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- [发明专利]半导体装置-CN202010126783.3在审
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新田峻介;松冈长;大田浩史
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2020-02-28
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2021-03-05
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H01L23/367
- 实施方式提供能够扩大地设定安全动作区域的半导体装置。实施方式的半导体装置具备包含第一导电型的第一半导体层的半导体部、设于半导体部的表面上的电极、以及设于半导体部与电极之间的控制电极。半导体部还包含设于第一半导体层与第二电极之间的第二导电型的第二半导体层和选择性地设于第二半导体层与第二电极之间的第一导电型的第三半导体层。半导体部包含位于第二电极的中央部之下的第一区域和位于中央部的外侧的外周部之下的第二区域。第二半导体层包含在第一区域中与控制电极面对的第一部分、以及在第二区域中与控制电极面对的第二部分，第一部分中的第二导电型杂质的浓度比第二区域中的第二导电型杂质的浓度低。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201910121475.9在审
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小野升太郎;菅原秀人;大田浩史;一条尚生;山下浩明
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株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
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2019-02-19
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2020-03-24
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H01L29/06
- 本发明的半导体装置具有：第1电极；第1导电型的第1半导体区域；第2半导体区域，设于第1半导体区域的一部分上。第3半导体区域，设于第1半导体区域的其它的一部分上，在第2方向上和第2半导体区域的至少一部分并列。第4半导体区域，设于第1与第3半导体区域间的至少一部分。第5半导体区域设于第1与第4半导体区域间，其中的第1导电型杂质浓度低于第4半导体区域。第6半导体区域设于第3半导体区域上，其中的第2导电型杂质浓度高于第3半导体区域。第7半导体区域选择性地设于第6半导体区域上。栅极电极，隔着栅极绝缘层与第2、第6及第7半导体区域对置。第2电极，设于第6及第7半导体区域上，与第6及第7半导体区域电连接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510095460.1无效
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大田浩史;泉泽优;小野升太郎;山下浩明;奥畠隆嗣
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株式会社东芝
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2015-03-03
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2016-03-30
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H01L29/78
- 本发明的实施方式提供一种可一面抑制导通电阻增加，一面提升雪崩耐量的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：第1导电型的第1半导体区域、元件区域、包围元件区域的终端区域、及第2电极。元件区域包括：第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、栅极电极、及第1电极。终端区域具有第2导电型的第5半导体区域、及第2导电型的第6半导体区域。第5半导体区域是设置在第1半导体区域内。第5半导体区域是在第2方向上设置有多个。第6半导体区域是设置在第1半导体区域与第5半导体区域之间。第6半导体区域的第2导电型的杂质浓度高于第5半导体区域的第2导电型的杂质浓度。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN201210461390.3有效
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小野昇太郎;泉沢优;大田浩史;山下浩明
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株式会社东芝
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2012-11-16
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2014-01-15
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H01L29/78
- 本发明提供一种提高可靠性的半导体装置。半导体装置具备：第1半导体区域；第2半导体区域；设置于第2半导体区域，在相对第1半导体区域和第2半导体区域的叠层方向大致正交的第1方向并排设置的多个第3半导体区域；设置在元件区域的多个第3半导体区域上的第4半导体区域；设置在第4半导体区域上的第5半导体区域；隔着第1绝缘膜与第2半导体区域、第4半导体区域及第5半导体区域相接的第1电极；与第4半导体区域及第5半导体区域电连接的第2电极；与第1半导体区域电连接的第3电极；在接合终端区域的多个第3半导体区域及第2半导体区域上并排设置在第1方向的多个第4电极；与第3电极电连接，设置在多个第4电极的至少1个上的第5电极。
- 半导体装置
- [发明专利]功率用半导体装置-CN201210436214.4无效
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山下浩明;泉沢优;小野升太郎;大田浩史
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株式会社东芝
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2012-11-05
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2014-01-01
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H01L27/088
- 本发明提供开关动作时的电流的时间变化小的功率用半导体装置。实施方式所涉及的功率用半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层之上；第一导电型的第三半导体层，设置在上述第二半导体层之上；栅电极；以及栅绝缘膜，设置在上述栅电极与上述第一半导体层、上述第二半导体层、上述第三半导体层之间。通过上述第一半导体层、上述第二半导体层、上述第三半导体层、上述栅电极以及上述栅绝缘膜，形成场效应型晶体管，第一区域中的上述晶体管的阈值比第二区域中的上述晶体管的阈值高。
- 功率半导体装置
- [发明专利]电力用半导体装置-CN201210051614.3有效
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大田浩史;角保人;木村淑;铃木纯二;入船裕行
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株式会社东芝
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2012-03-02
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2012-09-26
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H01L29/78
- 实施方式的电力用半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(1)；设置于其上的第1导电型的第2半导体层(3)；设置于第2半导体层中的多个柱状的第2导电型的第3半导体层(4)；设置于第3半导体层的上端部的多个岛状的第2导电型的第4半导体层(5)；多个第1导电型的第5半导体层(6)；多个第2导电型的第6半导体层(8)；栅电极(11)；层间绝缘膜(12)；第1电极(13)以及第2电极(14)。第5半导体层设置于第4半导体层的表面。第6半导体层将相邻的两个第4半导体层相互连接起来。第1电极与第1半导体层连接。第2电极通过层间绝缘膜与栅电极绝缘，且经由栅电极的开口部与第4半导体层以及第5半导体层连接。
- 电力半导体装置
- [发明专利]功率半导体装置-CN201110277860.6有效
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大田浩史;角保人;木村淑;铃木纯二;入船裕行;斋藤涉;小野升太郎
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株式会社东芝
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2011-09-19
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2012-04-18
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H01L29/78
- 一种功率半导体装置，在第一导电型的第一半导体层(1)的第一表面上，相邻接地包括第一柱区域(6)、第二柱区域(10)、及第一导电型的外延层(3)。第一柱区域(6)具有交替配置的多个第二导电型的第一柱层(4)及多个第一导电型的第二柱层(5)，多个第二导电型的第一基极层(11)相隔开地连接在多个第一柱层(4)的各个之上。第二柱区域(10)相邻接地具有第二导电型的第三柱层(7)、第一导电型的第四柱层(8)、及第二导电型的第五柱层(9)。多个第二导电型的第二基极层(12)相隔开地连接在第三柱层及第五柱层的各个之上。多个源极层选择性地形成在多个第一基极层各自的表面。
- 功率半导体装置
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