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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380072766.4在审
发明人：平林康弘;大西徹;西胁克彦;斋藤顺 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-02-12 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明使用依次层压有表面侧半导体层、绝缘层和背面侧半导体层的SOI基板，批量生产对半导体层的厚度进行了管理的纵型的半导体装置。对SOI基板的表面实施从表面实施的处理，并从SOI基板的背面进行蚀刻而去除背面侧半导体层和绝缘层以使表面侧半导体层的背面露出，并对露出的表面侧半导体层的背面实施从背面实施的处理。能够准确地管理SOI基板的表面侧半导体层的厚度，并批量生产具有与表面侧半导体层相同的厚度的半导体层的半导体装置。在不为形成有作为半导体装置而发挥作用的半导体结构的有源区域的区域中，无需去除背面侧半导体层和绝缘层。还能够批量生产在有源区域中去除了绝缘层和背面侧半导体层，而在外围耐压区域中保留了绝缘层和背面侧半导体层的纵型的半导体装置。能够成品率较高地批量生产高性能的半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111653603.8在审
发明人：陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层以及第五氮化物半导体层。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层堆叠于基板上。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层之上且位于源极电极以及漏极电极之间，并具有第一P型掺杂。第五氮化物半导体层设置于第三氮化物半导体层之上，具有第二P型掺杂。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构及其制造方法-CN202080002651.8有效
发明人：张安邦 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：提供一种半导体装置结构及其制造方法。所述半导体装置结构包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第一电极和第二电极。所述第一氮化物半导体层安置于所述衬底上。所述第二氮化物半导体层安置于所述第一氮化物半导体层上。所述第三氮化物半导体层安置于所述第二氮化物半导体层上。所述第一电极安置于所述第二氮化物半导体层上，且与所述第三氮化物半导体层隔开。所述第二电极覆盖所述第三氮化物半导体层的上表面，且与所述第一氮化物半导体层直接接触。
半导体装置结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法-CN201210122579.X有效
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法、一种晶体管的形成方法，其中所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的材料为硅，在所述半导体衬底表面形成半导体层，在所述半导体层表面形成硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层、半导体层和半导体衬底形成若干沟槽；在形成所述沟槽后，去除所述硬掩膜层；在去除硬掩膜层后，对所述半导体衬底和半导体层进行热氧化，使相邻沟槽之间的半导体衬底被完全氧化，在所述沟槽内表面和半导体层顶部形成氧化层；在热氧化后，去除所述氧化层，形成悬空于所述半导体衬底的纳米线。本发明所述半导体结构的形成方法节约成本，所形成的纳米线易与基于硅衬底的其他半导体器件集成。
半导体结构形成方法晶体管

[发明专利]半导体装置-CN202210790718.X在审
发明人：朝羽俊介;河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二至第五半导体层、第一及第二电极。第一及第二电极电连接于第一半导体层。第一半导体层具有活性区域和末端区域。第一半导体层在活性区域中设于第一及第二电极之间。第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间，在从第一电极朝向第二电极的第一方向上具有第一层厚。第三半导体层设于末端区域，包围第二半导体层，在第一方向上具有比第一层厚长的第二层厚。第四半导体层包围第二及第三半导体层，与第三半导体层分离，且在第一方向上具有比第二层厚短的第三层厚。第五半导体层连接于第二半导体层，在末端区域中连接于第三及第四半导体层。第三及第四半导体层设于第一与第五半导体层之间。
半导体装置

[发明专利]一种半导体衬底、半导体器件及其制作方法-CN202110851191.2在审
发明人：罗浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体衬底、半导体器件及其制作方法，半导体衬底包括底部半导体层、依次位于底部半导体层上的埋入绝缘层、背栅层、背栅氧化层和顶部半导体层，其中，背栅层包括半导体层和/或功函数层，基于此，可以通过调节半导体层的掺杂浓度和/或掺杂类型，和/或，调节功函数层的功函数值，和/或，向背栅层施加偏置电压，来调节在半导体衬底上形成的晶体管的阈值电压。与对底部半导体层进行掺杂和/或施加偏置电压的方式相比，本发明中在埋入绝缘层和顶部半导体层之间形成背栅层的方式，并不会对底部半导体层产生影响，从而不会降低底部半导体层的电阻率，进而使得采用本发明提供的半导体衬底的高频半导体器件的性能较好
一种半导体衬底半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件-CN202110123134.2有效
发明人：郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一p型掺杂氮化物半导体层、栅极结构、源极、漏极以及第二p型掺杂氮化物半导体层。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层与栅极结构之间。源极以及漏极设置于第二氮化物半导体层上。第二p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层上，其中漏极至第二氮化物半导体层的顶面的高度大于第二p型掺杂氮化物半导体层至第二氮化物半导体层的顶面的高度，且至少一部分的第二p型掺杂氮化物半导体层于第二氮化物半导体层的垂直投影落在漏极于第二氮化物半导体层的垂直投影内
半导体器件

[发明专利]发光元件-CN201811247729.3有效
发明人：蔡佳珍;郭得山;李奇霖;卓亨颖;欧震;陈俊扬 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件，该发光元件包含：一第一半导体层；一第二半导体层，位于第一半导体层上；一第三半导体层，位于该第二半导体层上；一活性层，位于第二半导体层及第三半导体层之间；一暴露区，穿过第三半导体层及活性层，暴露出第一半导体层的一第一表面以及第二半导体层的一第二表面；以及一第一电极，位于暴露区中，且接触第一表面及第二表面；其中，第一半导体层与第二半导体层具有不同阻值。
发光元件

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201010501685.X有效
发明人：梁擎擎;徐秋霞;钟汇才;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构，所述半导体结构形成于第一半导体层上，所述半导体结构包括纳米线组和两个半导体基体；各所述半导体基体包括至少两个第二半导体层，各所述第二半导体层形成于绝缘层上；在各所述半导体基体之间，各所述第二半导体层及各所述绝缘层一一对应；所述纳米线组包括至少两个纳米线，各所述纳米线分立且包含第三半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层和/或所述第三半导体层材料不同，各所述纳米线与各对应的所述第二半导体层一一相接，各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合以及，一种半导体结构的形成方法。利于增加集成度。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN201510297332.5在审
发明人：洪洪;矶部康裕;吉冈启 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体装置包括：第1半导体层，设置在基板上；第2半导体层，设置在所述第1半导体层上，包含掺杂有碳的氮化物半导体；第3半导体层，设置在所述第2半导体层上，包含掺杂有铟的氮化物半导体；以及第4半导体层，设置在所述第3半导体层上，包含带隙比所述第3半导体层大的氮化物半导体。第3半导体层的铟浓度大于1×10¹⁸cm^－3且小于1×10¹⁹cm^－3。
半导体装置

[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法-CN202310681287.8在审
发明人：刘阳;杜子明;杜卫星 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法，半导体器件的制造方法包括：形成半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一氮化物半导体层；在所述第一氮化物半导体层上形成第二氮化物半导体层；在所述第二氮化物半导体层上形成第三氮化物半导体层；在所述第三氮化物半导体层上形成栅极电极；在所述第二氮化物半导体层上第一次形成第四氮化物半导体层，第一次形成的第四氮化物半导体层覆盖所述第三氮化物半导体层和所述栅极电极；在第一次形成的第四氮化物半导体层上第二次形成第四氮化物半导体层；在所述第二氮化物半导体层上形成源极电极和漏极电极，能够提高VT/Rsh/IGSS等性能参数的精确度。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201510100815.1在审
发明人：镰田周次 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体装置包括：半导体衬底，具有第一面、及第二面；第一半导体层，设置在半导体衬底的第一面侧；第二半导体层，设置在第一半导体层的第二面侧；第三半导体层，设置在第二半导体层的第二面侧；栅极层，设置在半导体衬底内部，在第一方向延伸，在第二方向上并列配置，第一面侧的端部比第三半导体层靠近第一面侧；第一半导体区域，设置在第一栅极层与第二栅极层之间的第三半导体层；栅极绝缘膜，设置在第一栅极层与第二半导体层、第三半导体层、及第一半导体区域之间，与除第一半导体区域外的区域之间的膜厚是厚于与第一半导体区域之间的膜厚；发射电极，电连接第一半导体区域；及集电极，电连接第一半导体层。
半导体装置

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201010501694.9有效
发明人：梁擎擎;徐秋霞;钟汇才;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构，所述半导体结构形成于第一半导体层上，所述半导体结构包括主纳米线、纳米线组和两个半导体基体；各所述半导体基体包括至少两个第二半导体层，各所述第二半导体层形成于绝缘层上，在各所述半导体基体之间，各所述第二半导体层及各所述绝缘层一一对应；所述纳米线组包括至少两个纳米线，所述主纳米线、各所述纳米线分立且均包含第三半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层和/或所述第三半导体层材料不同；所述主纳米线与靠近所述第一半导体层的对应的所述第二半导体层相接；各所述纳米线与各对应的所述第二半导体层一一相接；各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合。以及，一种半导体结构的形成方法。利于增加集成度。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201580009283.9有效
发明人：诺温·文马尔姆;亚历山大·F·普福伊费尔;坦森·瓦尔盖斯;菲利普·克罗伊特尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：提出一种用于制造多个半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源区域(25)，所述有源区域设置用于产生和/或接收辐射；b)在第二半导体层的背离第一半导体层的一侧上构成第一连接层(31)；c)构成多个穿过半导体层序列的留空部(29)；d)在留空部中构成传导层(4)用于在第一半导体层和第一连接层之间建立导电连接；和e)分割成多个半导体器件，其中从半导体层序列中为每个半导体器件产生半导体本体(20)，所述半导体本体具有多个留空部中的至少一个留空部，并且该至少一个留空部在半导体本体的俯视图中完全地由半导体本体包围此外，提出一种半导体器件。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置-CN201410304861.9在审
发明人：小野昇太郎;泉沢优;浦秀幸;山下浩明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低ON电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电类型的第1半导体层，设置于漏电极与源电极之间；第2半导体层，设置于第1半导体层与源电极之间，其第1导电类型的杂质浓度高于第1半导体层；多个第2导电类型的第3半导体层，其漏电极侧的端部处于第1半导体层，与第1半导体层以及第2半导体层相接地被设置；第2导电类型的第4半导体层，设置于第2半导体层与源电极之间；第1导电类型的第5半导体层，设置于第4半导体层与源电极之间；场板电极，在与第2半导体层之间，隔着第1绝缘膜被设置；以及栅电极，在与第4半导体层之间，隔着膜厚比第1绝缘膜薄的第2绝缘膜被设置。
半导体装置