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[发明专利]用于长距离光纤传输的激光器芯片及其制备方法-CN202310791691.0在审
发明人：王中和 -专利权人：欧润光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于长距离光纤传输的高速直接调制激光器芯片，包括由左向右依次排列的一半导体激光器、一电隔离区、一啁啾补偿二极管，第一电极连接所述激光器，所述激光器通过所述第一电极通过直接调制产生高速调制光信号；第二电极连接所述啁啾补偿二极管，所述啁啾补偿二极管通过所述第二电极直流驱动；一电隔离区位于所述激光器与所述啁啾补偿二极管之间；所述激光器、所述啁啾补偿二极管以及所述电隔离区位于同一半导体衬底上。本发明能够实现对来自调制器的高速调制光信号的啁啾补偿，实现高速光信号在光纤中的长距离传输。本发明还公开了一种用于长距离光纤传输的高速直接调制激光器芯片的制备方法。
用于长距离光纤传输激光器芯片及其制备方法

[发明专利]发光装置和投影仪-CN202110243203.3有效
发明人：赤塚泰斗;岛田浩行;赤坂康一郎;岸野克巳 -专利权人：精工爱普生株式会社;学校法人上智学院
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：发光装置和投影仪，能够降低在柱状部之间传播的光的损失。发光装置具有：电极；以及层叠体，所述层叠体具有：n型的第1半导体层；发光层；p型的第2半导体层；隧道结层；以及n型的第3半导体层，所述电极与所述第1半导体层电连接，按照所述第1半导体层、所述发光层、所述第2半导体层、所述隧道结层、所述第3半导体层的顺序进行配置，所述发光层和所述第1半导体层构成柱状部。
发光装置投影仪

[发明专利]增强半导体表面辐射太赫兹波功率的半导体纳米孔阵列-CN202310305197.9在审
发明人：谷建强;王可蒙;顾扬帆 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明涉及提升太赫兹源辐射功率和辐射带宽，为提出一种用于降低半导体对入射飞秒激光的反射率且易于加工的砷化镓纳米孔阵列。为此，本发明采取的技术方案是，增强半导体表面辐射太赫兹波功率的半导体纳米孔阵列,由衬底层和纳米结构层两部分组成，衬底层是一种厚度均匀的本征砷化镓层，衬底层的作用是为纳米结构层提供附着层，纳米结构层由周期性排列的孔状结构组成。本发明主要应用于太赫兹源辐设备的设计制造场合。
增强半导体表面辐射赫兹功率纳米阵列

[发明专利]包括反向P-N结的半导体激光二极管-CN202211485563.5在审
发明人：叶夫根尼·齐比克;维尔弗里德·麦纽尔特 -专利权人： II-VI特拉华有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本申请涉及包括反向P‑N结的半导体激光二极管。边缘发射GaAs基半导体激光器将隧道结与反向p‑n结相结合使用来解决与使用高铝含量p型包覆层布置相关联的氧化问题。特别地，在n型GaAs基底上形成隧道结，其中在隧道结之上形成p型包覆层和波导层。此后在有源区的顶部上生长N型波导层和包覆层。由于p型层定位在有源区下方，并且在处理期间不暴露于空气，因此可以使用相对高的铝含量，这改进了器件的热和电特性。由于n型材料不需要高的铝含量，因此它可以被进一步处理以形成脊结构，而不会引入该结构的任何实质性氧化。
包括反向半导体激光二极管

[发明专利]日盲紫外单光子源及其制备方法-CN201711386201.X有效
发明人：陈飞良;李沫;李倩;张晖;黄锋;李舒啸;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种日盲紫外单光子源及其制备方法，包括宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜，pin结构中量子点的禁带宽度大于4.43 eV，且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料，从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制；本发明对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用，既可垂直于衬底发射，也可平行于衬底发射，因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源；其发射波长在小于280 nm的日盲波段，且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发射，可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、近距离保密通信、量子精密测量相关领域。
紫外光子及其制备方法

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器-CN202310041913.7在审
发明人：韩旭;牛守柱;李辉杰;李善文;李含轩 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器包括：衬底；第一布拉格反射镜，第一布拉格反射镜位于衬底的表面；有源区，有源区位于第一布拉格反射镜远离衬底的表面，有源区包括至少两层有源层和至少一个隧道结，任意相邻两层有源层之间设置有一隧道结；每一个隧道结包括P型隧道子层和N型隧道子层，P型隧道子层和N型隧道子层包括的元素相同、组分不同，隧道结内部包括能级势垒，能级势垒用于抑制电子溢出；第二布拉格反射镜，第二布拉格反射镜位于有源区远离第一布拉格反射镜的表面。本发明实施例提供的技术方案提高了隧道结的外延生长质量的同时，降低了隧道结中量子的逃逸程度。
一种垂直发射激光器

[发明专利]半导体激光器-CN201780071378.2有效
发明人：克里斯蒂安·劳尔;托马斯·斯威特利克 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：提出一种半导体激光器(10)，所述半导体激光器具有有源区(1)和波导(2)，其中有源区具有有源层(13)，所述有源层在半导体激光器运行时构建用于产生电磁辐射。波导构建用于在半导体激光器内引导在半导体激光器运行时产生的电磁辐射。波导具有子区(210，220)，所述子区由化合物半导体材料形成，其中化合物半导体材料的一种材料的份额在整个子区中沿着竖直方向朝向有源区逐渐升高，由此子区的折射率朝向有源区逐渐减小。
半导体激光器

[发明专利]一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法-CN202110970200.X在审
发明人：焦旺;郑兆祯;吴阳烽;丁新琪;艾佳瑞 -专利权人：深圳市中光工业技术研究院
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本申请提供一种砷化镓基板的应力调整衬底及应力调整方法。该应力调整衬底包括至少一层调整膜，上述至少一层调整膜设置在砷化镓基板上，用于调整上述砷化镓基板的应力。通过上述方式，本申请可以改善半导体激光芯片的性能。
一种砷化镓基板应力调整衬底方法

[发明专利]一种优化腐蚀终止层的980nm半导体激光器及其制备方法-CN202110461647.4在审
发明人：刘飞;朱振;张东东 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明涉及一种优化腐蚀终止层的980nm半导体激光器及其制备方法。所述激光器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、Inx3Ga1‑x3As第一量子阱、垒层、Inx5Ga1‑x5As第二量子阱、上波导层、第一上限制层、GaAs1‑x8Px8第一过渡层、Ga1‑x9Inx9P腐蚀终止层、GaAs1‑x10Px10第二过渡层、第二上限制层和帽层。本发明通过第一过渡层及第二过渡层优化腐蚀终止层与限制层生长界面，减少As/P切换引入的缺陷，导致材料生长质量变差，同时压应变GaInP与张应变GaAsP应变补偿，优化材料生长质量，提高激光器光电转换效率。
一种优化腐蚀终止 980 nm 半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种降低半导体量子点激光器线宽增强因子的方法-CN202110526308.X有效
发明人：王新强;陶仁春;沈波;刘放;盛博文 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低半导体量子点激光器线宽增强因子的方法，通过对量子点的尺寸、应力以及量子点材料和势垒材料禁带宽度的调控，增加量子点能态能级差，抑制非均匀性展宽的影响，提高量子点增益谱在跃迁能级附近的对称性，从而有效降低量子点激光器的线宽增强因子。本发明与当前的实验室和产业界所使用的设备和工艺完全匹配，具有成本低廉、可操作性强、和效果明显等特点，可有效提高量子点半导体激光器的性能。
一种降低半导体量子激光器增强因子方法

[发明专利]FP半导体激光器的磊晶制造方法及FP半导体激光器-CN202210504243.3在审
发明人：欧政宜;林志远;潘德烈 -专利权人：兆劲科技股份有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种FP半导体激光器的磊晶制造方法及FP半导体激光器，通过在基板上磊晶生成双异质结构，双异质结构中包覆有主动层。主动层上方依序生成P型材料区及穿隧接面(TJ)层，且P型材料区中具有蚀刻停止层。蚀刻停止层下、上分别邻接下隔离层与上隔离层，上隔离层邻接TJ层。通过蚀刻TJ层及上隔离层并止于蚀刻停止层而形成脊柱，使主动层未受蚀刻从而未缩小发光范围后，再一次性依序成长形成N型披覆层及N型接触层，且N型披覆层掩埋包覆脊柱，N型接触层设于N型披覆层上。从而形成兼具脊状与掩埋制程特性的FP半导体激光器。
fp 半导体激光器制造方法

[发明专利]一种高质量二类隧穿结垂直腔面激光器-CN202210494235.5在审
发明人：李雨晗 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种高质量二类隧穿结垂直腔面激光器，通过隧穿结和量子阱与筑波的精准匹配，形成具有高质量低电阻特点的隧穿结，从而实现高电流密度。以解决现有技术中隧穿结电阻大、吸收损耗大，导致VCSEL激光器功率较低的问题。为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：采用高掺杂Type II隧穿结设计：采用经过优化设计的高掺杂的二类异质结p+‑GaAsSb/n+‑InGaAs，代替通常应用的Type‑I隧穿结，延长辐射寿命，激子束缚能减少；同时提高掺杂浓度(3×1019cm‑3),以降低比电阻，提高工作电流。
一种质量二类隧穿结垂直激光器

[发明专利]一种异质结激光器及其制备方法-CN202110465099.2有效
发明人：洪嘉祥;雷双瑛;江源长;陈洁;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本文发明公开了一种异质结半导体激光器及其制备方法，利用双层AD型GeS堆垛和双层旋转AB型GeS堆垛通过横向连接可构成Ⅰ型半导体异质结，用于在激光二极管中实现粒子数反转，能够有效的减小工作电流。所述半导体激光二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)、接触层(6)和上电极(7)。本发明选用的材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将双层旋转AD型GeS堆垛和双层旋转AB型GeS堆垛进行横向连接形成异质结。本文通过机械剥离的方法来得到不同堆垛结构的少层类黑磷烯结构。
一种异质结激光器及其制备方法

[发明专利]一种半导体激光器芯片及制造方法-CN202011219328.4有效
发明人：周立;王俊;谭少阳;李波;胡燚文 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体激光器芯片及制造方法，其中，半导体激光器芯片包括：衬底；位于所述衬底表面的半导体结构层，所述半导体结构层背向所述衬底的表面与所述半导体结构层的侧壁之间具有过渡坡面；覆盖所述过渡坡面和所述半导体结构层的侧壁的保护结构；焊料层，位于所述半导体结构层背向所述衬底的一侧。保护结构覆盖过渡坡面和半导体结构层的侧壁，可以防止焊料连通半导体结构层导致短路，同时过渡坡面的设计可以防止直角边缘位置发生破损断裂的问题。
一种半导体激光器芯片制造方法

[发明专利]一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器-CN202210206157.4在审
发明人：许并社;董海亮;张旭;贾志刚;贾伟;梁建 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于无铝非对称势垒层结构的GaAs基半导体激光器，解决了背景技术中的技术问题，其包括n‑GaAs衬底，n‑GaAs衬底上自下而上设置有n‑AlxGa1‑xAs限制层、n‑AlxGa1‑xAs波导层、n‑Ga1‑xInxAs1‑yPy势垒层、GaAs量子阱层、p‑GaAs1‑xPx势垒层、p‑AlxGa1‑xAs波导层、p‑AlxGa1‑xAs限制层和p‑GaAs接触层。N型势垒层、量子阱层、P型势垒层中均不含Al组分，避免了工作时Al原子易氧化从而产生缺陷导致载流子泄露的问题，进而延长了器件的工作寿命；非对称势垒结构对增强载流子限制能力、提高半导体激光器的电学性能具有重要意义。
一种基于无铝非对称势垒层结构 gaas 半导体激光器

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