的第四半导体层以及第二导电型的第五半导体层。第五半导体层具有比第四半导体层多的杂质量。相对第四以及第五半导体层并行且交替配置了第一导电型的第六半导体层以及第二导电型的第七半导体层。第七半导体层具有比第六半导体层少的杂质量。
半导体器件

[发明专利]生长在松弛层上的III族氮化物发光装置-CN201180024730.X有效
发明人： A.Y.金;P.N.格里洛特 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种发光装置包括：第一半导体层（30）；第二半导体层（32）；第三半导体层（34）；以及半导体结构（10），其包括布置在n型区域（34）和p型区域（38）之间的III族氮化物发光层（36）。该第二半导体层（32）布置在该第一半导体层（30）与该第三半导体层（34）之间。该第三半导体层（34）布置在该第二半导体层（32）与该发光层（36）之间。该第一半导体层（30）的面内晶格常数和该第三半导体层（34）的体晶格常数之间的差不大于1%。该第一半导体层（30）的面内晶格常数和该第二半导体层（32）的体晶格常数之间的差是至少1%。该第三半导体层（34）是至少部分松弛的。
生长松弛 iii 氮化物发光装置

[发明专利]带有绝缘埋层的半导体结构及其制备方法-CN201210585600.X有效
发明人：范春晖;王全 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一带有绝缘埋层的半导体结构，包括支撑衬底、通过绝缘埋层与所述支撑衬底隔离的顶层半导体层，形成于所述顶层半导体层上的MOS晶体管结构，其特征在于，所述顶层半导体层和绝缘埋层之间还包括半导体缓冲层，且所述半导体缓冲层材料的禁带宽度大于所述顶层半导体层材料的禁带宽度。本发明还公开了带有绝缘埋层的半导体结构制备方法，将覆盖有绝缘埋层的第一半导体衬底和覆盖有半导体缓冲层的第二半导体衬底键合，并将第二半导体衬底减薄作为顶层半导体层，用于制备半导体器件结构。
带有绝缘半导体结构及其制备方法

[发明专利]浪涌保护用半导体器件-CN200580029036.1有效
发明人：大西一洋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：提供一种耐浪涌性高的浪涌保护用半导体器件。本发明的浪涌保护用半导体器件包括的半导体基板(10)包括高浓度第一导电型半导体基板(1)、低浓度第一导电型半导体层(2)、高浓度第一导电型半导体层(4)、第二导电型半导体层(3)、低浓度第二导电型半导体层(5)，上述低浓度第二导电型半导体层从低浓度第一导电型半导体层(2)的表面向低浓度第一导电型半导体层(2)的层内延伸，与高浓度第一导电型半导体层(4)共有轴线，并且具有与高浓度第一导电型半导体层(4)的界面(J4)和与第二导电型半导体层(3)的界面(J5)。并且，低浓度第二导电型半导体层(5)的杂质浓度比第二导电型半导体层(3)的杂质浓度低。
浪涌保护半导体器件

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211379293.X在审
发明人：蔡吉明;曾明俊;黄少华;彭康伟;林素慧;龙思怡;王鸿伟;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极和第二电极，半导体叠层具有台面、相对的下表面和上表面，半导体叠层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，发光层位于第一半导体层和第二半导体层之间，台面是指第一半导体层的未被发光层覆盖的表面，第一半导体层在台面处具有贯通部，贯通部自第一半导体层的上表面贯穿至第一半导体层的下表面，第一电极至少设置在贯通部内以电连接第一半导体层，第二电极电连接第二半导体层借此，通过贯通部的设置，使得通过第一电极注入的电流能够从第一半导体层的侧壁注入，进而降低操作电压。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种半导体装置及其形成方法-CN202211461634.8有效
发明人：饶剑;黄敬源;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本揭露提供了一种半导体装置。半导体装置包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、栅极电极及晶格修复层。第一氮化物半导体层设置于衬底上。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上并且其带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第三氮化物半导体层被掺杂掺杂质且设置于第二氮化物半导体层上。栅极电极设置于第三氮化物半导体层上。栅极电极的第一侧面与第三氮化物半导体层的上表面界定第一角落。晶格修复层设置于第三氮化物半导体层上及第二氮化物半导体层上。晶格修复层与第一角落隔开。
一种半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN200880122024.7有效
发明人：丁焕熙 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、位于第一导电半导体层上的有源层，以及位于有源层上的第二导电半导体层；氮化物半导体层，该氮化物半导体层位于第二导电半导体层的外周上；以及欧姆层，该欧姆层位于第二导电半导体层上。
半导体发光器件及其制造方法

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条