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[实用新型]光刻曝光设备-CN201820599133.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及光刻曝光设备组件装置构造，具体为一种光刻曝光设备，该光刻曝光设备，包括依次设置的用于暂储晶圆的等待区、用于搬移晶圆的机械手臂与用于曝光晶圆的曝光区，在等待区和曝光区之间设置有供机械手臂通行的过渡区风淋室本实用新型通过对光刻曝光设备的改进，使得晶圆在运输过程中能保持温度波动很小，晶圆自身温度均匀性变好，大大减少了热效应对晶圆表面的影响，使得后续光刻曝光步骤中晶圆叠对误差进一步减少，从而提升了晶圆良率。
晶圆光刻曝光设备出风口等待区风淋室过渡区本实用新型机械手臂风管组曝光区支管热效应温度均匀性光刻曝光晶圆表面曝光设备温度波动依次设置运输过程组件装置进风口搬移良率曝光通行改进

[发明专利]扫描光刻的控制方法、装置、设备及存储介质-CN202111245162.8在审
发明人：陈国军;吴景舟;马迪 -专利权人：江苏迪盛智能科技有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种扫描光刻的控制方法、装置、设备及存储介质。该扫描光刻的控制方法包括：获取光刻设备沿扫描方向移动到目标表面的当前位置；根据待曝光图像和当前位置确定当前待曝光光斑图像；根据当前待曝光光斑图像调整光刻设备投影到目标表面的光斑图像。本方案通过光刻设备移动到目标表面的具体位置来对应调整光刻设备对目标表面进行照射的光斑图像，相比于现有技术通过时间来对应调整光刻设备对目标表面进行投影的光斑图像，规避了因扫描光刻的运动系统的精度低，导致目标表面曝光出来的图像产生偏差的问题由此，本方案可以提高扫描光刻的实际曝光点与曝光的帧图像对应的精确度，减小曝光图像偏差。
扫描光刻控制方法装置设备存储介质

[发明专利]一种光刻方法和能量反馈系统-CN201010601912.6无效
发明人：胡骏;黄玮 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光刻方法和一种能量反馈系统，所述光刻方法包括：建立能量反馈系统和光刻流程中设定的光刻参数的数据连接；能量反馈系统通过所述数据连接获取光刻流程中设定的光刻参数；能量反馈系统根据获取到的光刻参数计算得到曝光参数；能量反馈系统向曝光设备输出所述曝光参数。本发明所提供的技术方案，能够及时自动的获取到光刻流程中设定的光刻参数，使曝光设备能够及时的应用与光刻匹配的曝光参数进行曝光。同时该方法能够实现自动计算并调整曝光参数，无需人工手动操作，能够避免人工操作引起的曝光参数计算或录入错误。
一种光刻方法能量反馈系统

[发明专利]光刻系统-CN202111294253.0在审
发明人：汪美里 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F1/40 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种光刻系统，包括：光刻设备；适用于所述光刻设备的掩膜版，具有曝光区和围绕所述曝光区设置的非曝光区，其中，所述掩膜版包括：器件图案，设置于所述曝光区，用于在曝光时被投影至覆盖半导体结构的光刻胶中；静电释放环，设置于所述曝光区，且环绕在所述器件图案外，所述静电释放环的特征尺寸小于所述光刻设备的分辨率；其中，所述静电释放环与所述器件图案具有预设间距。
光刻系统

[发明专利]一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质-CN201910522070.6有效
发明人：周畅;朱岳彬;陈超;廖飞红 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质，光刻设备包括两个运动台；运动台的工作区包括曝光区和非曝光区，光刻设备的控制方法包括：控制一运动台在曝光区进行第一工序的过程中，控制另一运动台在非曝光区进行第二工序，且当第一工序完成时，非曝光区的运动台运动到非曝光区和曝光区的交界处，第一工序包括曝光，因曝光时间较长，进而可以使得在非曝光区进行第二工序的运动台向曝光区运动的速度较慢，进而不会造成光刻设备和承载两个运动台的导轨的振动，则不会对正在曝光的运动台造成串扰，有利于提高曝光精度，并有利于提高光刻设备的产率。
一种光刻设备及其控制方法装置存储介质

[实用新型]一种应用于光刻机的辅助设备-CN202222037642.1有效
发明人：陈志特;王华 -专利权人：东莞锐视光电科技有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种应用于光刻机的辅助设备，光刻机用于对涂覆了光刻油墨的基板进行光刻加工以制得PCB，辅助设备包括：底座支架组件、辅助装置以及曝光模组，辅助装置用于对光刻油墨进行加速反应处理，加速反应处理为通过辅助装置提高基板上的光刻油墨的活性以提升曝光效果；曝光模组用于对涂覆了光刻油墨的基板进行曝光，以制得PCB；其中，基板可固定于底座支架组件上并接受辅助装置的加速反应处理和曝光模组的曝光处理。本实用新型通过设置辅助装置对基板上的光刻油墨进行加速反应处理，使涂覆在基板上的光刻油墨在曝光前或曝光过程中温度升高，其分子活动更加剧烈，有效提高了光刻油墨在曝光过程中的光固化速度，进而提高了PCB的光刻效率
一种应用于光刻辅助设备

[发明专利]光刻设备焦距监测方法-CN200810113998.0有效
发明人：杨金坡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光设备焦距的监测方法，包括：提供具有测试图形的掩模板和具有光刻胶层的衬底；通过所述的曝光设备、利用所述掩模板对所述光刻胶层执行曝光工艺，在所述光刻胶层中形成测试图案；测量所述光刻胶层中的测试图案的光谱图；根据曝光设备的焦距与利用该焦距曝光而形成的测试图案的光谱图之间的映射关系，获得所述光刻胶层中的测试图案的光谱图相应的曝光焦距。
光刻设备焦距监测方法

[发明专利]光刻版以及光刻版的曝光方法-CN201010507317.6无效
发明人：黄玮 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻版，包括芯片区域，还包括位于芯片区域外，光刻机镜头允许的区域内的标记图形区域。本发明还涉及一种光刻版的曝光方法，包括下列步骤：一种光刻版的曝光方法，包括下列步骤：装上光刻版并对位，所述光刻版包括芯片区域，还包括位于芯片区域外、光刻机镜头允许的区域内的标记图形区域；选择专用曝光程序；使用所述专用曝光程序对圆片进行曝光，将曝光区域分别设置在所述芯片区域和标记图形区域，依次对每一片圆片进行曝光。上述光刻版以及光刻版的曝光方法，能够充分利用设备产能，提高生产效率。
光刻以及曝光方法

[发明专利]曝光分辨率优化方法、装置、电子设备及存储介质-CN202311037238.7有效
发明人：曹子峥;周延;皮雅稚;余少华 -专利权人：鹏城实验室
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种曝光分辨率优化方法、装置、电子设备及存储介质，涉及光刻领域，本申请将光刻系统的可调曝光参数和可调曝光参数的曝光结果输入至预设优化模型得到目标参数，其中，可调曝光参数至少包括光源相位；基于目标参数对光刻系统进行调节形成新曝光参数的光刻系统；基于新曝光参数的光刻系统进行曝光得到新的曝光结果，将目标参数作为新的可调曝光参数，基于新的可调曝光参数和新的曝光结果返回执行将光刻系统的可调曝光参数和可调曝光参数的曝光结果输入至预设优化模型得到目标参数的步骤本申请实施例，加入了光源相位作为可调曝光参数之一，参与到优化过程中，丰富了优化方向，改善调控的精细度，从而提高光刻分辨率的增强效果。
曝光分辨率优化方法装置电子设备存储介质

[发明专利]用于补偿曝光过程中的曝光误差的方法-CN201580030265.9有效
发明人： C·W·J·贝伦德森;M·贝克斯;H·J·卡斯特里杰恩斯;H·A·格瑞斯;A·H·凯沃特斯;L·M·勒瓦希尔;P·沙普;B·斯特瑞夫科尔克;S·A·特罗普 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于补偿光刻设备的曝光过程中的曝光误差的方法，光刻设备包括衬底台，该方法包括：获得剂量测量，剂量测量指示到达衬底水平面的IR辐射的剂量，其中剂量测量能够用来计算曝光过程期间由光刻设备中的物体吸收的IR辐射的量；以及使用剂量测量来控制曝光过程以便补偿与曝光过程期间由物体吸收的IR辐射相关联的曝光误差。
用于补偿曝光过程中的误差方法

[发明专利]用于补偿曝光过程中的曝光误差的方法-CN202010106860.9有效
发明人： C·W·J·贝伦德森;M·贝克斯;H·J·卡斯特里杰恩斯;H·A·格瑞斯;A·H·凯沃特斯;L·M·勒瓦希尔;P·沙普;B·斯特瑞夫科尔克;S·A·特罗普 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于补偿光刻设备的曝光过程中的曝光误差的方法，光刻设备包括衬底台，该方法包括：获得剂量测量，剂量测量指示到达衬底水平面的IR辐射的剂量，其中剂量测量能够用来计算曝光过程期间由光刻设备中的物体吸收的IR辐射的量；以及使用剂量测量来控制曝光过程以便补偿与曝光过程期间由物体吸收的IR辐射相关联的曝光误差。
用于补偿曝光过程中的误差方法

[实用新型]光刻设备-CN201721831734.X有效
发明人：沈雪;葛伟伟;柯汎宗;黄志凯 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光刻设备，包括：曝光装置，用于利用光罩对晶圆表面的光刻胶进行曝光；温度检测装置，用于检测经过曝光过程之后的光罩的温度；冷却装置，所述冷却装置位于光罩从所述曝光装置向所述温度检测装置转移的路径上所述光刻设备能够降低光罩形变，提高光刻线宽和套刻精度，保证产品质量。
光罩光刻设备温度检测装置冷却装置曝光装置本实用新型晶圆表面曝光过程光刻胶形变光刻套刻曝光检测保证

[发明专利]制备多级台阶微结构的方法-CN202310246552.X在审
发明人：伦婷婷;李俊杰;潘如豪;张忠山 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种制备多级台阶微结构的方法，其包括如下步骤：(1)在衬底上制备光刻胶涂层；(2)设计初始曝光版图，所述初始曝光版图为灰度图，且所述灰度图中每个像素点的灰度值为0‑255灰阶；所述初始曝光版图上每个像素点的灰度值与紫外光束对光刻胶涂层上每个点的曝光剂量呈相关性；(3)优化所述初始曝光版图以获得优化曝光版图；(4)将所述优化曝光版图导入紫外光刻系统，利用紫外光刻设备对所述光刻胶涂层进行曝光加工；(5)对曝光后的光刻胶涂层进行显影工序，以在所述光刻胶涂层上产生与所述优化曝光版图对应的光刻胶台阶微结构
制备多级台阶微结构方法

[发明专利]光刻设备和器件制造方法-CN200810145952.7无效
发明人：朱德克斯·玛丽·多米尼克斯·斯多尔德瑞杰;埃瑞克·罗洛夫·鲁普斯卓;简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特;蒂德瑞克·简·马阿斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2008-08-14 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了通过先或者后曝光衬底上的一个或多个边缘器件而减少衬底在主光刻设备内花费的曝光时间的光刻设备和器件制造方法。由于边缘器件最终不会形成有用装置，所以所述边缘器件可以采用第一光刻装置进行曝光，所述第一光刻装置具有比用于曝光一个或多个由所述衬底生成的其它完整器件的分辨率低的分辨率。因此，对边缘器件的先或者后曝光可以采用更低复杂度的以及成本更低的光刻装置进行。
光刻设备器件制造方法

[发明专利]双台面直写光刻设备的控制方法、下位机和直写光刻设备-CN202211499842.7在审
发明人：周安萌;邵德洋;谢卫传 -专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双台面直写光刻设备的控制方法、下位机和直写光刻设备，其中，双台面直写光刻设备的控制方法，包括：在对第一台面上的基板进行曝光处理时，获取第二台面上的基板的曝光数据并进行存储；以及在对第二台面上的基板进行曝光处理时，获取第一台面上的基板的曝光数据并进行存储。本发明的双台面直写光刻设备的控制方法，能够减少曝光前发送等待时间，提高效率和提高生产线路板的产能。
台面光刻设备控制方法下位

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