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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202280017803.0在审
发明人：周以伦 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括成核层、缓冲层、第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、S/D电极和栅极。成核层包括包含第一元素的组合物。缓冲层包括III‑V族化合物，所述III‑V族化合物包括第一元素。缓冲层设置在成核层上并与成核层形成界面。缓冲层具有的第一元素的浓度在缓冲层内振荡，使得第一元素的浓度作为缓冲层的厚度内的距离的振荡函数而变化。振荡函数的相邻峰之间的间隔相对于缓冲层内的第一参考点从宽变窄。第一和第二氮化物基半导体层、S/D电极和栅极设置在缓冲层上。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体组件及其制备方法、半导体装置-CN202211590512.9有效
发明人：朱益峰;曹凯 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体组件及其制备方法、半导体装置，半导体组件包括：第一电气载板和第二电气载板；半导体器件，半导体器件的第一电极与第一电气载板电气连接，半导体器件的第二电极与第二电气载板电气连接；封装体，封装体包裹半导体器件、第一电极与第一电气载板的连接处以及第二电极与第二电气载板的连接处；第一电气载板具有第一散热部，第二电气载板具有第二散热部，电连接部的至少一部分、第一散热部和第二散热部露出封装体。根据本发明实施例的半导体组件，可以形成两个散热路径，增加了半导体器件的导热面积，进一步提高半导体器件的散热效率，从而可以限制半导体器件的内部温度不超过一定值，提高半导体组件的使用可靠性。
半导体组件及其制备方法装置

[发明专利]半导体装置及其制备方法、氮化镓芯片的封装结构-CN202211506025.X有效
发明人：梁赛嫦;曹凯 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体装置及其制备方法、氮化镓芯片的封装结构，半导体装置包括：导热板，所述导热板的一侧表面具有安装凹部；半导体器件，所述半导体器件设于所述安装凹部内；电气载板，所述电气载板设于所述导热板的所述一侧表面，所述半导体器件的电极焊盘与所述电气载板的引线电气连接；其中，所述电气载板包括与所述半导体器件正对的覆盖部，所述覆盖部与所述半导体器件之间设有第一导热件。根据本申请实施例的半导体装置，通过设置安装凹部，并利用覆盖部覆盖半导体器件的有源区，使半导体器件得到保护，并且半导体器件的散热效率较高，提高了半导体器件的可靠性。
半导体装置及其制备方法氮化芯片封装结构

[发明专利]一种晶体管外延结构及防止晶体管TGV刻蚀过度的方法-CN202310868663.4在审
发明人：张雪;冯猛;周韧林;杨焕荣;吴芃逸 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管外延结构及防止晶体管TGV刻蚀过度的方法，晶体管外延结构包括：依次设置的硅衬底、隔离薄膜、外延层、以及贯穿所述外延层和所述隔离薄膜的玻璃通孔，所述玻璃通孔通过TGV刻蚀得到，所述TGV刻蚀采用当刻蚀至所述隔离薄膜时，将剩余刻蚀时间缩短至预设的薄膜刻蚀时间的方式进行，所述薄膜刻蚀时间为依据隔离薄膜的刻蚀速率得到的时间。本发明中的晶体管外延结构能够较好地避免晶体管TGV刻蚀过度或过量，使得硅衬底表面台面高低基本一致，降低器件间电流泄露的可能性。
一种晶体管外延结构防止 tgv 刻蚀过度方法

[发明专利]晶圆及晶圆的制备方法-CN202310869048.5在审
发明人：周韧林;杨焕荣;吴芃逸 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆及晶圆的制备方法，属于半导体技术领域，包括：在衬底上向上外延沉积有至少一氮化铝层、至少一氮化铝镓层和至少一氮化镓层；在沉积至少一层氮化铝镓层时，控制氮化铝镓层中氮化铝的占比，以使得晶圆的翘曲度的绝对值小于预设值。本发明通过控制氮化铝镓层中的氮化铝的占比，以控制在降温处理过程中产生的张应力，进而降低晶圆的翘曲度，降低后续加工工艺的复杂度，可有效克服翘曲度过高导致晶圆生成裂纹甚至破片的问题。
制备方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN202310828871.1在审
发明人：周韧林;杨焕荣;张雪;吴芃逸 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件的制造方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上形成外延层；在外延层上形成第一掩膜层，第一掩膜层中镂空设置有凹陷区域；在无H原子的环境下，在第一掩膜层上覆盖p型氮化物层；p型氮化物层与外延层接触形成栅极；去除位于第一掩膜层非凹陷区域上部的p型氮化物层以及第一掩膜层。通过上述方式，降低了p型氮化物层的氢元素含量，提高p型氮化物层的空穴浓度和迁移率，且无需采用刻蚀工艺即可制备栅极，避免出现刻蚀损伤，提高了半导体器件的性能。
半导体器件制造方法

[实用新型]晶圆定位装置-CN202320370800.7有效
发明人：吴汉勇;李登 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶圆定位装置，包括基座，基座包括一对相对设置的侧板，两个侧板之间设置有至少两条晶圆盒安装槽；基座上设置有旋转驱动组件，旋转驱动组件包括至少一根旋转驱动轴，旋转驱动轴的两端分别支承于两个侧板上，其中一块侧板的外壁设置有旋转驱动件，旋转驱动件与旋转驱动轴连接并带动旋转驱动轴转动，旋转驱动组件上还设置有定位件，定位件与旋转驱动轴平行设置；其中，相对于基座下端所在的平面，晶圆盒安装槽倾斜设置，且旋转驱动轴与晶圆盒安装槽平行布置。本实用新型能够避免晶圆转动时，晶圆的上表面与晶圆盒的托板接触而导致晶圆上表面刮损。
定位装置

[发明专利]一种低等效开关电容半桥集成电路结构及制作方法-CN202310841247.5在审
发明人：张坚发;李思超;严慧 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种低等效开关电容半桥集成电路结构及制作方法，涉及集成电路技术领域，所述结构包括：掺杂衬底、第一绝缘层以及掺杂薄膜层；第一场效应管模块，设置于掺杂薄膜层上；第二场效应管模块，设置于掺杂薄膜层上，第一场效应管模块的漏极与第二场效应管模块的源极连接，掺杂薄膜层设置有第一隔离槽；第一掺杂区和/或第二掺杂区，第一掺杂区设置于掺杂衬底以形成第一PN结，第二掺杂区设置于掺杂薄膜层以形成第二PN结。通过在掺杂衬底设置有第一掺杂区形成第一PN结和/或在掺杂薄膜层设置有第二掺杂区形成第二PN结，可以等效与寄生电容额外串联电容，进而达到降低等效开关电容值的效果，有利于提高半桥电路的效率。
一种等效开关电容集成电路结构制作方法

[发明专利]具有氮化物半导体装置的电路系统-CN202310765772.3在审
发明人：田水林;崔嘉杰;肖世玉;孔鹏举;秦明柳谦 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本公开提供一种具有氮化物半导体装置的电路系统。所述电路系统包括一半导体装置、复数个逻辑信号引脚，以及复数个功率信号引脚。所述复数个逻辑信号引脚电性连接所述半导体装置。所述复数个功率信号引脚电性连接所述半导体装置。所述复数个逻辑信号引脚及所述复数个功率信号引脚沿着一第二方向配置。所述复数个功率信号引脚包括一第一引脚。所述第一引脚在一第一方向上从一第一表面延伸至一第二表面，所述第一方向实质上垂直所述第二方向，所述第一表面及所述第二表面实质上平行所述第二方向，所述第二表面实质上相对所述第一表面。
具有氮化物半导体装置电路系统

[发明专利]封装结构、电气组件和封装结构的制备方法-CN202310737288.X在审
发明人：肖世玉;曹凯 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片封装技术领域，提供一种封装结构、电气组件和封装结构的制备方法。根据本发明的封装结构，包括：中介层；第一芯片，连接于中介层的第一侧；第二芯片，连接于中介层的第二侧，中介层的第一侧和第二侧相对；散热件，连接于第二芯片；导电柱，电连接中介层且至少部分伸出于中介层的第二侧；第一塑封体，位于中介层的第一侧，适于将第一芯片固定于中介层的第一侧，且至少部分包裹第一芯片；第二塑封体，位于中介层的第二侧，适于将第二芯片固定于中介层的第二侧，且至少部分包裹第二芯片。根据本发明实施例的封装结构，通过在中介层的第二侧设置有散热件，第二芯片可以通过散热件进行散热，有效增加了第二芯片的散热能力。
封装结构电气组件制备方法

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN202310777337.2在审
发明人：张建平;曹凯 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体封装结构及其制造方法，半导体封装结构包括衬底、封装基板、金属柱体、金属层和引脚；封装基板、金属柱体和金属层安置于衬底上；金属层内开设有第一金属孔；金属柱体的第一端与封装基板电连接，金属柱体的第二端穿设第一金属孔与引脚电连接。本发明提供的半导体封装结构中的金属柱体与引脚之间直接电连接，不需要通过锡金属材料焊接，因此，使得器件在引脚和金属柱体的通流方向上没有锡金属材料，减少了锡金属材料对器件通流能力的影响，提高了器件的通流能力。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体装置及其形成方法-CN202211461634.8有效
发明人：饶剑;黄敬源;游政昇 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本揭露提供了一种半导体装置。半导体装置包含衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、栅极电极及晶格修复层。第一氮化物半导体层设置于衬底上。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上并且其带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第三氮化物半导体层被掺杂掺杂质且设置于第二氮化物半导体层上。栅极电极设置于第三氮化物半导体层上。栅极电极的第一侧面与第三氮化物半导体层的上表面界定第一角落。晶格修复层设置于第三氮化物半导体层上及第二氮化物半导体层上。晶格修复层与第一角落隔开。
一种半导体装置及其形成方法

[发明专利]氮化物基半导体IC芯片及其制造方法-CN202280004808.X在审
发明人：严慧;李思超 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种氮化物基半导体集成电路(IC)芯片(100)，其包含至少一个晶体管(Q)和被配置成用于感测所述晶体管(Q)的温度的温度传感器(T)。所述晶体管(Q)和所述温度传感器(T)形成于具有二维电子气体(2DEG)层的堆叠式半导体结构上，所述2DEG层由一个或多个隔离区(52)划分成用于形成所述晶体管(Q)的一个或多个晶体管区(53)和用于形成所述温度传感器(T)的一个或多个温度传感器区(54)。所述2DEG层具有相对较高的电阻温度系数，其可提供电阻随温度的显著变化。所得温度传感器(T)具有高温灵敏度，且因此可放宽对测量设备的精度的要求且提供高测量准确度。
氮化物半导体 ic 芯片及其制造方法

[发明专利]集成半导体器件及其制造方法-CN202180004425.8有效
发明人：曹凯;张建平;张雷;姚卫刚;周春华 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成半导体器件包含衬底、半导体电路层、第一绝缘层、第二绝缘层和互连层。半导体电路层配置在衬底上方。半导体电路层具有器件部分和隔离部分，且隔离部分位于器件部分之间。第一绝缘层配置在半导体电路层上，且第二绝缘层配置在第一绝缘层上，且互连层配置在半导体电路层上。互连层穿透第一绝缘层和第二绝缘层以电连接半导体电路层的器件部分。第二绝缘层或第一绝缘层和第二绝缘层共同地在半导体电路层的隔离部分上方形成一或多个隔离结构。互连层具有位于器件部分上方的多个第一电路。
集成半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体封装器件及其制造方法-CN202280004800.3在审
发明人：许二岗;曹凯;张雷 -专利权人： 英诺赛科（苏州）半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体器件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片和密封剂。第一半导体芯片包括第一晶体管。第二半导体芯片设置在第一半导体芯片上方并包括第二晶体管。密封剂封装第一半导体芯片。第一半导体芯片完全嵌入密封剂中，第一半导体芯片的有源表面和背表面被密封剂所覆盖。第二半导体芯片具有有源表面和背表面。第二半导体芯片的有源表面未被密封剂所覆盖。第二半导体芯片的背表面未被密封剂所覆盖且朝向所述第一半导体芯片的有源表面。
半导体封装器件及其制造方法

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