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[发明专利]3D NAND存储器件的制造方法及3D NAND存储器件-CN202010950839.7在审
发明人：张中;韩玉辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND存储器件的制造方法及3D NAND存储器件，台阶结构设置在堆叠结构的中间且其包括多个相互独立的台阶子结构，结合桥结构，实现了台阶结构的双边驱动，有效降低了驱动控制时的电阻，明显改善了驱动时间延迟问题；在刻蚀形成台阶分区时，同时形成了顶层选择栅的台阶结构，减少了刻蚀工艺步骤；在形成台阶子结构时，先刻蚀形成台阶M×N分区，而后对台阶M×N分区进行刻蚀，一次刻蚀能同时形成M×N个台阶，减少了刻蚀的工艺步骤；在形成台阶子结构时，先修剪刻蚀形成位于台阶分区上半区域的台阶单元，后削减刻蚀，将台阶单元刻蚀复制到台阶分区下半区域，进一步减少了修剪刻蚀的工艺步骤，提高了生产效率。
nand 存储器件制造方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器氧化台阶及激光器的制备方法-CN201910077367.6在审
发明人：刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器氧化台阶及激光器的制备方法，氧化台阶制备方法包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上形成外延层；于外延层上涂覆光刻胶，图形化光刻胶以露出若干氧化台阶的刻蚀沟槽窗口，每个氧化台阶的刻蚀沟槽窗口的形貌相同；刻蚀形成氧化台阶。由于若干个刻蚀沟槽窗口的形貌相同，刻蚀时，每个氧化台阶的刻蚀状况基本相同，所以形成的若干个所述氧化台阶的侧壁形状，角度及刻蚀深度基本相同；另外，采用相同形貌的刻蚀沟槽窗口，且刻蚀开口面积相对较小，制程更容易控制，形成的氧化台阶的侧壁界面，角度及刻蚀深度更均匀。从而在后续进行侧壁氧化时，可使若干氧化台阶的氧化更均匀。
刻蚀刻蚀沟槽形貌制备垂直腔面发射激光器激光器外延层衬底半导体图形化光刻胶侧壁界面侧壁形状侧壁氧化光刻胶涂覆制程开口

[发明专利]垂直腔面发射激光器氧化台阶及激光器的制备方法-CN201910363273.5有效
发明人：刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器氧化台阶及激光器的制备方法，氧化台阶制备方法包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上形成外延层；于外延层上涂覆光刻胶，图形化光刻胶以露出若干氧化台阶的刻蚀沟槽窗口，每个氧化台阶的刻蚀沟槽窗口的形貌相同；刻蚀形成氧化台阶。由于若干个刻蚀沟槽窗口的形貌相同，刻蚀时，每个氧化台阶的刻蚀状况基本相同，所以形成的若干个所述氧化台阶的侧壁形状，角度及刻蚀深度基本相同；另外，采用相同形貌的刻蚀沟槽窗口，且刻蚀开口面积相对较小，制程更容易控制，形成的氧化台阶的侧壁界面，角度及刻蚀深度更均匀。从而在后续进行侧壁氧化时，可使若干氧化台阶的氧化更均匀。
垂直发射激光器氧化台阶制备方法

[发明专利]选择性刻蚀制备功率器件多场板的方法-CN201811145352.0有效
发明人：王荣华;宋书宽;任永硕;梁辉南;高珺 -专利权人：大连芯冠科技有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种工艺流程简单、成本低、效率高的选择性刻蚀制备功率器件多场板的方法，按照如下步骤进行：在基片上制备介质层；在介质层上制备刻蚀牺牲层；去除刻蚀牺牲层的部分区域至介质层界面，所述部分区域为多场板台阶最底层的正投影面积；以刻蚀牺牲层为掩膜对介质层进行刻蚀，刻蚀至多场板台阶的一个台阶深度；只对刻蚀牺牲层进行刻蚀，横向刻蚀至多场板台阶的一个台阶长度；判断台阶数量是否达到多场板结构要求，否，返回d步骤；是，向下进行；去除剩余的刻蚀牺牲层；在多场板台阶处制备多场板。
选择性刻蚀制备功率器件多场板方法

[发明专利]一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法及结构-CN201711183486.7在审
发明人：王玉岐;陈保友;张文杰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法及结构，所述方法包括如下步骤步骤一，在前道工艺流程形成的氮化硅‑氧化硅台阶结构表层沉积一层加厚层；步骤二，利用刻蚀工艺除去所述台阶侧壁沉积的加厚层，但保留台阶表面的加厚层；步骤三，对加厚的台阶结构利用等离子体刻蚀工艺进行接触孔刻蚀。加厚首先利用化学气相沉积，沿原有氮化硅台阶生长一层氮化硅，然后利用各向同性刻蚀除去台阶侧壁的外延氮化硅层。沉积也可采用原子层沉积等其他外延方法，除去台阶侧壁外延层采用的刻蚀方法可以是湿法刻蚀或各向同性干法刻蚀。本发明解决了刻蚀穿通问题，可以节约生产成本，提高生产效率。
一种防止台阶接触刻蚀方法结构

[发明专利]3DNAND闪存的台阶接触孔的构建方法-CN201711191661.7在审
发明人：张文杰;陈保友;盖晨光;周文华;宋宏光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及一种3D NAND闪存的台阶接触孔的构建方法，包括以下步骤提供包括第一台阶区域和第二台阶区域的衬底堆叠结构，第一台阶区域和第二台阶区域均设有金属台阶；刻蚀形成与第一台阶区域的金属台阶相连通的第一台阶接触孔；在第一台阶接触孔的侧壁和底壁沉积氮化硅；刻蚀除去位于第一台阶接触孔的底壁的氮化硅；刻蚀形成与第二台阶区域的金属台阶相连通的第二台阶接触孔。本发明在台阶接触孔的构建过程中，分两次先后在不同的台阶区域刻蚀形成台阶接触孔，并且在两次刻蚀之间，在先形成的台阶接触孔的内壁沉积保护膜层作为防护，防止其被后续刻蚀伤害，使刻蚀工艺完善，并降低了后续刻蚀的难度
dnand 闪存台阶接触构建方法

[发明专利]基于台阶结构的刻蚀方法-CN201611217101.X在审
发明人：陶志波;刘杰;李全宝;安少华 -专利权人：苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种基于台阶结构的刻蚀方法，其包括如下步骤S1.在所述台阶结构所在的区域沉积一层过渡层薄膜；S2.对所述过渡层薄膜进行刻蚀，刻蚀至所述台阶结构的刻蚀停止层；S3.在所述台阶结构所在的区域沉积刻蚀层；S4.在所述台阶结构对应的刻蚀层上制作图形结构层；S5.刻蚀去除所述刻蚀层未被所述图形结构层覆盖的部分；S6.刻蚀去除所述图形结构层。本发明的基于台阶结构的刻蚀方法工艺控制简单、形貌可控且重复性好，其避免了干法刻蚀工艺参数调整而影响制程稳定性及产品性能；并且可以通过调整过渡层的厚度进而控制台阶结构处的薄膜形貌平滑度；解决了MEMS产品工艺因台阶高度差大而造成的工艺实现问题
基于台阶结构刻蚀方法

[发明专利]一种防漏蓝倒装LED芯片及其制作方法、LED器件-CN201910679841.2在审
发明人：余金隆;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种防漏蓝倒装LED芯片及其制作方法、LED器件，所述LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、以及n个刻蚀台阶，n≥1；第1个刻蚀台阶沿着衬底表面向发光结构一侧进行刻蚀，后一个刻蚀台阶沿着前一个刻蚀台阶进行刻蚀，n个刻蚀台阶呈阶梯型从衬底表面向发光结构一侧延伸。本发明通过对衬底的侧壁刻蚀形成n个刻蚀台阶，有效增加荧光粉与衬底侧壁的接触面积，使得荧光粉更好地附着在衬底的侧壁上，从而减少芯片侧面漏蓝，提高出光效率；此外，还可以有效减少荧光粉的用量。
刻蚀台阶衬底荧光粉发光结构侧壁刻蚀倒装LED芯片衬底表面防漏出光效率芯片侧面有效减少阶梯型附着制作延伸

[实用新型]一种防漏蓝倒装LED芯片、LED器件-CN201921189831.2有效
发明人：余金隆;庄家铭 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防漏蓝倒装LED芯片、LED器件，所述LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、以及n个刻蚀台阶，n≥1；第1个刻蚀台阶沿着衬底表面向发光结构一侧进行刻蚀，后一个刻蚀台阶沿着前一个刻蚀台阶进行刻蚀，n个刻蚀台阶呈阶梯型从衬底表面向发光结构一侧延伸。本实用新型通过对衬底的侧壁刻蚀形成n个刻蚀台阶，有效增加荧光粉与衬底侧壁的接触面积，使得荧光粉更好地附着在衬底的侧壁上，从而减少芯片侧面漏蓝，提高出光效率；此外，还可以有效减少荧光粉的用量。
一种防漏倒装 led 芯片器件

[发明专利]控制SiC基体刻蚀的台阶形貌的方法-CN200910074413.3有效
发明人：潘宏菽;霍玉柱 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制SiC基体刻蚀的台阶形貌的方法，应用在半导体的加工工艺中，该方法包括清洗SiC基体、淀积掩蔽层、光刻、刻蚀掩蔽层、干法刻蚀SiC基体，关键的改进是在刻蚀掩蔽层的工序中控制掩蔽层刻蚀的台阶形貌与SiC基体刻蚀的台阶形貌一致。本发明改变了以往通过单一控制SiC基体与掩蔽层的刻蚀比控制台阶形貌的方法，该方法可有效、灵活地控制SiC基体刻蚀的台阶形貌，其坡度在5°～90°之间进行调整。
控制 sic 基体刻蚀台阶形貌方法

[发明专利]半导体器件工艺方法-CN202210806165.2在审
发明人：赵伯宁;沈浩峰;杨毓龙;陈兆轩 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的工艺方法，基于存在台阶的多晶硅刻蚀，在沉积多晶硅之前，先在具有台阶的薄膜表面沉积一层介质层，然后在介质层刻蚀之后再沉积多晶硅层。本发明所述的半导体器件的工艺方法，针对台阶状表面刻蚀工艺时在台阶角落存在刻蚀残留的问题，先形成一次其他介质层的斜坡将台阶角落充填，然后再沉积相应的薄膜，对薄膜刻蚀的时候由于台阶已被斜坡填充，薄膜的刻蚀更加彻底，解决了刻蚀残留的问题。
半导体器件工艺方法

[发明专利]一种具有三台阶抗反射结构的红外光学窗口及其制备方法-CN201810056948.7在审
发明人：何少伟;陈志祥;陈定辉;范文聪 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G02B1/118 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三台阶抗反射结构的红外光学窗口，包括红外光学窗口，所述红外光学窗口的入射面刻蚀有三台阶的抗反射结构，其制备方法为：硅片预处理，使用掩膜版在硅片上刻蚀抗三台阶反射结构，包括刻蚀第一台阶结构层、刻蚀第二台阶结构层、刻蚀第三台阶结构层，上述刻蚀抗反射结构的方法采用感应耦合等离子体刻蚀机，使用刻蚀与钝化相结合的工艺进行刻蚀，刻蚀气体为SF6，钝化气体为C4F8，在刻蚀与钝化的过程中加入惰性气体He本发明的这种结构可明显增加红外窗口的透过率，提高红外器件的灵敏度，降低了台阶结构的高度，结构参数，台阶周期及深度的变化对透过率影响，制备方法提高了器件制作的工艺容差，降低了工艺制作难度。
刻蚀红外光学窗口抗反射结构台阶结构制备透过率硅片钝化感应耦合等离子体刻蚀机预处理钝化气体惰性气体反射结构工艺制作红外窗口红外器件结构参数刻蚀气体器件制作灵敏度入射面掩膜版容差

[发明专利]台阶结构的制作方法及振动检测装置-CN202010459098.2有效
发明人：何政达 -专利权人：无锡韦感半导体有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：公开了一种台阶结构的制作方法及振动检测装置，该台阶结构的制作方法包括在晶圆的第一表面上湿法刻蚀出凹坑结构，在刻蚀出所述凹坑结构的所述晶圆的第一表面和所述凹坑结构上制作图形化掩膜层，所述图形化掩膜层形成至少暴露所述凹坑结构边缘的开口，以所述图形化掩膜层为掩膜，干法刻蚀所述晶圆，获得所述台阶结构；该振动检测装置包括该台阶结构。本发明的台阶结构的制作方法及振动检测装置的台阶结构的制作仅采用一次干法刻蚀，有效降低了台阶结构的制作中的干法刻蚀次数，降低了多次干法刻蚀之间的刻蚀干扰，保障了干法刻蚀的刻蚀效果，在一定程度上保障了晶圆的台阶结构的结构特性
台阶结构制作方法振动检测装置

[发明专利]基于深槽刻蚀的平坦化方法-CN201711257386.4有效
发明人：陈年;张龙;陈国帅;宗雨阳 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深槽刻蚀的平坦化方法。所述方法包括以下步骤：在具有台阶的衬底上沉淀二氧化硅层；所述台阶为多晶硅材质，且所述台阶上不沉淀所述二氧化硅层；利用等离子体刻蚀方式，采用不同的速率刻蚀所述台阶及所述二氧化硅层；且刻蚀所述台阶的速率大于刻蚀所述二氧化硅层的速率；所述二氧化硅层刻蚀第一预设厚度后停止刻蚀。本方法利用半导体制造企业普遍使用的各向异性干法刻蚀设备，不需要添加额外半导体刻蚀设备、材料，且整个平坦化过程工艺步骤简单，实现低成本、满足平坦化效果的刻蚀。
刻蚀二氧化硅层平坦化深槽半导体刻蚀设备半导体制造企业沉淀二氧化硅等离子体刻蚀各向异性干法多晶硅材质过程工艺刻蚀设备低成本衬底预设沉淀

[发明专利]台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法-CN201910353879.0有效
发明人：张晓东;冯亚南;李锁印;韩志国;赵琳;许晓青;梁法国 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法，属于半导体器件测试技术领域，包括计算台阶样块的高度d；计算台阶样块的外尺寸a和内尺寸b；计算台阶样块的侧面倾斜角θ；设定参数ε评价刻蚀工艺水平，利用参数与台阶侧面倾斜角的关系式计算参数本发明提供的台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法，能够准确测量台阶样块的高度及内外尺寸，进而确定台阶样块侧面倾斜角，对台阶样块的刻蚀工艺水平进行准确评价。
台阶刻蚀工艺参数评价方法

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