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[发明专利]半导体装置-CN202210563731.1在审
发明人：松井俊之;内藤达也;上村和贵 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备半导体基板，该半导体基板具有二极管部，二极管部具备：第二导电型的阳极区，其设置在半导体基板的正面；沟槽部，其在半导体基板的正面，沿预先设定的延伸方向延伸地设置；沟槽接触部，其设置在半导体基板的正面；以及第二导电型的插塞区，其设置在沟槽接触部的下端，并且掺杂浓度比阳极区的掺杂浓度高，插塞区沿延伸方向分散地设置。
半导体装置

[发明专利]用于制造氧化物半导体装置的设备和方法-CN201410532625.2无效
发明人：郭成昊;赵珉煐;郑珩仑 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：此处公开了一种用于制造氧化物半导体装置的设备，其中，通过对形成在基板上的氧化物半导体进行热处理来制造所述氧化物半导体装置，包括：基板安放板，其用于固定具有氧化物半导体的基板；光源，其面向所述基板安放板并且与所述基板安放板隔开，并且向所述氧化物半导体施加光以向所述氧化物半导体供给光能；以及光学系统，其用于将从光源发射的光聚焦到所述氧化物半导体上。
用于制造氧化物半导体装置设备方法

[发明专利]半导体装置和穿通电极测试方法-CN201110037557.9无效
发明人：出羽光明 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-02-14 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置和穿通电极测试方法。该半导体装置包括：半导体基板；集成电路，形成在半导体基板的第一主表面上；穿通电极，在厚度方向上贯通半导体基板，并且其一端电连接到集成电路；凸块电极，形成在半导体基板的第二主表面上，并且电连接到穿通电极的另一端；以及测试焊盘电极，形成在半导体基板的第二主表面上，并且电连接到凸块电极。
半导体装置通电测试方法

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN200880113589.9有效
发明人：竹井美智子;高藤裕;福岛康守;富安一秀;史蒂芬·罗伊·德鲁斯 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-10-14 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够提高形成在半导体基板上的半导体芯片的表面平坦性，抑制在表面具有绝缘性的基板上移动的半导体芯片的电气特性的偏差，并且改善制造成品率。本发明的半导体装置的制造方法是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，上述制造方法按顺序包括如下工序：在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成平坦的第一绝缘图案膜的工序；形成第二绝缘膜并研磨上述第二绝缘膜来形成平坦化膜的工序；隔着上述平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质来形成剥离层的工序；将上述半导体芯片从与半导体基板相反的一侧转移到在上述表面具有绝缘性的基板上的工序；以及沿着剥离层分离该半导体芯片的工序。并且，本发明还提供由上述制造方法所制作的半导体装置。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]图像传感器芯片级封装-CN201910922670.1有效
发明人：范纯圣 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：像素阵列嵌入在半导体基板的基板顶表面中。半导体基板包括围绕像素阵列的半导体基板的外围区域中的多个导电焊盘。坝至少部分地围绕像素阵列并且位于(i)防护玻璃和半导体基板之间，以及(ii)像素阵列和多个导电焊盘之间的基板顶表面的区域上。粘合层(i)位于防护玻璃和半导体基板之间，(ii)至少部分地围绕坝，并且(iii)被配置为将防护玻璃粘合到半导体基板。
图像传感器芯片级封装

[发明专利]半导体装置-CN201310049014.8无效
发明人：小仓常雄;末代知子;押野雄一;二宮英彰 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供单芯片化后的IGBT以及二极管的特性良好的半导体装置。其中，IGBT单元和二极管单元形成于一个第一导电型的半导体基板。该半导体装置具备：形成在半导体基板的下面侧表层部的IGBT单元区域中的第二导电型的第一半导体层；形成在半导体基板的下面侧表层部的与IGBT单元区域相邻接的区域中的第一导电型的第二半导体层；在半导体基板的上面侧表层部隔开规定间隔而形成的栅电极；形成在栅电极之间的第一导电型的第三半导体层以及第二导电型的第四半导体层；在IGBT单元区域中形成在第一半导体层上方的第一导电型的第五半导体层；形成在第三半导体层以及第四半导体层上的第一电极；以及设置在半导体基板的下面侧的第二电极
半导体装置

[发明专利]半导体基板与半导体装置-CN201810862779.6有效
发明人：骆统;杨令武;杨大弘;陈光钊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种半导体基板与半导体装置，所述基板包括多个芯片。每个芯片包括至少一阵列区与至少一周边电路区。所述半导体基板具有多个沟道，设置于阵列区以及/或是周边电路区，其中沟道的深度与半导体基板的厚度之比在0.001至0.008之间，且所有沟道的面积占半导体基板的总面积为5％至90％之间。
半导体装置

[发明专利]在基板上搭载半导体结构体的半导体装置及其制造方法-CN201010610892.9无效
发明人：肋坂伸治 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含：半导体结构体，该半导体结构体具有半导体衬底和凸设在半导体衬底表面的外部连接用电极；搭载半导体结构体的基板；和密封层，该密封层层叠在除了外部连接用电极以外的半导体衬底上、和包含半导体衬底侧面的基板上
基板上搭载半导体结构装置及其制造方法

[发明专利]半导体激光装置-CN201010264997.3无效
发明人：谷川巧;清水源;三桥大树 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制半导体激光元件的大型化，并且抑制发光部间隔变大，提高生产率的半导体激光装置。该半导体激光装置具备：第一半导体激光元件；第二半导体激光元件，其是单片型的多波长半导体激光元件。第二半导体激光元件包括半导体基板，第二半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变大。
半导体激光装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010103580.2在审
发明人：黄竞加;吕增富 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一半导体基板、第二半导体基板、耗尽层、隔离结构、第一栅极结构以及第二栅极结构。第二半导体基板位于第一半导体基板上。第一半导体基板与第二半导体基板分别具有第一主动区与重叠于第一主动区的第二主动区。耗尽层设置于第一主动区与第二主动区之间。隔离结构围绕第一主动区与第二主动区。第一栅极结构设置于第二主动区中。借此，本发明的半导体结构，可以改善半导体结构的效能。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]互感器均压环及使用该均压环的电压互感器-CN201820961676.0有效
发明人：赵小莹;赵亚中;李开放 -专利权人：河南森源电气股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01F27/34 文献下载
摘要：其中互感器均压环包括金属基板和设置在金属基板宽度方向两侧的边缘的半导体胶条，所述半导体胶条上粘贴有半导体胶带，所述半导体胶带沿金属基板宽度方向跨接在金属基板和半导体胶带上，并且/或者连接在半导体胶条背向金属基板的一侧和金属基板背向半导体胶条的板面之间采用该方案能够通过半导体胶带对半导体胶条起到固定作用，避免现有的均压环弯曲成环形时半导体胶条容易剥离的问题，用于电压互感器时能够避免因均压环脱落而影响电压互感器的可靠性和使用寿命的问题。
均压环半导体胶金属基板互感器半导体胶带电压互感器本实用新型固定作用使用寿命影响电压板面跨接粘贴剥离

[实用新型]一种半导体芯片-CN201921666984.1有效
发明人：谢云云;闫世亮 -专利权人：上海北芯半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体芯片，包括塑脂、基板和半导体管芯，所述基板内安装有引线框架，所述引线框架内安装有金线，所述半导体管芯安装固定在基板，半导体管芯内嵌入固定有导线，且导线与引线框架内安装金线电连接，半导体管芯内安装有假连接垫，假连接垫与引线框架一一对应，基板的后端面开设有外电性节点，且外电性节点内均匀点焊有导针，半导体管芯和基板的外表面采用塑脂材质封装，且半导体管芯和基板与塑脂材质均采用电镀封装，半导体管芯为逻辑管芯，且半导体管芯为高带宽存储器。本实用新型具备节省半导体封装测试的进口原料成本及时间成本的优点。
一种半导体芯片

[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体装置-CN200980109236.6有效
发明人：杉山正和;霜垣幸浩;秦雅彦;市川磨 -专利权人：国立大学法人东京大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板
半导体制造方法装置

[发明专利]半导体器件-CN201210316400.4无效
发明人：松冈信孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供能抑制电流向耐压区域附近集中和电力损耗的半导体器件。本发明的半导体器件，其特征在于，具有：第1导电型的半导体基板；第1主电极，设置在所述半导体基板的一侧；第2导电型的第1半导体层，在所述半导体基板的另一侧与所述半导体基板的边缘部分离设置；多个第2导电型的第2半导体层，在所述半导体基板的另一侧于所述边缘部和所述第1半导体层之间选择性地设置；绝缘膜，设置成从所述边缘部覆盖所述第1半导体层的一部分；导电膜，设置成覆盖所述绝缘膜及所述第1半导体层的一部分；及第2主电极，设置成与所述第1半导体层及所述导电膜相接。
半导体器件

[发明专利]多晶金刚石自立基板的制造方法-CN201980084289.0在审
发明人：古贺祥泰 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够制造层叠有高品质的化合物半导体层的多晶金刚石自立基板的多晶金刚石自立基板的制造方法。将含有金刚石粒子的溶液涂布于化合物半导体基板(10)上，然后，对化合物半导体基板(10)实施热处理，由此使金刚石粒子(14)附着于化合物半导体基板(10)上。以金刚石粒子(14)为核心，通过化学气相沉积法，在化合物半导体基板(10)上使厚度为100μm以上的多晶金刚石层(16)生长。然后，对化合物半导体基板(10)进行减厚而形成化合物半导体层(18)。经这些工序，获得多晶金刚石层(16)作为化合物半导体层(18)的支撑基板而发挥作用的多晶金刚石自立基板(100)。
多晶金刚石自立制造方法