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[发明专利]具有场板结构的氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310761579.2在审
发明人：王伟;何清源;郝荣晖;卢耿烽;郭海波;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种具有场板结构的氮化镓HEMT器件及其制备方法，包括外延层、第一氧化物层、第二氧化物层、扩散停止层、栅极、源极、漏极和场板，通过在第一氧化物层上生长扩散停止层，以防止第一氧化物层由于不受控制的扩散而导致扩散后剩余的氧化物层厚度不均匀，进而导致位于上方的场板底面倾斜无法形成等势体，避免了器件工作时由于电场分布不均匀引起的易击穿现象。设置扩散停止层后，使得位于扩散停止层上的场板底面所处的高度均匀稳定，工作时能够形成均匀的电场，提高氮化镓HEMT器件的耐压性。
具有板结氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN202310915038.0在审
发明人：黄兴杰;郝荣晖;陈扶;赵杰;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供高电子迁移率晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，高电子迁移率晶体管包括：衬底；外延层，安置在衬底上；衬底和外延层形成原始结构；原始结构被分为第一结构、第二结构和离子隔离区；第一结构和第二结构中的任一结构均包括衬底和外延层；第一结构的外延层上安置有栅极结构、源极和漏极；第二结构的外延层上安置有第一电极和第二电极；其中，第二结构作为结温测试结构，第一电极和第二电极之间的电阻用于反馈第一结构的结温。本申请的高电子迁移率晶体管中包括作为结温测试结构的第二结构，第二结构的第一电极和第二电极之间的电阻可以反馈第一结构的结温，从而实现高电子迁移率晶体管工作温度的原位实时检测。
电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]具有栅极钝化区的氮化镓HEMT器件及其制备方法-CN202310688335.6在审
发明人：李兴俊;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有栅极钝化区的氮化镓HEMT器件及其制备方法，该器件包括沟道层、势垒层、应变层、钝化区和栅极；所述势垒层设于沟道层之上；所述栅极设于势垒层上，所述应变层覆盖所述栅极和所述势垒层，所述钝化区覆盖所述栅极，且所述钝化区使得栅极两侧下方的二维电子气的浓度降低。本发明是在栅极附近形成钝化区，该钝化区能够在势垒层中产生“陷阱”负电荷，耗尽栅极两侧下方的2DEG，从而降低栅极两侧下方的2DEG浓度，提高器件击穿场强和改善电流崩塌特性，而其余被应变层覆盖的地方对应的2DEG浓度会增加，因此器件整体的饱和电流和优值系数没有明显变化，但是器件的击穿电压和动态电阻特性可以得到明显的改善。
具有栅极钝化氮化 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310594721.9在审
发明人：李兴俊;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：异质结层、应变层、介电层和栅极；所述应变层和所述栅极形成于所述异质结层上；所述应变层与所述栅极之间为无接触状态，且所述应变层与所述栅极之间形成沟槽；所述介电层连续沉积在所述沟槽、所述栅极的侧壁以及所述栅极的顶面。本申请实施例提供的半导体器件及其制备方法使得栅极及其周边暴露部位均被介电层绝缘，降低了异质结层中位于栅极两侧沟槽下方区域的二维电子气的浓度，提高了器件击穿场强并改善了电流崩塌特性。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180003555.X有效
发明人：陈扶;郝荣晖;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极以及第一和第二应力调制层。第一氮基半导体层具有第一厚度。第二氮基半导体层的带隙小于第一氮基半导体层的带隙，以在其间形成异质结。第二氮基半导体层具有第二厚度，并且第一厚度与第二厚度的比例在0.5到5的范围内。第一和第二应力调制层分别对第二氮基半导体层的第一和第二漂移区域提供应力，从而在第一和第二漂移区域内分别引致出第一和第二2DHG区域。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体装置及其形成方法-CN202211461634.8有效
发明人：饶剑;黄敬源;游政昇 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本揭露提供了一种半导体装置。半导体装置包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、栅极电极及晶格修复层。第一氮化物半导体层设置于衬底上。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上并且其带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第三氮化物半导体层被掺杂掺杂质且设置于第二氮化物半导体层上。栅极电极设置于第三氮化物半导体层上。栅极电极的第一侧面与第三氮化物半导体层的上表面界定第一角落。晶格修复层设置于第三氮化物半导体层上及第二氮化物半导体层上。晶格修复层与第一角落隔开。
一种半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202180003767.8有效
发明人：何川;蒲小庆;郝荣晖;章晋汉;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、栅极电极、第一和第二场板以及第一介电层。第一场板设置在第二氮基半导体层上方。第二场板是不连续的，并且设置在第二氮基半导体层上方，并且位于高于第一场板的位置。第二场板包括其不连续区域中的一个或多个封闭不连续。第一介电层设置在第二场板上方。第一介电层覆盖并贯穿不连续区域中的第二不连续场板，使得第二场板在其一个或多个封闭的不连续轮廓内围绕第一介电层的至少一部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法-CN202180001179.0有效
发明人：郝荣晖;何清源;陈扶;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-05-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮基半导体器件，包括第一和第二氮基半导体层、掺杂的III‑V族半导体层、栅极电极、第一和第二源极/漏极(S/D)电极。掺杂的III‑V族半导体层设置于第二氮基半导体层上，并且具有从掺杂的III‑V族半导体层的顶面向下延伸的第一和第二漏电流阻挡部。栅极电极设置于掺杂的III‑V族半导体层之上，其中栅极电极在第一和第二漏电流阻挡部之间具有一对相对的边缘。栅极电极的一个边缘与第一漏电流阻挡部分重合。第一漏电流阻挡部位于第一S/D电极和栅极电极之间。第二漏电流阻挡部位于第二S/D电极和栅极电极之间。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]半导体器件-CN202222718423.X有效
发明人：孙驰;熊圣浩;刘阳;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体器件，包括衬底，衬底上形成有外延层，外延层上设置有堆叠结构，堆叠结构包括第一区域、第二区域与第三区域，第一区域设置有第一栅极金属板，第二区域设置有第二栅极金属板、源极金属板以及漏极欧姆金属件，第三区域设置有漏极金属板；其中，第二区域中，相邻的两个漏极欧姆金属件之间形成第一开口，第一开口内填充有介质材料。本实用新型能够减小半导体器件的输出电容，并且避免半导体器件散热性能的下降。
半导体器件

[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN202080005209.0有效
发明人：张安邦;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置和其制造方法。所述半导体装置包含第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、栅极结构、第一间隔件和第二间隔件。所述第二氮化物半导体层形成于所述第一氮化物半导体层上并且具有大于所述第一氮化物半导体层的带隙的带隙。所述栅极结构安置于所述第二氮化物半导体层上。所述第一间隔件安置于所述第二氮化物半导体层上。所述第二间隔件安置于所述第二氮化物半导体层上并且通过所述栅极结构与所述第一间隔件间隔开。所述第一间隔件的底部具有第一宽度，所述第二间隔件的底部具有第二宽度，且所述第一宽度不同于所述第二宽度。
半导体装置制造方法

[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法-CN202180004439.X有效
发明人：曹凯;张雷;朱益峰;黄敬源;周春华 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种氮化物半导体器件包含半导体载体、第一氮化物基芯片和第一共形连接结构。第一氮化物基芯片配置于半导体载体之上。半导体载体具有第一平面。第一氮化物基芯片具有第二平面、第一导电垫和第一斜面。第一导电垫配置于第二平面中。第一斜面将第二平面连接到第一平面。第一共形连接结构配置于第一平面和第一氮化物基芯片上。在第二平面与第一斜面之间形成第一钝角。每个第一共形连接结构中覆盖第一氮化物基芯片的这些第一斜面中的一个和这些第一钝角中的一个，且电连接到第一导电垫。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有非对称栅极结构的半导体器件-CN202010564674.X有效
发明人：廖航;赵起越;李长安;王超;周春华;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明是关于一种具有非对称栅极结构的半导体器件，其包含：衬底；沟道层，位于所述衬底上方；势垒层，位于所述沟道层上方，所述势垒层和所述沟道层经配置以形成二维电子气体，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述势垒层之间的界面形成在所述沟道层中；及源极接触及漏极接触，位于所述势垒层上方；经掺杂III‑V族层，位于所述势垒层上方及所述漏极接触和所述源极接触之间；及栅电极，位于所述经掺杂III‑V族层上方且经组态与所述经掺杂III‑V族层形成肖特基接面，其中所述经掺杂III‑V族层及/或栅电极具有非中心对称的几何结构，从而使该器件于应用上达成控制栅极漏电流分布态样的效果。
具有对称栅极结构半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202310064113.7在审
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极以及栅极电极。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上。第一源极/漏极电极设置在第二氮化物半导体层上，并包括第一共形层以及第一导电填充物。第一共形层从高于第二氮化物半导体层的位置延伸到缓冲体。第一导电填充物设置在第一共形层上。第二源极/漏极电极设置在第二氮化物半导体层上，并包括第二共形层以及第二导电填充物。第二共形层从高于第二氮化物半导体层的位置延伸到第二氮化物半导体层，其中第一共形层延伸至低于第二共形层的位置，使得第一共形层的厚度小于第二共形层的厚度。第二导电填充物设置在第二共形层上。
半导体器件

[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN202180003945.7有效
发明人：郝荣晖;陈扶;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置包含第一基于氮化物的半导体层和第二基于氮化物的半导体层、源极电极、漏极电极、钝化层、应力调制层和栅极电极。所述应力调制层安置在所述第二基于氮化物的半导体层上方，且沿着所述钝化层的至少一个侧壁延伸以与所述第二基于氮化物的半导体层接触，以便形成界面。所述栅极电极安置在所述应力调制层上方和所述源极电极与所述漏极电极之间。所述栅极电极位于所述应力调制层与所述第二基于氮化物的半导体层的所述界面正上方。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202211359364.X在审
发明人：郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化物型的半导体器件，包括缓冲体、第一氮化物半导体层、屏蔽层、第二氮化物半导体层、源极/漏极电极和栅极电极。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。屏蔽层设置在缓冲体和第一氮化物半导体层之间，并且包括第一隔离化合物，其中第一隔离化合物的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙，且第一隔离化合物至少包括第三族元素和氧元素。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，其具有的带隙小于第一隔离化合物的带隙且大于第一氮化物半导体层的带隙。一对源极/漏极电极和栅极电极设置述第二氮化物半导体层上，其中栅极电极位于源极/漏极电极之间，且源极/漏极电极和栅极电极于缓冲体上的垂直投影完全落在屏蔽层于缓冲体上的垂直投影内。
半导体器件

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