[发明专利]半导体激光装置无效
| 申请号： | 201010264997.3 | 申请日： | 2010-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102005698A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 谷川巧;清水源;三桥大树 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制半导体激光元件的大型化，并且抑制发光部间隔变大，提高生产率的半导体激光装置。该半导体激光装置具备：第一半导体激光元件；第二半导体激光元件，其是单片型的多波长半导体激光元件。第二半导体激光元件包括半导体基板，第二半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光装置，其特征在于，具备：第一半导体激光元件；第二半导体激光元件，其与所述第一半导体激光元件相邻配置，且是单片型的多波长半导体激光元件；搭载部件，其通过下连接方式搭载所述第一半导体激光元件及所述第二半导体激光元件，所述第二半导体激光元件包括半导体基板，所述第二半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与所述第一半导体激光元件相对置的侧面相对于所述半导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开所述搭载部件而与所述第一半导体激光元件的距离变大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010264997.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：交互式投影机模块
- 下一篇：一种高可靠的电动车电机防盗方法
- 同类专利
- 光半导体装置-201710633483.2
- 中村直干;中井荣治 - 三菱电机株式会社
- 2017-07-28 - 2019-11-01 - H01S5/32
- 本发明的目的在于，得到一种能够抑制对接界面处的电流集中而使可靠性提高的光半导体装置。在n型半导体衬底(1)之上设置有n型包层(2)。在n型包层(2)之上设置有半导体激光器的有源层(3)和波导的波导层(4)。有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面相对。在有源层(3)及波导层(4)之上设置有p型包层(5)。中间层(8)设置于有源层(3)的侧面与波导层(4)的侧面之间及n型包层(2)与波导层(4)之间，没有设置于有源层(3)之上，带隙比波导层(4)的带隙大。
- SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法-201811082941.9
- 舒斌;高玉龙;张利锋;胡辉勇;王斌;王利明;韩本光;张鹤鸣 - 西安电子科技大学
- 2018-09-17 - 2019-10-29 - H01S5/32
- 本发明公开了一种SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器及其制备方法。方法包括：在Si衬底的表面形成p型Si1‑xGex层；在p型Si1‑xGex层的表面形成SiN层；将SiN层的中间区域刻蚀掉，使两端的SiN层和底部的p型Si1‑xGex层形成一凹槽；在凹槽内形成n型Ge层，且n型Ge层的厚度与SiN层的厚度相同；在SiN层表面和n型Ge层的表面形成n型Si1‑xGex层；在n型Si1‑xGex层的表面形成Si帽层；在Si帽层上形成电极。本发明的SiGe/Ge/SiGe双异质结激光器又具有较高的光电转换效率和较低的阈值电流密度，光稳定性好；其制备方法既能够兼容CMOS工艺，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。
- 半导体激光器及其制作方法-201710147067.1
- 黄莹;刘建平;程洋;黄思溢;张书明;李德尧;张立群;杨辉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2017-03-13 - 2019-10-18 - H01S5/32
- 本发明提供一种半导体激光器及其制作方法，所述半导体激光器包括衬底、设置于所述衬底上的下限制层及设置于所述下限制层上的下波导层、第一掩膜波导、第二掩膜波导，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导分别位于所述下波导层的两侧，所述半导体激光器还包括依次叠层设置于所述下波导层上的有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层及接触层，所述接触层分别延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面。本发明提供的半导体激光器，能够增加接触层的接触面积，减小接触电阻，降低热损耗，提升半导体激光器的性能。
- 半导体激光芯片及半导体激光装置-201710176874.6
- 方瑞禹 - 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
- 2017-03-22 - 2019-09-20 - H01S5/32
- 本公开是关于一种半导体激光芯片及半导体激光装置，该半导体激光芯片包括：基板；设于所述基板上的有源层；设于所述有源层上的限制层，其中，隔断面将所述有源层和所述限制层分别隔断；设于所述隔断面上的P型层以及设于所述P型层上的N型层；设于所述P型层和所述N型层上方且与所述P型层、所述N型层和所述限制层均接触的包层；设于所述包层上的电接触层；以及隔离槽，所述隔离槽位于被隔断的所述有源层之间，并且所述隔离槽将所述电接触层、所述包层、所述N型层和所述P型层隔断。本公开提高了单位尺寸上半导体激光芯片的良品率。
- 半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置-201610804876.0
- 方瑞禹 - 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
- 2016-09-06 - 2019-09-03 - H01S5/32
- 本发明提出一种半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置，本发明的半导体激光芯片，包括芯片单元和形成于所述芯片单元上的电极，所述芯片单元包括有源层，所述芯片单元一端形成有凹槽，所述凹槽的侧壁上形成有第一膜层，所述芯片单元上与所述凹槽的侧壁相对的表面上形成有第二膜层，且所述第一膜层和所述第二膜层的反射率不同。本发明的半导体激光芯片可提高生产效率和产品质量。
- 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法-201910307014.0
- 黎大兵;王勇;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭;刘新科 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2019-04-17 - 2019-06-14 - H01S5/32
- 电泵浦深紫外AlGaN半导体激光器及其制备方法涉及半导体激光器制造技术领域，解决了无法实现更短发光波长的问题，包括从下至上依次设置的衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN限制层、n型AlGaN波导层、AlGaN有源层、p型AlGaN波导层、p面高反射率限制层，还包括设置在n型AlGaN限制层上且不连接n型AlGaN波导层的n面电极、设置在p型AlGaN波导层上且不连接p型AlGaN波导层的p面电极。方法包括在衬底上外延生长、p型掺杂；光刻、刻蚀电极图形；沉积金属电极；制备谐振腔面；腔面膜沉积。本发明降低了器件的阈值密度电流密度、提高器件的内量子效率、降低发光波长；制备方法工艺简单且应用前景广阔。
- 一种高功率准连续半导体激光器芯片-201811625897.1
- 李青民;孙丞;仇伯仓;李波 - 西安立芯光电科技有限公司
- 2018-12-28 - 2019-04-12 - H01S5/32
- 本发明提出一种高功率准连续半导体激光器芯片。该高功率准连续半导体激光器芯片的P型限制层为台阶形态，其中，台阶上层限于台阶基础的中部区域，所述P型接触层限于该台阶上层的表面，所述绝缘层在器件表面相应形成弯折形态，依次覆盖于：1)P型接触层表面未被金属电极覆盖的区域、2)P型接触层侧面和所述台阶上层的侧面、以及3)所述台阶基础的表面。本发明结构简明，有效降低了器件的阈值电流、远场发散角，改善了器件性能，同时保证了其可靠性不受影响，使其满足要求更高的场合。
- 一种半导体激光器件及其制作方法-201810525613.5
- 胡海;何晋国 - 深圳瑞波光电子有限公司
- 2018-05-28 - 2018-11-30 - H01S5/32
- 本申请公开了一种半导体激光器件及其制作方法。该半导体激光器件包括：半导体芯片，包括依次层叠设置的第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层；第一绝缘保护层，设置在半导体芯片的侧面上，用于覆盖第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层的侧面；焊料层，第一金属层设置在焊料层上；其中，第一绝缘保护层用于隔绝焊料层和第一金属层、第一半导体层、PN结层、第二半导体层以及第二金属层的接触。通过上述方式，本申请能够提高半导体激光器件的成品率和可靠性。
- 日盲紫外单光子源-201721793763.1
- 陈飞良;李沫;李倩;张晖;黄锋;李舒啸;张健 - 中国工程物理研究院电子工程研究所
- 2017-12-20 - 2018-08-03 - H01S5/32
- 本实用新型公开了一种日盲紫外单光子源，包括由宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜，pin结构的禁带宽度大于4.43 eV，且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料，从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制；本实用新型对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用，既可垂直于衬底发射，也可平行于衬底发射，因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源；其发射波长在小于280 nm的日盲波段，且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发射，可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、近距离保密通信、量子精密测量相关领域。
- 一种片内堆积多有源区半导体巴条激光器芯片-201721503477.7
- 周立 - 苏州长光华芯光电技术有限公司
- 2017-11-13 - 2018-07-10 - H01S5/32
- 本实用新型公开了一种片内堆积多有源区半导体巴条激光器芯片，包括：两个堆叠串联的有源区，其中，上有源区(101)和下有源区(103)之间通过隧道结(102)串联，在巴条发光单元(1)之间刻蚀一条平行于发光方向的隔离槽(2)，隔离槽依次贯穿上有源区(101)、隧道结(102)及下有源区(103)，其中，所述隧道结(102)是高掺杂的PN结，P层与N层厚度分别约5～10nm，掺杂浓度大于1019cm‑3，且隧道结界面必须是陡峭，即隧道结P层N层两侧的掺杂源扩散要小。
- 半导体装置的制造方法、半导体装置及其制造系统-201510011808.4
- 森田大介;河原弘幸;木村晋治 - 三菱电机株式会社
- 2015-01-09 - 2018-02-16 - H01S5/32
- 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置、以及半导体装置的制造系统，能够减小光调制器部的光致发光波长与激光部的振荡波长的差值的波动。其特征在于，具有第一工序，在该工序中，在衬底上形成下部光限制层、光吸收层和上部光限制层，去除它们的一部分，从而形成光调制器部；第二工序，在该工序中，在该衬底的没有形成该光调制器部的部分，形成具有衍射光栅的激光部；形成扩散抑制层的工序，在该工序中，在该上部光限制层的上方形成抑制掺杂物扩散的扩散抑制层；以及第三工序，在该工序中，在该激光部和该扩散抑制层的上方形成接触层。而且，使该接触层的掺杂物的种类与该上部光限制层的掺杂物的种类一致。
- 半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法-201710339986.9
- 艾尔弗雷德·莱尔;安德烈亚斯·莱夫勒;克里斯托夫·艾希勒;贝恩哈德·施托耶茨;安德烈·佐默斯 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2017-05-15 - 2017-11-24 - H01S5/32
- 提出一种半导体芯片(100)，所述半导体芯片具有第一半导体层(1)，所述第一半导体层沿着至少一个延伸方向具有材料组成的横向变化。此外，提出一种用于制造半导体芯片(100)的方法。
- 一种基于半导体激光器的复合波导外延结构-201710540494.6
- 范杰;陈琦鹤;邹永刚;马晓辉;王海珠;孙胜明 - 长春理工大学
- 2017-07-05 - 2017-08-18 - H01S5/32
- 本发明公开了一种基于半导体激光器的复合波导外延结构，依次包括P型限制层、P面复合波导层、有源层、N面复合波导层和N型限制层，P面复合波导层和N面复合波导层共同构成外延结构的波导层，所述P面复合波导层和N面复合波导层分别由若干亚波导层构成，若干亚波导层材料体系一致，若干亚波导层之间材料组分含量有变化，使得波导层内材料组分在有源层单侧或双侧呈单调变化分布，从而改变波导层内电阻率分布及能带分布，有效地提高了载流子的注入效率并降低了器件的输入功率。与此同时，该复合波导外延结构可以调控波导中的折射率分布，从而保证器件内光场分布和输出光功率，最终提升器件的电光转换效率。
- 一种具有腔面非注入区结构的半导体激光器制作方法-201710039599.3
- 龙衡;王文杰;李沫;李俊泽;张健 - 中国工程物理研究院电子工程研究所
- 2017-06-19 - 2017-07-28 - H01S5/32
- 本发明公开了一种具有腔面非注入区结构的半导体激光器制作方法，其主要步骤包括（1）在半导体激光器外延片正面制作带状p型欧姆接触；（2）依次刻蚀获得条形p型欧姆接触和脊型波导结构；（3）沉积绝缘介质并制作电注入窗口；（4）制作p型欧姆接触的加厚电极；（5）将衬底减薄抛光后在背面制作n型欧姆接触；（6）解理形成半导体激光器的腔面，在前后腔面分别蒸镀增透膜、高反膜。本发明可以在腔面附近实现非注入区结构以及高质量的欧姆接触，提高半导体激光器的最大输出光功率，而且制作工艺简单、易于实现，在半导体激光器领域特别是大功率半导体激光器具有良好的应用前景。
- 一种共面电极的边发射半导体激光器-201610948459.3
- 赵泽平;刘宇;张一鸣;张志珂;刘建国;祝宁华 - 中国科学院半导体研究所
- 2016-10-26 - 2017-01-18 - H01S5/32
- 一种共面电极的边发射半导体激光器，包括一衬底、两个N电极和一个P电极，所述P电极位于两个N电极中间，其中，两个N电极的顶面与所述P电极的上表面位于同一水平面。本发明通过将边发射的半导体激光器的N极制备在衬底的上表面，通过绝缘材料将N极与P极制备在同一平面，形成共面电极结构；相比于异面电极结构的激光器，减小了N极与P极的纵向距离，有效地减小了激光器芯片的寄生电容和寄生电阻，提高了芯片的调制速率，同时更容易实现芯片的测试和封装工作；本发明可直接采用倒装焊技术，避免金丝的使用，减小封装中的寄生电感；本发明的共面电极的边发射半导体激光器结构适用于高速光电子发射器件中。
- 用于制造发射辐射的器件的方法以及发射辐射的器件-200880118278.1
- P·布里克;U·斯特劳斯 - 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
- 2008-10-24 - 2016-11-30 - H01S5/32
- 本发明涉及一种用于制造发射辐射的器件(1)的方法，其中在与该器件的主辐射轴垂直的方向上，预先规定近场的场变化曲线(101，201)。沿着该方向，根据所述近场的场变化曲线确定折射率分布图(111，211，511)。为该器件确定构造，使得该器件具有之前确定的折射率分布图。根据之前确定的构造来构造器件。此外还说明一种发射辐射的器件。
- 一种激光器的制备方法-201610534227.3
- 郭经纬;武晓琴;刘妍;徐朝鹏;王海燕 - 燕山大学
- 2016-07-08 - 2016-11-23 - H01S5/32
- 一种激光器的制备方法，所述方法包括如下步骤：a、将衬底表面处理干净；b、在清洁的衬底表面利用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺制备锥状n型欧姆接触层；c、在n型欧姆接触层表面制备n型限制层；d、在n型限制层表面制备本征层；e、在本征层表面制备p型限制层；f、在p型限制层表面制备p型欧姆接触层。本发明发光面积大、发光角度可调、效率高。
- 铒、镱和铈离子掺杂的正硅酸盐晶体及其激光器件-201510674088.X
- 王晗;黄艺东;陈雨金;黄建华;龚兴红;林炎富;罗遵度 - 中国科学院福建物质结构研究所
- 2015-10-16 - 2016-01-13 - H01S5/32
- 铒、镱和铈离子掺杂的正硅酸盐晶体及其激光器件，涉及激光晶体和器件领域。该类晶体属于单斜晶系,分子式为：(ErxYbyCezRe(1-x-y-z))2SiO5，其中x＝0.002～0.02，y＝0.03～0.5，z＝0.01～0.6,且x+y+z≤1；Re为Sc、Y、La、Gd、Lu元素中某一元素或若干元素的组合。采用此类晶体作为增益介质，利用976nm附近波段的半导体激光泵浦，可实现高性能的1.55μm波段固体激光输出。
- 一种p型氧化锌薄膜的激光组件-201510643766.6
- 龙腾 - 深圳市雅特世纪照明有限公司
- 2015-10-08 - 2015-12-16 - H01S5/32
- 本发明提供一种p型氧化锌薄膜的激光组件，其特征在于：包括若干组灯条，每组灯条由偶数个激光二极管串联连接而成，所述激光二极管之间通过导线连接，每组灯条之间两两相交并联连接，所述每组灯条相交于中间导线处，若干组灯条相交组成圆形放射形状，所述灯条均匀分布于该圆形放射形状内部，所述中间导线引出一端点，由该端点与外界的电子元器件连接。本发明的激光二极管直接通过导线串联连接，各灯条之间两两并联，省去了PCB板就能形成激光组件，同时采用镁砷共掺杂的p型氧化锌薄膜二极管，明显提高了激光二极管的光学质量。
- 用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法-201510602924.3
- 汤庆敏;张新;刘存志;张骋;徐现刚 - 山东华光光电子有限公司
- 2015-09-21 - 2015-11-18 - H01S5/32
- 一种用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法，该芯片厚度为125-145μm，衬底层的N电极和有源区P面电极之间距离为125-145μm；有源区P面电极的正投影面积仅存有源区P面电极与P面电极焊盘区域。在芯片制备过程，优选了芯片有源区P面电极的结构设计，减小有源区P面电极面积至仅存P面脊区与焊盘区域，其脊区偏向芯片一端，将焊盘位于芯片中央可实现脉冲驱动下的650半导体激光器更高的频率响应时间，从而实现通信的高速传输。本发明提升了半导体激光芯片的频率响应时间，满足高频通信中采用的脉冲驱动，从而可以将廉价的650半导体激光器用于通信的光源，从而达成了塑料光纤取代石英光纤而实现高速传输的目的。
- 一种具有隧道结结构的边发射半导体激光器及其制备方法-201510077277.9
- 计伟;曲智龙 - 北京牡丹视源电子有限责任公司
- 2015-02-13 - 2015-06-03 - H01S5/32
- 本发明涉及一种具有隧道结结构的边发射半导体激光器，包括N面电极1、具有隧道结结构的外延结构，光刻具有隧道结结构的外延结构两侧形成脊形台，在形成脊形台的外延结构表面沉淀电绝缘层8，电绝缘层上层叠P面电极9。本发明提供的这种具有隧道结结构的边发射半导体激光器，减少了P型限制层中空穴的损耗，提高了载流子的注入效率，从而提高了器件的输出功率；同时消除了某些半导体P型重掺杂较为困难的问题，降低了器件的工作电压，从而提高了半导体激光器的功率转化效率。本发明提供的这种具有隧道结结构的边发射半导体激光器，广泛适用于各种材料系的边发射半导体激光器。
- 一种高可靠性的红光半导体激光器-201410486690.6
- 朱振;李沛旭;张新;蒋锴;徐现刚 - 山东华光光电子有限公司
- 2014-09-22 - 2015-01-07 - H01S5/32
- 一种高可靠性的红光半导体激光器，发射波长为630-690nm，其结构从下至上依次为衬底、下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层。在传统半导体激光器结构基础上对波导层进行掺杂，使有源区同PN结分离，PN结的强电场会吸引有源区的可移动缺陷，从而使激光器的可靠性得到改善。同时上波导层的掺杂原子可以阻止上限制层的高掺杂浓度原子向有源区的扩散，降低了激光器连续工作时的功率衰减。由于对波导层进行了掺杂，使得激光器的串联电阻减小，提高了转换效率，降低了焦耳热的产生，进一步提高了红光激光器长期工作的可靠性。
- 一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构及制作方法-201410531269.2
- 唐祖荣;周勇;陈文胜;段利华;吴天伟;田坤 - 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 2014-10-10 - 2014-12-24 - H01S5/32
- 本发明提供一种能提高电隔离能力的脊波导芯片结构，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下限制层、下波导层、有源层、上波导层、P型上限制层、P型高掺杂层和N型隔离层，所述N型隔离层和P型高掺杂层上设有电流注入窗口，所述电流注入窗口设有在所述P型高掺杂层和P型上限制层中行进的脊波导，所述脊波导包括脊形台面和沟槽，所述有源层的发光窗口位于所述电流注入窗口下，除所述电流注入窗口下的有源层发光窗口对应的脊形台面外，剩余面均设有SiO2隔离膜。本发明还提供一种前述脊波导芯片结构的制作方法。本发明能有效改善芯片的电流限制能力，增强器件的电隔离能力，同时减少SiO2隔离膜的厚度，降低后工序的工艺难度。
- 应变平衡的激光二极管-201280009005.X
- R·巴特;D·S·兹佐夫;C-E·扎 - 康宁股份有限公司
- 2012-02-02 - 2013-10-23 - H01S5/32
- 根据本公开的概念，预计一些激光二极管波导配置，其中在激光器的波导层中的Al的使用是以包含光约束阱(22；InGaN)以及应变补偿势垒(24；Al(In)GaN)的InGaN/Al(In)GaN波导上层结构的形式出现的。选择光约束阱（22）的成分，以使它们即便在存在Al(In)GaN应变补偿势垒（24）时也提供很强的光约束但不吸收激光发射。选择应变补偿势垒（24）的成分，以使Al(In)GaN表现出拉伸应变，该拉伸应变补偿了InGaN光约束阱（22）的压缩应变但不妨碍光约束。
- 一种构筑电泵浦回音壁模ZnO紫外微激光器的制备方法-201210402497.0
- 徐春祥;朱刚毅;理记涛;田正山;石增良 - 东南大学
- 2012-10-19 - 2013-01-30 - H01S5/32
- 本发明公开了一种构筑电泵浦回音壁模ZnO紫外微激光器的制备方法。该方法利用气相传输法或水热法制备出ZnO微米棒单晶，然后将单根ZnO微米棒转移到有缓冲层的p型氮化镓(GaN)上，通过对缓冲层的处理，使ZnO微米棒与p型GaN之间形成接触良好的异质结。接着在其表面制备一层绝缘薄膜，采用反应离子刻蚀或者光刻技术把ZnO微米棒表面刻蚀出来，然后将石墨烯转移到ZnO微米棒上，使石墨烯与ZnO微米棒形成良好的接触；最后在p型GaN表面制备金属电极，构成完的石墨烯/n型ZnO微米棒/p型GaN异质结微激光器。该方法制备的微激光器利用了石墨烯的高载流子浓度和高透光性，可实现了高品质的紫外激光输出。
- 一种微激光器阵列的制备方法-201210014439.0
- 徐春祥;朱刚毅;戴俊;林毅;理记涛;田正山 - 东南大学
- 2012-01-17 - 2012-08-01 - H01S5/32
- 本发明公开了一种n型氧化锌微米棒/p型氮化镓微激光器阵列的制备方法。该方法首先利用气相传输法或水热法制备出氧化锌（ZnO）微米棒单晶，然后将单根ZnO微米棒集成在表面镀有一层金属锌（Zn）薄膜的p型氮化镓(GaN)，经过退火后，金属Zn薄膜完全变为ZnO薄膜，这样ZnO微米棒与p型GaN之间就形成了异质结。在镀有透明导电薄膜（如：氧化铟锡（ITO）、氧化锌铝（ZAO）等）玻璃一端再镀上一层金（Au）电极，然后将透明导电玻璃的扣在集成好ZnO微米棒的p型GaN衬底上，在透明导电玻璃和p型GaN之间注入环氧乙酯，通过对环氧乙酯退火固定器件的内部结构，最后在p型GaN表面制备电极,构成完整的器件。
- 一种微纳米激光二极管的制备方法-201210013790.8
- 徐春祥;朱刚毅;戴俊;林毅;石增良;理记涛 - 东南大学
- 2012-01-17 - 2012-07-11 - H01S5/32
- 本发明公开了一种微纳米激光二极管的制备方法，该方法首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层P型聚合物半导体薄膜，如聚乙烯基咔唑(PVK)、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑(PPV)、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等P型半导体聚合物，然后将单根氧化锌(ZnO)微米棒集成在旋涂p型半导体聚合物的p型GaN薄膜表面形成异质结，然后在集成有ZnO微米棒的p型GaN表面制备一层绝缘薄膜（如：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，聚二甲基硅氧烷(PDMS),二氧化硅(SiO2),三氧化二铝(Al2O3)等有机或者无机透明绝缘材料），接着采用反应离子刻蚀或者光刻技术把ZnO微米棒表面刻蚀出来，最后分别在GaN和ZnO微米棒表面制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。
- 多束相干激光发射的二极管源-201080032186.9
- 法西利·艾凡诺维奇·夏维金;维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼;阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克 - 通用纳米光学有限公司
- 2010-07-07 - 2012-05-23 - H01S5/32
- 一种多束相干激光二极管源，包括：主激光器，线性放大器以及两个垂直放大器。该主激光器和放大器以单个异质结的形式，包含：有源层，两个限制层以及具有流入层的发射流入区。该异质结的特征在于，异质结的折射率(neff)与流入层的折射率(nIN)的比率。该比率neff∶nIN被确定为从1+δ延伸到1-γ的范围，其中δ和γ由远小于1的数来定义并且γ大于δ。线性放大器被定位为使得来自主激光器的发射传播的光轴与线性放大器的轴一致。每个垂直放大器具有输出边缘并且被定位以便其光轴处于与线性放大器的轴成直角。在放大器轴交叉点处设置一元件，用于将一部分发射从线性放大器流至垂直放大器。该元件包括反射面，该反射面在流入层厚度的20％至80％的范围内与异质结的一部分流入区以及有源层相交，并且与放大器轴形成45°的倾斜角度。根据二极管源的另一实施方式，沿着垂直放大器的有源区设置一输出元件，该输出元件包括以45°角并且在流入层的厚度的30％至80％与包括有源层的异质结层的平面相交。该技术效果是激光发射强度增强，更高的有效性和可靠性，更长的工作寿命，以及改进的调制速度和简化的制造技术。
- 二极管激光器、集成二极管激光器以及集成半导体光放大器-200980120976.X
- 法西利·艾凡诺维奇·夏维金;维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼;阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克;尹戈尔·皮特罗维奇·亚雷玛 - 通用纳米光学有限公司
- 2009-06-03 - 2011-05-11 - H01S5/32
- 本发明涉及三种类型的激光光源：二极管激光器、集成二极管激光器(以集成连接二极管激光器的形式)以及集成半导体光放大器(以集成连接驱动二极管激光器和半导体放大元件的形式)，其放大器由二极管激光器的新光谐振器和新激光器辐射耦合组成。落入上述三种类型的激光辐射源中的二极管激光器的光谐振器中的两个反射器在其两侧上具有最大可能反射系数，绕开活性层，通过具有几乎完全抗反射(小于0.01％)光学面的二极管激光器的本发明改进的异质结构的宽带半导体层，实现活性层的辐射耦合。本发明使得可以设计高功率、高性能、高速且可靠的三种类型的宽波长带中的单频率、单模和多模高质量激光器辐射源，以简化制造、降低生产成本。
- 半导体激光装置-201010264997.3
- 谷川巧;清水源;三桥大树 - 三洋电机株式会社
- 2010-08-26 - 2011-04-06 - H01S5/32
- 本发明提供一种能够抑制半导体激光元件的大型化，并且抑制发光部间隔变大，提高生产率的半导体激光装置。该半导体激光装置具备：第一半导体激光元件；第二半导体激光元件，其是单片型的多波长半导体激光元件。第二半导体激光元件包括半导体基板，第二半导体激光元件的半导体基板的侧面中的与第一半导体激光元件相对置的侧面相对于半导体基板的主面的法线方向倾斜成随着离开搭载部件而与第一半导体激光元件的距离变大。
- 专利分类
