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[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202310928825.9在审
发明人：周旭亮;田家琛;潘教青 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。其中，激光器包括激光器单元、p型衬底、第一p电极、第二p电极和第三p电极；第三p电极设置在激光器单元上端；第一p电极和第二p电极分别设置在p型衬底的两侧；p型衬底设置在激光器单元之上，以使得第二p电极靠近第三p电极，且第二p电极和第三p电极金属键合，增加了散热通道，提高了激光器的散热性能。
垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]一种具有腔面滤波结构的半导体激光器及其制备方法-CN202310937208.5在审
发明人：张晓东;吴德华;张秀萍 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有腔面滤波结构的半导体激光器及其制备方法，激光器包括由下而上依次设置的衬底、N限制层、N波导层、量子阱有源层、P波导层和P限制层，其中，P限制层上并排设置有2个肩槽，2个肩槽中间的P限制层为脊波导，肩槽外侧的P限制层为肩部，脊波导上设置有欧姆接触层，肩部表面设置有绝缘层，欧姆接触层和肩槽内未覆盖绝缘层的部分上设置有P面金属层，激光器的前腔面和后腔面上均并列设置有若干弧形槽，弧形槽贯穿N限制层、N波导层、量子阱有源层、P波导层和P限制层。本发明能够对激光器中的高阶光场进行滤除，可以有效提高基模输出纯净度，优化光斑质量，而且结构尺寸小，不会影响激光器阈值与后道封装工艺难度。
一种具有滤波结构半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202210387895.3在审
发明人：刘嵩;梁栋;张成;翁玮呈 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中垂直腔面发射激光器包括：衬底；半导体外延层，包括至少一个发光单元；每一发光单元包括位于衬底一侧的第一布拉格反射层、位于第一布拉格反射层远离衬底一侧的至少两层有源层和位于全部有源层远离第一布拉格反射层一侧的第二布拉格反射层；其中，相邻两层有源层之间设置有隧道结；每一有源层周围设置有一载流子限制层；每一载流子限制层包括一个开口区域；每一载流子限制层的开口区域在衬底上的垂直投影具有均重叠部分；多个载流子限制层中包括至少一个氧化层和至少一个离子注入层，本结构实现了功率密度大幅提高的同时，保证了较小的发散角，并且增强了器件结构稳定性和可靠性。
一种垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]应变偏振垂直腔面发射激光器-CN202310457094.4在审
发明人： E·R·海格布洛姆;朱叶雨 -专利权人：朗美通经营有限责任公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：在一些实施方式中，发射器设备包括衬底层和衬底层上的外延层。外延层可以包括第一反射镜、第二反射镜以及在第一反射镜和第二反射镜之间的活性层。外延层可以包括至少一个氧化层，该氧化层包括第一氧化区域和与第一氧化区域分开的第二氧化区域。第一氧化区域和第二氧化区域可以被配置为在外延层上提供径向不对称的应变。外延层可以包括在该组外延层中的一组氧化沟槽，以暴露至少一个氧化层。
应变偏振垂直发射激光器

[实用新型]一种具有晶圆级集成光学微透镜的垂直光腔面发射激光器-CN202321122406.8有效
发明人：刘仲和;莫庆伟 -专利权人：浙江老鹰半导体技术有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有晶圆级集成微透镜的垂直光腔面发射激光器，涉及半导体光学器件技术领域，包括VCSEL芯片和晶圆级集成的微透镜结构，该结构按照外延生长顺序方向依次是：n型电极、n型衬底、DBR布拉格反射镜、光学有源层、氧化窗口层、DBR布拉格反射镜和微透镜层。其中，微透镜层的集成是通过晶圆的外延生长、CMOS兼容流程等方式集成；微透镜的上表面曲率方程，是经过优化计算所得，能够对顶部布拉格反射镜出射光做出精准约束，实现聚焦、准直或者发散等功能，减小了垂直腔面发射激光器芯片出射光的远场发散角。
一种具有晶圆级集成光学透镜垂直光腔面发射激光器

[发明专利]垂直腔表面发射激光器、磁头万向架组件和制造工艺-CN202280017448.7在审
发明人：松本拓也;B•C•斯蒂普 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本公开的实施方案总体涉及垂直腔表面发射激光器(VCSEL)、用于安装VCSEL的磁头万向架组件、结合有此类制品的设备，并且涉及用于形成VCSEL的工艺。在实施方案中，提供了一种VCSEL设备。该VCSEL设备包括用于安装在滑块上的芯片，该芯片具有多个表面和凹口，该多个表面包括：用于面向滑块的底表面；与底表面相对的顶表面；以及多个侧表面，其中凹口形成远离底表面且朝向顶表面间隔开的凹陷边缘，该凹口具有肩部、侧面和肩部与侧面之间的角度(θ1)。该VCSEL设备进一步包括两个激光二极管电极，该两个激光二极管电极以任何组合定位在芯片的多个表面中的一者或多者上。
垂直表面发射激光器磁头万向组件制造工艺

[发明专利]表面发射激光器及用于制造表面发射激光器的方法-CN202280015688.3在审
发明人：渡边知雅;中岛博;田中雅之;横关弥树博 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能够实现衍射损耗进一步减小、散热效果进一步增强、产量进一步增强并且可靠性进一步增强的表面发射激光器。本发明提供一种表面发射激光器，包括基板和形成在基板上的垂直谐振器结构。垂直谐振器结构包含从由In、Ga、Al、N、As和P构成的组中选择的至少一个元素。垂直谐振器结构至少还包括有源层、上部DBR层和下部DBR层。上部DBR层和下部DBR层以将有源层夹在上部DBR层和下部DBR层之间的形式形成。下部DBR层包含至少一层包含由非III‑V族半导体形成的透明导电材料的透明导电层。
表面发射激光器用于制造方法

[发明专利]一种单模高功率、低热阻垂直腔面发射激光器及制备方法-CN202310737321.9在审
发明人：荀孟;周晓莉;潘冠中;赵壮壮;孙昀 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种单模高功率、低热阻垂直腔面发射激光器，包括：依次设置的异质材料衬底，N型电极、N型欧姆接触层、N型反射镜、延长腔层、多有源区域、第二刻蚀停层、相位层、P型反射镜、P型欧姆接触层、离子注入区以及正面电极；所述第二刻蚀停层和所述相位层上设有出光孔；制备方法：在N型衬底上依次外延生长缓冲层、第一刻蚀停层、N型欧姆接触层、N型反射镜、延长腔层、多有源区域、第二刻蚀停层、相位层；刻蚀形成出光孔；二次外延生长P型反射镜、P型欧姆接触层；制作离子注入区和正面电极；去除N型衬底、缓冲层和第一刻蚀停层，将N型欧姆接触层与异质材料衬底集成。本发明实现了单模高功率和低热阻。
一种单模功率低热垂直发射激光器制备方法

[发明专利]具有模式过滤功能的垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202310899738.5有效
发明人：张建伟;徐玥辉;周寅利;陈超;张大勇;宁永强;王立军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及VCSEL技术领域，具体提供一种具有模式过滤功能的垂直腔面发射激光器及其制备方法，该激光器包括从下至上依次层叠的N型电极、衬底、N型DBR层、下波导层、有源层、氧化层、上波导层、P型DBR层和P型电极，在N型DBR层与下波导层之间对应于高阶模式激光的位置以及上波导层与P型DBR层之间对应于高阶模式激光的位置分别形成有倾斜状的环形衍射光栅，对高阶模式激光进行衍射损耗以及将未损耗的高阶模式激光偏折射出激光器，使激光器只输出基横模激光。本发明提供的VCSEL在过滤掉高阶模式激光的同时不会对基横模激光产生损耗，提升高阶模式激光的过滤水平，具备制备工艺简单、稳定性高、模式过滤效果显著等优点。
具有模式过滤功能垂直发射激光器及其制备方法

[实用新型]一种垂直腔面发射激光器-CN202320727733.X有效
发明人：邵宥楠;崔尧;纪一鹏;常瑞华;沈志强 -专利权人：浙江博升光电科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本公开提供了一种垂直腔面发射激光器，涉及光电器件技术领域。该垂直腔面发射激光器包括堆叠设置的衬底层、缓冲层、第一反射器层、发光层、偏振选择混合层和电极层，所述偏振选择混合层包括第二反射器层以及集成在所述第二反射器层上方的近波长光栅层，其中近波长光栅的周期小于传播介质中的光的波长，且大于所述垂直腔面发射激光器的半导体材料中的光的波长。采用本公开的垂直腔面发射激光器，能够发射高度稳定和高度偏振的激光，结构简单，方便制造，同时使得第二反射器层更薄，降低了生产成本。
一种垂直发射激光器

[发明专利]一种多波长垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202310891393.9在审
发明人：荀孟;潘冠中;孙昀;周晓莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开一种多波长垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器技术领域，以在波分复用通信技术中，节约光模块的体积、功耗和成本，并提高耦合效率。所述多波长垂直腔面发射激光器包括：基底。形成在基底的第一区域上的有源结构以及形成在有源结构上方的第一电极；其中，有源结构包括多个级联的有源层，每个有源层的量子阱对应的增益峰值波长与其他有源层的量子阱对应的增益峰值波长均不相同。形成在基底的第二区域上的接触电极，以及形成在接触电极上且与接触电极电性连接的第二电极。形成在基底上的光敏材料层，接触电极和有源结构间隔形成在光敏材料层中，第一电极和第二电极形成在光敏材料层上。
一种波长垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]一种可控模态垂直腔面发射激光器-CN202310987114.9在审
发明人：李加伟;向宇;严磊 -专利权人：苏州长瑞光电有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控模态垂直腔面发射激光器。其包括自上而下的上DBR层、有源层、下DBR层以及夹设于上DBR层内且中间形成有氧化孔的氧化层，在上DBR层顶面形成有用于激光出射的光窗；所述光窗表面被分为位于中间的第一区域和包围所述第一区域的第二区域，在所述第二区域之上设置有至少一层模态调节复合层，所述模态调节复合层由下层的光取出层和上层的多晶硅吸光层组成，光取出层和多晶硅吸光层的厚度均为所述垂直腔面发射激光器四分之一发射波长的奇数倍，所述光取出层的材料折射率小于上DBR层的材料折射率。相比现有技术，本发明具有更好的模态控制能力和稳定性。
一种可控垂直发射激光器

[发明专利]一种850纳米波段VCSEL激光二极管集成的二维介质透镜-CN202310637372.4在审
发明人：裴赢洲;刘卫峰 -专利权人：边际科技（珠海）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种850纳米波段VCSEL激光二极管集成的二维介质透镜，用于单模偏振发射器，单模偏振发射器包括由上至下依次连接的顶部欧姆连接层、二维介质透镜层、顶部布拉格反射镜、氧化层、量子阱层、底部布拉格反射镜、衬底以及底部欧姆连接层，其中，二维介质透镜层包括多个不同尺寸的介质单元，多个介质单元按照一定的规律排列组合成能使光子增益的谐振阵列。二维介质透镜层与VCSEL的单片集成，具有优异的光束质量，通过不同尺寸的介质单元，按照不同的规律进行排列组合，来调整外部扰动参量，可以影响VCSEL的偏振特性和偏振双稳特性，能够高效地对相位、偏振状态和光束轮廓进行显著的任意控制。
一种 850 纳米波段 vcsel 激光二极管集成二维介质透镜

[发明专利]发光元件及其阵列、发光部件、光学装置及光测量装置-CN202211354535.X在审
发明人：近藤崇;村田道昭;樋口贵史 -专利权人：富士胶片商业创新有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种发光元件及其阵列、发光部件、光学装置及光测量装置，所述发光元件具备：基板；发光部，层叠在所述基板上；及晶闸管，层叠在所述发光部上，设定为通过成为导通状态，使所述发光部发光或增加发光量，在来自与所述晶闸管相接的电极的电流流过的位置设置有低电阻层，所述低电阻层具有不使所述晶闸管电分离的电阻。
发光元件及其阵列部件光学装置测量

[发明专利]激光元件、激光元件阵列以及激光元件的制造方法-CN202280015205.X在审
发明人：林贤太郎;滨口达史;佐藤进;幸田伦太郎 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：[问题]提供：具有凹面镜结构并且表现出优异的光学特性的激光元件；激光元件阵列；以及激光元件的制造方法。[解决方案]根据本技术的激光元件配备有第一光反射层、第二光反射层以及层压体。层压体包括有源层，并且具有设置在第一光反射层一侧的第一表面上的透镜。在透镜中，纵向方向被定义为第一方向并且短边方向被定义为第二方向。透镜具有朝向第一光反射层突出的透镜形状。透镜在第一方向上的中心部分具有作为沿第二方向最短宽度的第一宽度，并且透镜在第一方向上的非中心部分具有作为沿第二方向最大宽度的第二宽度。透镜的高度恒定，或者中心部分处的高度大于端部的高度。透镜在第二方向上的顶部具有恒定的曲率半径。第一光反射层层压在第一表面上，并且在透镜上形成具有凹面形状的凹面镜。
激光元件阵列以及制造方法

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