[发明专利]鳍式场效应管基体制备方法在审
| 申请号： | 201510375744.6 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105070659A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 黄秋铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管基体制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成待蚀刻半导体材料层，在半导体材料层上形成图案化掩膜层；利用图案化掩膜层来部分蚀刻半导体材料层，以便在半导体材料层中形成处于图案化掩膜层下方的突起部；氧化半导体材料层暴露出来的表层，以便在突起部的侧壁以及半导体材料层的上表面上形成氧化层；利用图案化掩膜层来干法蚀刻氧化层和半导体材料层，以完全去除被图案化掩膜层暴露的氧化层和半导体材料层，从而形成鳍形的半导体材料层；湿法蚀刻图案化掩膜层下方的鳍形的半导体材料层，从而在鳍形的半导体材料层下部形成凹进；去除图案化掩膜层和侧壁上的氧化层，从而形成Ω形截面的半导体基体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 基体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应管基体制备方法，其特征在于包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成待蚀刻半导体材料层，在所述半导体材料层上形成图案化掩膜层；利用图案化掩膜层来部分蚀刻所述半导体材料层，以便在所述半导体材料层中形成处于图案化掩膜层下方的突起部；氧化所述半导体材料层暴露出来的表层，以便在突起部的侧壁以及所述半导体材料层的上表面上形成氧化层；利用图案化掩膜层来干法蚀刻氧化层和所述半导体材料层，以完全去除被图案化掩膜层暴露的氧化层和所述半导体材料层，从而形成鳍形的半导体材料层；湿法蚀刻图案化掩膜层下方的鳍形的半导体材料层，从而在鳍形的半导体材料层下部形成凹进；去除图案化掩膜层和所述侧壁上的氧化层，从而形成Ω形截面的半导体基体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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