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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种自修整热固化型固结研磨料及其制备方法-CN202210082337.6有效
发明人： 王元立;陈美琳;贺友华 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本申请涉及精密研磨与抛光加工技术领域，具体公开了一种自修整热固化型固结研磨料及其制备方法，由聚氨酯改性环氧树脂、改性石墨、分散剂、磨料、陶瓷结合剂均匀混合固化而成；按重量％计，聚氨酯改性环氧树脂45‑65％，改性石墨1.5‑5％，分散剂1‑8％，磨料10‑25％，陶瓷结合剂为余量；其中，磨料为碳化硅和金刚石按照质量比1.2‑2:1混合得到的混合物。本申请的改性石墨配合聚氨酯改性环氧树脂，使聚氨酯改性环氧树脂的表面和内部形成一定密度的磨粒层，提高抛光的均匀性和抛光效率，且实现抛光垫的自修整功能，从而获得稳定的抛光能力。
一种修整固化固结研磨料及制备方法

[发明专利]一种快速抛光的化学抛光液及其制备方法-CN202210268621.2有效
发明人： 王元立;陈美琳;贺友华 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本申请涉及化学机械技术领域，具体公开了一种快速抛光的化学抛光液及其制备方法，按重量％计，主要由下列原料组成：磨料15‑45％、氧化剂0.3‑1.2％、pH调节剂1‑3％、螯合剂0.3‑1.8％、表面活性剂0.4‑1.6％、去离子水为余量；其中磨料为SiO2水溶胶、KCl和甲基丙烯酸羟乙酯按照质量比为8‑12:2‑5:1混合得到的混合物；本申请的磨料、氧化剂、pH调节剂、螯合剂、表面活性剂相互配合，共同影响锗片抛光后的表面质量，制备具有高性能的抛光液，能够去除锗片表面的抛光损伤，实现锗片表面的平整。
一种快速抛光化学抛光及其制备方法

[发明专利]一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法-CN202210189299.4有效
发明人： 王元立;贺友华;陈美琳 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本申请涉及锗晶片加工技术领域，具体公开了一种用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液和精抛光方法。用于锗晶片化学机械抛光的精抛光液，其由包含以下原料制备而成：改性石墨烯粉、微囊化相变材料、改性二氧化硅粉、聚苯乙烯微球、两性表面活性剂、非离子表面活性剂、硅烷偶联剂、二氯异氰尿酸钠、氟化铵、碳酸氢钠、硫酸钠、水；改性石墨烯粉为二氧化硅、银、硅烷偶联剂对石墨烯处理得到；改性二氧化硅粉为明胶、硅烷偶联剂对二氧化硅处理得到。该精抛光液，通过原料之间的协同作用，不仅降低磷对环境的影响，而且还降低锗晶片抛光处理后的表面粗糙度，提高锗晶片抛光处理的整体性能，满足市场需求。
一种用于晶片化学机械抛光抛光方法

[实用新型]一种适用于纸尿裤、卫生巾面层的水刺无纺布-CN202221420519.1有效
发明人：史晓贤;马腾飞;李升高;胡建锋;王元立;史可 -专利权人：济南永信新材料科技有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B32B9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于纸尿裤、卫生巾面层的水刺无纺布，包括水刺无纺布本体，所述水刺无纺布本体经过疏水浸渍处理或喷淋处理，在无纺布表面形成一种具有疏水性能的薄膜，使无纺布面层具有一定的疏水性能。本实用新型能够保证水刺无纺布本体在吸收水分、将水分导至导流层时，减少水分回渗，保持面层表面的干爽，减少细菌和异味的产生，本实用新型特别适用于在纸尿裤或卫生巾的内部面层，面层正面贴近肌肤，能够提高使用者的体验感。
一种适用于纸尿裤卫生巾面层无纺布

[实用新型]一种晶棒夹具-CN202122891977.5有效
发明人：洪庆福;韩东;王元立;高伟 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶棒夹具，属于晶棒加工领域，包括：底座，轨道、卡环以及顶丝；轨道与底座垂直固定连接，卡环为若干个，卡环通过若干个顶丝与轨道滑动连接，卡环上设置有若干个紧固螺栓，本实用新型结构简单，方便晶棒的拆卸，晶棒固定牢靠，能够改变晶棒固定位置。
一种夹具

[发明专利]一种研磨抛光液的清洗剂及其制备方法-CN202210268750.1有效
发明人： 王元立;贺友华;陈美琳 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C11D1/83 文献下载
摘要：本申请涉及半导体材料加工助剂领域，具体公开了一种研磨抛光液的清洗剂及其制备方法。一种研磨抛光液的清洗剂，以100重量份数计，包括如下组分：有机酸15‑25份、螯合剂5‑10份、润湿剂4‑8份、渗透剂3‑6份、聚乙二醇改性环糊精3‑6份、微晶纤维素1‑3份、助溶剂3‑6份，余量为水；所述聚乙二醇改性环糊精由重量比为1:2‑4的环糊精和聚乙二醇制成。本申请的研磨抛光液的清洗剂可用于晶片的清洗，尤其适用于经过抛光液抛光的晶片的清洗，其对抛光液具有很好的清洗效果，清洗后的晶片粗糙度低、表面残留物少。
一种研磨抛光洗剂及其制备方法

[发明专利]一种磷化铟晶体多线切割切削液及其制备方法-CN202210069503.9有效
发明人：洪庆福;王元立 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C10M173/00 文献下载
摘要：本申请涉及切削液技术领域，具体公开了一种磷化铟晶体多线切割切削液及其制备方法。一种磷化铟晶体多线切割切削液，包括以下质量份的组分：环糊精2～5份、润滑剂1～2份、防锈剂0.5～2份、消泡剂0.5份～1份、表面活性剂0.5～2份、pH调节剂0.5～2份、极压剂0.5～2份、水87～96份；其中润滑剂为松油和松香甘油酯聚氧乙烯醚按照质量比（3～5）:1混合得到的混合物。本申请中的切削液润滑效果优异，且对切割设备的锈蚀较少，并且流动性能、抑泡性能和清洗效果表现较佳。
一种磷化晶体切割切削及其制备方法

[发明专利]一种切割锗初始晶片的方法-CN202210082342.7在审
发明人： 王元立;洪庆福;韩东 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请涉及晶片切割的技术领域，具体公开了一种切割锗初始晶片的方法。切割锗初始晶片的方法包括以下步骤：步骤S1：将待切割锗晶棒粘接于多线切割机的料板上；步骤S2：用多线切割机对锗晶棒进行切割，多线切割机中的切割线上负载有切割液，切割液由固体颗粒与聚乙二醇混合而成，固体颗粒为丙烯酸改性碳化硅微粉、氧化铝微粉的混合物，丙烯酸改性碳化硅微粉通过丙烯酸于碳化硅微粉表面接枝改性制备得到；步骤S3：将切割后的割锗初始晶片放置于清洗液中超声，烘干，得到锗晶片，清洗液为三乙胺与氢氧化钠的碱液。本申请中的切割锗初始晶片的方法能够显著降低切割后锗晶片的损伤层厚度，提高锗晶片质量。
一种切割初始晶片方法

[发明专利]一种用于单面锗晶片的腐蚀方法-CN202210189280.X有效
发明人： 王元立;陈美琳;贺友华 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本申请涉及锗晶片加工技术领域，具体公开了一种用于单面锗晶片的腐蚀方法，且包括如下步骤：在锗晶片的背面以及周向设置光刻胶膜；利用酸腐蚀液对锗晶片的正面进行浸泡腐蚀，在不断喷淋酸腐蚀液下，对锗晶片的正面进行一次纵向切入减薄处理；在不断喷淋导流液下，对锗晶片的正面进行二次纵向切入减薄处理、研磨整平处理；除去光刻胶膜；导流液包含以下原料制成：石墨烯粉、两性表面活性剂、非离子表面活性剂、氟化铵、硅烷偶联剂、水。该方法不仅提高锗晶片减薄处理效率，同时降低锗晶片表面粗糙度，提高锗晶片减薄处理的整体性能，满足市场需求。
一种用于单面晶片腐蚀方法

[发明专利]测量位错密度的方法和位错密度计数装置-CN202111462912.7在审
发明人：王志珍;王元立;高伟 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量位错密度的方法，该方法包括：获取测量对象的图像；根据预设的腐蚀坑筛选条件，检测所获取的图像中的腐蚀坑，并且统计计算所获取的图像中的单一腐蚀坑的平均面积值S0以及平均边界矩形长短边比R0；对所获取的图像中的黑色形状进行轮廓检测，以获得所述黑色形状的轮廓面积S以及边界矩形长短边比R；基于所述黑色形状的轮廓面积S以及边界矩形长短边比R与所述平均面积值S0以及所述平均边界矩形长短边比R0的关系，确定所述黑色形状的腐蚀坑数目；以及基于所获取的图像中的腐蚀坑的总数目和所获取的图像的总面积，计算所述测量对象的位错密度。本发明还涉及一种位错密度计数装置和一种非暂时性计算机可读介质。
测量密度方法计数装置

[实用新型]梳理机输网长帘清洁装置-CN202121460891.0有效
发明人：史成玉;杜其新;黄帆;张沛凯;王元立 -专利权人：济南永信新材料科技有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： D01G15/82 文献下载
摘要：本实用新型公开的梳理机输网长帘清洁装置，包括用于清洁输网长帘的清洁刷，所述清洁刷与输网长帘内表面配合，清洁刷两端支撑在输网长帘的支撑架上，清洁刷能够实时清洁输网长帘，保证输网长帘干净，不需要停机清理。
梳理机输网长帘清洁装置

[发明专利]半导体衬底中的可控氧浓度-CN202010275519.6有效
发明人：莫里斯·杨;戴维斯·张;刘文森;王元立 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制III‑V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法，包括：在密闭容器中放置多个III‑V族化合物半导体衬底；并在所述密闭容器中放置预定量材料，用以调控密闭容器中单晶衬底中的氧浓度。所述预定量的材料对氧具有高度的化学反应性。所述方法还包括保持所述容器内的预定空气压力，以及对所述多个III‑V族单晶衬底进行退火，促使所述预定压力空气内的氧原子在所述晶体衬底中进行扩散而产生可控制的氧浓度。所述III‑V族化合物半导体衬底中的氧浓度由所述预定量的材料来调控。
半导体衬底中的可控浓度

[实用新型]一种用于无纺布喷施功能整理剂的装置-CN202121464582.0有效
发明人：史成玉;李军华;杜其新;王元立;张沛凯 -专利权人：济南永信新材料科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： D06B1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种用于无纺布喷施功能整理剂的装置，包括混合药液的混合桶、输送药液的输液管道和用于喷洒药液的喷头，输液管道上设有第一输液泵，还包括用于支撑输液管道的支架，所述支架上端设有检修平台，输液管道安装在检修平台前端。在无纺布生产过程中，若是喷头出现问题，人可以直接上到检修平台上进行维修，简单快捷，无需停线检修更换，保证生产效率。
一种用于无纺布喷施功能整理装置

[实用新型]一种无纺布布面风格分析仪-CN202121477604.7有效
发明人：史成玉;宋东鹏;张沛凯;马腾飞;王元立 -专利权人：济南永信新材料科技有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本实用新型公开的一种无纺布布面风格分析仪，包括底座和立柱，所述立柱下端固定在底座上，所述底座上设有高匀背景光源，所述立柱上位于无纺布上方设有相机，所述相机上设有中孔反射光源。由高分辨率黑白相机及高分镜头采集布面试样图片，将图像数据发送给工作站上位机中，无纺布试样图片由图像处理软件处理后，再由专用评价软件与同规格标准布样样本图片比对计算，从而确定无纺布的风格质量水平。可以有效的降低不同质检人员的主观经验差异造成的布面风格质量的评价结论一致性差，主观因素多等问题。可以基于此设备的应用建立一个产品风格质量标准数据库及等级差异数据库，保证产品评价的准确性。
一种无纺布布面风格分析

[实用新型]晶片包装盒的清洗装置-CN202120981508.X有效
发明人：洪庆福;王元立;高伟 -专利权人：北京通美晶体技术股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： B08B9/093 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶片包装盒的清洗装置，其中所述清洗装置包括：喷淋单元，所述喷淋单元包括依次布置的上引流板、上喷淋面板、下喷淋面板和下引流板，其中所述上引流板和下引流板中分别设置有进液口，所述上喷淋面板和下喷淋面板中分别设置有多个喷淋孔，所述喷淋孔的直径小于进液口的直径，且所述上喷淋面板和下喷淋面板之间形成空腔，所述空腔允许晶片包装盒通过并且包括进料口和出料口；支架，所述支架连接至所述下引流板，用于支撑所述喷淋单元；以及，泵，所述泵包括进液管路和排液管路，其中所述进液管路连接至蓄液池，所述排液管路连接至上引流板和下引流板中的进液口。
晶片包装清洗装置

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