专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于碳化硅晶锭的分离方法-CN202310839189.2在审
  • 于大全;姜峰 - 厦门云天半导体科技有限公司
  • 2023-07-10 - 2023-10-27 - C30B33/10
  • 本发明提供了一种碳化硅晶锭分离的方法,夹持碳化硅晶锭以使得碳化硅晶锭的长度方向水平延伸;在碳化硅晶锭的圆柱表面上形成多个环绕圆柱表面的刻蚀阻挡图案,多个刻蚀阻挡图案之间分别具有间隔;用刻蚀气体同步进行刻蚀以使得形成多个单独的晶圆片。本发明通过在碳化硅晶锭表面形成刻蚀阻抗图案,对碳化硅晶锭进行干法刻蚀。在刻蚀过程中通过上下刻蚀气体同时进行双面,旋转晶锭使其刻蚀更加均匀,根据刻蚀深度不同,不断改变刻蚀的速率和旋转的速度,以达到碳化硅晶锭的利用率大幅提升,同时刻蚀后的表面均匀性更好,可以省去减薄步骤,同时降低CMP的工艺时间,成本更低。因为干法刻蚀的微损伤更少,所以产品的良率更佳。
  • 一种用于碳化硅分离方法
  • [发明专利]氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质-CN202310933061.2在审
  • 蔡德敏;徐锦海 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2023-07-27 - 2023-10-24 - C30B33/10
  • 本申请提供了氮化镓单晶的腐蚀方法、电子设备及存储介质。氮化镓单晶的腐蚀方法包括:获取氮化镓单晶的初始状态信息,初始状态信息包括氮化镓单晶的厚度信息;基于预设的第一参数信息,将放置于容器内的氮化镓单晶进行初次腐蚀,第一参数信息包括第一浸泡时长和第一浸泡温度,容器内盛装有浸没氮化镓单晶的腐蚀液;基于初始状态信息和/或第一参数信息,检测氮化镓单晶的初次腐蚀是否满足第一结束条件;当满足第一结束条件时,基于预设的第二参数信息对氮化镓单晶进行二次腐蚀,以得到腐蚀后的氮化镓单晶。腐蚀方法将初次腐蚀和二次腐蚀两个关联步骤用于氮化镓单晶的腐蚀,具有废品率低等优点。
  • 氮化镓单晶腐蚀方法电子设备存储介质
  • [实用新型]一种适用于湿法制绒的槽体-CN202320043998.8有效
  • 张力;朱伟;夏光林;崔洋 - 一道新能源科技股份有限公司
  • 2023-01-05 - 2023-10-20 - C30B33/10
  • 本实用新型实施例提供了一种适用于湿法制绒的槽体,包括:主槽、副槽以及匀流管;所述副槽环绕设置于所述主槽的侧部;所述主槽的侧部开设有与所述副槽连通的连通口;所述主槽以及所述副槽分别设置有至少一个匀流管,所述主槽的匀流管以及所述副槽的匀流管通过一循环管路连通,所述循环管路上设置有循环泵;所述主槽的槽底为下凹的曲面结构。主槽槽底为下凹的曲面结构,制绒反应产生的副产物以及碎片流入到排液管中后,将直接排放至制绒槽的外部,既减少了槽内的副产物,又减少了槽底的碎片量,进一步地,主槽与副槽之间设置有过滤网,避免碎片进入到副槽中堆积,延长了介质使用寿命,节约了成本,同时使硅片制绒的良率及效率得到显著提升。
  • 一种适用于湿法
  • [发明专利]磷酸蚀刻液回收方法及蚀刻方法-CN202311107559.X在审
  • 刘苏涛;杨少华;林士闵 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-10-03 - C30B33/10
  • 本发明提供了一种磷酸蚀刻液回收方法及蚀刻方法,所述磷酸蚀刻液回收方法包括:提供一蚀刻槽,所述蚀刻槽中装有多次蚀刻后的磷酸蚀刻液,所述磷酸蚀刻液中溶解有第一浓度的含硅化合物,所述磷酸蚀刻液具有第一温度;将载板放置于所述磷酸蚀刻液中;将所述磷酸蚀刻液降温至第二温度,以使得所述磷酸蚀刻液中溶解的所述含硅化合物析出附着在所述载板表面;将所述载板从所述磷酸蚀刻液中移出;将所述磷酸蚀刻液重新加热至所述第一温度,且所述磷酸蚀刻液中溶解的所述含硅化合物的浓度降低至第二浓度。本发明的技术方案能够提高磷酸蚀刻液的使用寿命,进而降低工艺成本及废酸排放。
  • 磷酸蚀刻回收方法
  • [实用新型]盖体及具有该盖体的制绒清洗设备-CN202223189345.5有效
  • 王毅;龚庆;陈贤刚 - 江苏启威星装备科技有限公司
  • 2022-11-30 - 2023-09-29 - C30B33/10
  • 本申请公开了一种盖体及具有该盖体的制绒清洗设备,涉及制绒清洗设备技术领域。一种盖体,用于制绒清洗设备,所述盖体包括:盖本体,及设置于盖本体的喷液机构和废液收集结构;其中,喷液机构包括泵体、管道和喷头,至少部分管道设置于所述盖本体上,位于盖本体上的管道连接有多个喷头,所述喷头的进口通过管道与所述泵体相连通,且喷头的出口朝向盖本体,用于向盖本体上喷冲洗液;所述废液收集结构设置于盖本体的侧端边缘,所述废液收集结构朝向盖本体的一侧设有供冲洗后的废液流入的开口。本申请可以实现对盖体上的碱结晶或其它污染物的自动清理,避免碱结晶或脏污腐蚀盖体或影响电池片的质量,有助于降低成本、提高产品的良率。
  • 具有清洗设备
  • [发明专利]保护剂去除装置及应变计刻蚀分离方法-CN202310929778.X在审
  • 李树成;刘逢添;梁敏茹 - 广东润宇传感器股份有限公司
  • 2023-07-26 - 2023-09-19 - C30B33/10
  • 本发明提供了一种保护剂去除装置及应变计刻蚀分离方法,该应变计刻蚀分离方法采用干法刻蚀的方式对晶圆的衬底硅进行去除,能够简化人工操作,同时避免操作人员接触危险溶液,并能够有效地提高刻蚀分离的良品率,有利于实现大规模的生产。利用保护剂去除装置对涂覆在晶圆上的保护剂进行去除,不仅能够实现应变计的分离,还能够实现溶剂的自动排入和反应后的废液的自动排出,从而实现对进液和排液的自动化的有效控制,提升应变计刻蚀分离作业的效率,并能够避免操作人员与危险溶剂的接触,进一步地提升生产的安全性。
  • 保护去除装置应变刻蚀分离方法
  • [发明专利]腐蚀法制备高强度锗的方法-CN202310411082.8在审
  • 吴瑶;师晋海;毕宏岩;周铁军;许家龙 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-08-01 - C30B33/10
  • 本发明公开了一种腐蚀法制备高强度锗的方法,属于半导体技术领域,所述的腐蚀法制备高强度锗的方法,包括以下步骤:将锗片浸入酸性腐蚀液中进行酸腐蚀,清洗,干燥,再浸入碱性腐蚀液中进行碱腐蚀,干燥,得到高强度锗;所述酸性腐蚀液包括硝酸溶液、氢氟酸溶液、乙酸;所述碱性腐蚀液包括氨水溶液、过氧化氢溶液。本发明通过将锗片先进行酸腐蚀,再进行碱腐蚀,能够有效的提高锗片的强度,其中,酸腐蚀为非择优腐蚀,碱腐蚀为择优腐蚀,采用先酸后碱的腐蚀方法,其中,酸腐蚀能够有效的去除锗片表面杂质和疏松层,碱腐蚀能够有效的去除锗片亚表面损伤,在低总掉量的情况下就能得到高强度的锗片。
  • 腐蚀法制强度方法
  • [发明专利]腐蚀法制备低粗糙度锗的方法-CN202310411080.9在审
  • 吴瑶;师晋海;田玉莲;王金灵;许家龙;毕宏岩;周铁军 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2023-04-18 - 2023-07-28 - C30B33/10
  • 本申请公开了一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法,属于半导体技术领域,所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法,包括以下步骤:将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀,干燥,得到低粗糙度锗;所述腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液;所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2~0.3):1;腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。本申请通过将锗片浸入到含过氧化氢和氢氧化钠的水溶液中进行腐蚀,能够有效的降低锗片的粗糙度,腐蚀后锗片表面光泽度高、粗糙度低,在腐蚀的过程中持续加入第二过氧化氢溶液,使腐蚀液中过氧化氢浓度保持稳定,提高腐蚀效率,同时,过氧化氢分解产生氧气导致氧分压的提高,进一步提高腐蚀效果,降低粗糙度。
  • 腐蚀法制粗糙方法

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