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[实用新型]带便携水平支架的激光测距仪-CN202320809224.1有效
发明人：李宏;朱旭涛;朱琛;赵承杰;刘迎春 -专利权人：山东海普安全环保技术股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及激光测距仪技术领域，具体地说，涉及带便携水平支架的激光测距仪，包括底座，底座上方通过调高组件连接有固定台，固定台顶面设有固定槽，固定槽内设有激光测距仪，固定台内设有安装腔，安装腔内设有固定组件，固定组件包括夹板，夹板的左侧壁固定有连接板，安装腔内设有转杆，转杆侧壁位于安装腔内的部分设有螺纹，转杆与前后两个夹板螺纹连接且螺纹方向相反，转杆的后端穿过安装腔后侧壁同轴连接有第二旋钮。该激光测距仪通过固定组件固定于固定槽内，只需要转动第二旋钮即可将其固定，无需使用螺栓将激光测距仪固定，使用方便便捷。
便携水平支架激光测距仪

[实用新型]一种基于引脚的肖特基二极管封装结构-CN202321268145.0有效
发明人： 赵承杰;周炳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于引脚的肖特基二极管封装结构，其包括：引脚定位座、封装基体、肖特基芯片、第一引脚和第二引脚，所述肖特基芯片设置在封装基体中，所述第一引脚包括第一连接片、第二连接片和第三连接片，所述第一连接片水平设置在肖特基芯片的上方，所述第二连接片从第一连接片左端向下倾斜延伸至肖特基芯片的左侧下方，所述第三连接片设置在第二连接片的底部并向左水平延伸至封装基体外侧，所述引脚定位座包括定位板、第一压块和第二压块，所述定位板设置在封装基体中并位于第三连接片与第六连接片之间。本实用新型所述的基于引脚的肖特基二极管封装结构，通过引脚定位座实现了对第一引脚和第二引脚的限位。
一种基于引脚肖特基二极管封装结构

[实用新型]多功能的便携式地质罗盘-CN202320809282.4有效
发明人：朱旭涛;李宏;朱琛;刘迎春;赵承杰 -专利权人：山东海普安全环保技术股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01C17/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及罗盘技术领域，具体为多功能的便携式地质罗盘，包括地质罗盘主体，地质罗盘主体顶部设有顶盖，顶盖上表面中间处嵌设有透明板，透明板中间设有水平气泡盘，地质罗盘主体下表面设有连接座，连接座一端上设有刺面魔术贴，连接座另一端设有毛面魔术贴；该多功能的便携式地质罗盘，通过设置顶盖，并在顶盖上安装透明板，便于使用者实时透过透明板观察内部地质罗盘主体中指针变化状况，在透明板上还安装水平气泡盘，便于实时了解整体水平状况，便于进行水平检测，在连接座的配合下，通过刺面魔术贴与毛面魔术粘接固定，实现连接座与使用者手腕佩戴连接，便于携带使用。
多功能便携式地质罗盘

[实用新型]一种可消杀的分区心理沙盘-CN202320690865.X有效
发明人： 赵承杰;李婕;赵怡蓉 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： A61M21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可消杀的分区心理沙盘，包括沙盘台，所述沙盘台上盖设有沙盘盖，在沙盘台四侧嵌有音响，音响侧部设置有用于接收音频数据的USB接口，所述沙盘台顶部为槽体结构，在该槽体结构内侧壁设置有分隔板收纳槽，所述分隔板收纳槽中设置有折叠式分隔板，在该槽体结构底面中心设置有用于固定折叠式分隔板端头的分隔板固定槽，所述沙盘台四角处活动设置有嵌入式收纳凳且在沙盘台的四侧还抽拉设置有收纳柜，所述沙盘台顶部四角处还设置有用于插设拍摄杆的拍摄杆安装槽，所述沙盘盖包括消杀盖主体、紫外线灯管、保护网，紫外线灯管设置在消杀盖主体内顶部。本实用新型以期望丰富其功能，且便于分区使用和对沙子进行消杀。
一种可消杀分区心理沙盘

[实用新型]一种氧化炉内惰性气体喷淋装置-CN202320799930.2有效
发明人： 赵承杰;周炳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氧化炉内惰性气体喷淋装置，其包括：进气管接头、第一喷淋管和第二喷淋管，所述第一喷淋管同心设置在第二喷淋管中，所述进气管接头垂直贯穿第二喷淋管并与第一喷淋管相连接，所述第一喷淋管顶部间隔设置有第一喷淋孔，所述第一喷淋管两侧分别设置有延伸至第二喷淋管内壁的喷淋板，所述喷淋板上间隔设置有第二喷淋孔，所述第二喷淋管底部设置有沿长度方向延伸的喷淋口。本实用新型所述的氧化炉内惰性气体喷淋装置，提升了惰性气体喷淋的均匀性，而且结构相对简洁，加工难道低。
一种氧化惰性气体喷淋装置

[发明专利]一种可快速关断的LIGBT及其制备方法-CN202211473926.3在审
发明人：付国振;周炳;赵承杰 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种可快速关断的LIGBT及其制备方法，LIGBT包括从左至右设置的发射极、P‑base区、栅极、N‑漂移区、场氧化层、缓冲层N‑buffer、浮空欧姆接触、N+型多晶硅、P+型多晶硅、Collector电极，本发明的LIGBT在阻断态时，势垒区产生的电子全部经过多晶硅二极管到达Collector电极，使得器件击穿电压不再受基区开路的P‑N‑P晶体管的影响，在关断时，漂移区的电子可以经过多晶硅二极管到达Collector电极而不会有空穴注入，所以器件可以实现快速关断。
一种快速 ligbt 及其制备方法

[发明专利]一种结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202211593032.8在审
发明人： 赵承杰;周炳;付国振 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管包括由下至上依次设置的阴极金属层、N+衬底、N‑外延层、氧化层及阳极金属层，所述N‑外延层的上表面上沿横向方向依次间隔设置有多个P型半导体区，每个所述P型半导体区与N‑外延层间形成一PN结，每个所述PN结均呈正六边形结构，相邻两个PN结之间设置有肖特基势垒金属，所述肖特基势垒金属设置在N‑外延层的上表面上。本发明的肖特基二极管具有高耐压、高频、漏电小、损耗低等特点。
一种结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种带有场限环结构的肖特基二极管及其制备方法-CN202211547769.6在审
发明人： 赵承杰;周炳;付国振 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有场限环结构的肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管包括层叠设置的背面金属、N+衬底、N‑外延层、初氧层、正面金属，所述N‑外延层的上表面的中心设置有有源区，有源区的两侧为终端区，所述有源区内设置有多个依次间隔设置的P型半导体区，每个所述P型半导体区与N‑外延层间形成一PN结，相邻两个P型半导体区之间的N‑外延层的上表面上设置有势垒金属，两侧的所述终端区内均设置有多个场限环。本发明的肖特基二极管具有开启电压低、导通电流大、通态压降小、抗浪涌能力强等特点。
一种带有场限环结构肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种银面快恢复二极管及其制备方法-CN202211568650.7在审
发明人：付国振;周炳;赵承杰 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种银面快恢复二极管及其制备方法，该快恢复二极管包括依次层叠设置的背面金属层、N型衬底、氧化层、氮化硅保护层、正面金属层，所述N型衬底的上表面由中心向外侧依次为主结区和终端区，所述终端区远离主结区的一侧设置有N型截止环，所述N型截止环的外侧边与N型衬底的外侧边相齐平，所述主结区的上表面上还设置有一层铂掺杂层。本发明的快恢复二极管其加工工艺简单、可靠性高，生产成本低。
一种银面快恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种1200V搭配IGBT模块的续流二极管及其制备方法-CN202211461222.4在审
发明人：付国振;周炳;赵承杰 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种1200V搭配IGBT模块的续流二极管及其制备方法，其制备方法包括：步骤1）在N型衬底的正面，采用环版光刻腐蚀，通过高能离子注入硼并在预设温度Ⅰ下退火形成高掺杂P+环区；步骤2）在N型衬底的正面主结区，采用有源区版光刻腐蚀，通过高能离子注入硼并在预设温度Ⅱ下退火激活形成轻掺杂P‑区；步骤3）在轻掺杂P‑区，采用N‑buffer版光刻腐蚀，通过高能离子注入磷并退火激活，在轻掺杂P‑区的下表面设置N‑buffer区。采用该制备方法得到的二极管具有快而软的反向恢复特性以及较好的温度系数。
一种 1200 搭配 igbt 模块二极管及其制备方法

[实用新型]一种立管群干涉碰撞实验装置-CN202220935724.5有效
发明人：李效民;曹煜晗;顾洪禄;李福恒;郭海燕;赵承杰;柳润波 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01N3/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种立管群干涉碰撞实验装置，包括整体支架、顶张力施加及固定系统，所述整体支架一侧上下两端分别滑动连接有可活动顶板及活动升降底座，所述顶张力施加及固定系统包括可活动顶板、下底板、立管模型及张力计，所述可活动顶板与下底板完全相同，所述下底板安装于活动升降底座上表面，所述下底板上表面设置有底板万向节，所述可活动顶板下表面设置有张力计，所述张力计下端连接有顶板万向节，所述顶板万向节与底板万向节之间设置有立管模型。本实用新型可实现多管共同工作；顶部张力可以保持准确、稳定，无需给排水，减少试验时间消耗，提高试验效率。
一种立管群干涉碰撞实验装置

[实用新型]一种FRD芯片-CN202122828290.7有效
发明人： 赵承杰;周炳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种FRD芯片，包括由下至上依次设置的第一金属层、衬底、SiO2层及第二金属层，所述衬底内设置有第一P阱和第二P阱且第一P阱位于第二P阱的上方，所述第一P阱内设置有多个P型沟槽，所述P型沟槽沿衬底的上表面向下延伸，P型沟槽内填充有原位掺杂多晶硅，填充在P型沟槽内的原位掺杂多晶硅的顶面与P型沟槽的上表面齐平，所述SiO2层的中部开设有窗口，所述第一P阱和P型沟槽的上表面均与所述第二金属层相接触，所述衬底为N型硅衬底。该FRD芯片结构的反向峰值电流更小、反向恢复时间更快，同时具有良好的软度特性，并减小了电磁干扰。
一种 frd 芯片

[实用新型]一种IGBT半导体器件-CN202023109960.1有效
发明人：周炳;王源政;赵承杰 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种IGBT半导体器件，包括：发射极和栅极；设置于所述发射极的金属层。本实用新型在于IGBT发射极(E)表面蒸发金属银，可采用CLIP链接，实现IGBT发射极(E)焊接面积最大化，提升IGBT的正向浪涌能力，同时不改变栅极(G)金属结构。
一种 igbt 半导体器件

[实用新型]一种微生物粪便尿液混合降解系统-CN202022989940.1有效
发明人：朱元洪;郑晓娟;曲先寨;黄勇;彭鹏;崔逢;李艳英;宋颖帕;马蕾;赵承杰;陈朝霞 -专利权人：山东海纳环境工程有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： A47K11/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种微生物粪便尿液混合降解系统，包括：免水冲坐便器、处理罐、热风系统、电控设备、减速电机以及搅拌结构，所述马桶盖铰接在免水冲坐便器上表面，所述免水冲坐便器安装在保护外壳上表面右侧，所述处理罐安装在保护外壳内部，处理罐位于免水冲坐便器下方，所述处理罐上表面安装有处理罐上盖，所述处理罐内部安装有搅拌结构，所述搅拌结构由搅拌耙一和搅拌耙二构成，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：通过设置搅拌结构，使得微生物粪便降解系统在降解大便的同时，对尿液中的有害物质和水分一同治理、去除，热风系统的设计，使得设备耐候性增强，在冬季可以正常使用。
一种微生物粪便尿液混合降解系统

[实用新型]一种用于野外地区的免水冲环保厕所-CN202022989936.5有效
发明人：朱元洪;郑晓娟;曲先寨;黄勇;彭鹏;崔逢;李艳英;宋颖帕;马蕾;赵承杰;陈朝霞 -专利权人：山东海纳环境工程有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： A47K11/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于野外地区的免水冲环保厕所，包括液粪便收集系统、环形异味控制系统、温度控制系统、酵化处理系统以及自控程序的一体化设备，所述环保厕所内设置有液粪便收集系统，所述液粪便收集系统与酵化处理系统之间通过管线以及阀门进行连接，所述酵化处理系统设置有环形异味控制系统以及温度控制系统；与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：适用于野外无用水条件地区，解决现场人员如厕需要；全自动化运作，无需水冲，无人值守；可以有效控制恶臭气体散发，改善如厕环境；冬季可正常使用，避免污堵；本质安全，环保，无二次污染，集成化程度高，占地面积小。
一种用于野外地区免水冲环保厕所

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