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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201510009809.5在审
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体结构及其的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有具有开口的掩膜层；沿开口刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底内形成凹槽；在凹槽内形成第一初始介质层，第一初始介质层表面与掩膜层表面齐平；刻蚀第一初始介质层，形成第一介质层，使第一介质层表面低于半导体衬底表面；在刻蚀后的第一介质层表面形成第二初始介质层，所述第二初始介质层表面与掩膜层表面齐平，所述第二初始介质层的湿法刻蚀速率小于第一介质层的湿法刻蚀速率；刻蚀所述第二初始介质层，形成第二介质层，使所述第二介质层表面与半导体衬底表面齐平；去除所述掩膜层。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010724388.5在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底内具有底层介质层；在底层介质层内形成第一凹槽；在第一凹槽内形成第一金属层，第一金属层的顶部表面低于底层介质层的顶部表面；在第一金属层、第一凹槽的部分侧壁上以及基底上形成第一介质层，第一介质层和底层介质层之间具有刻蚀选择比；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层和第一介质层之间具有刻蚀选择比；刻蚀第二介质层，直至暴露出第一介质层，形成开口；刻蚀去除开口暴露出的第一介质层，直至暴露出第一金属层表面
半导体结构形成方法

[发明专利]MIM电容的形成方法-CN202011096881.3有效
发明人：杨宏旭;刘俊文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请公开了一种MIM电容的形成方法，包括：在第一介质层上的第一目标区域覆盖光阻，第一介质层形成于MIM电容薄膜上，MIM电容薄膜形成于第二介质层上，第二介质层形成于介质阻挡层上，介质阻挡层形成于层间介质层上，MIM电容薄膜从下至上依次包括底部电极层、电容介质层和顶部电极层；进行刻蚀，去除除第一目标区域以外的其它区域的第一介质层和顶部电极层，刻蚀至其它区域的电容介质层的目标深度；去除光阻，沉积电容介质；在第二目标区域覆盖光阻，第二目标区域覆盖第一目标区域且大于第一目标区域；进行刻蚀，去除除第二目标区域以外的其它区域的底部电极层，刻蚀至其它区域的第二介质层的目标深度；去除光阻，沉积第三介质层。
mim 电容形成方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201510616088.4有效
发明人：许高博;殷华湘;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种铁电栅介质层的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上淀积高k栅介质层；在所述高k栅介质层上淀积应力层；在所述高k栅介质层中引入掺杂元素；对所述高k栅介质层进行退火处理，实现高k栅介质层的相变，从而形成铁电栅介质层。本发明提供的铁电栅介质层的制造方法，通过在高k栅介质层中引入掺杂元素，在应力层的夹持作用下退火形成具有铁电属性的高k栅介质层，该方法有利于与CMOS工艺相兼容，提高铁电材料在小尺寸半导体器件中的应用。
半导体器件制造方法

[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制备方法-CN201710953079.3在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级芯片封装结构及其制备方法，晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属线层；沟槽，位于半导体芯片之间的低k介质层内；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属线层电连接；保护层，填充于所述焊料凸块之间及外围，且覆盖裸露的所述低k介质层及所述金属线层。本发明通过在低k介质层及金属线层上表面及外围形成保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕
晶圆级芯片封装结构及其制备方法

[发明专利]高深宽比接触孔的形成方法-CN201911204062.3有效
发明人：赵哲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种高深宽比接触孔的形成方法，包括如下步骤：提供衬底，在衬底上形成介质层，介质层包括非易过刻蚀区域及易过刻蚀区域，且介质层包括至少两层子介质层，一辅助层设置在子介质层之间，辅助层位于易过刻蚀区域，子介质层位于非易过刻蚀区域，刻蚀物质对辅助层的刻蚀速率小于对介质层的刻蚀速率；在介质层上形成图形化的掩膜层，掩膜层具有图形窗口，图形窗口暴露出介质层；以掩膜层为阻挡层，刻蚀所介质层及所述辅助层，形成高深宽比接触孔本发明的优点在于，在所述介质层的易过刻蚀区域添加所述辅助层，加强了该区域对等离子体轰击的抵抗能力，则该区域不会被等离子体过刻蚀，不会对后续导电材料的填充造成影响，大大提高了器件性能。
高深接触形成方法

[实用新型]晶圆级芯片封装结构-CN201721319954.4有效
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆级芯片封装结构，晶圆级芯片封装结构包括半导体芯片；重新布线层，包括低k介质层、位于低k介质层内及低k介质层上表面的金属线层；沟槽，位于半导体芯片之间的低k介质层内；焊料凸块，位于重新布线层的上表面，且与金属线层电连接；保护层，填充于所述焊料凸块之间及外围，且覆盖裸露的所述低k介质层及所述金属线层。本实用新型通过在低k介质层及金属线层上表面及外围形成保护层，即可以有效避免外部的水汽渗入到低k介质层内使得低k介质层更易破裂，又可以起到稳固低k介质层，防止外力对低k介质层破坏的作用，从而使得低k介质层在切割过程中不会出现裂痕
晶圆级芯片封装结构

[实用新型]一种低反射三银镀膜玻璃-CN202321326538.2有效
发明人：董清世;邓登高;程享龙;秦勇;薛劲;彭国庆 -专利权人：信义玻璃（江苏）有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低反射三银镀膜玻璃，包括依次层叠设置的玻璃基板、底层保护层、吸收层、电介质隔离层、第一电介质抗氧化层、第一金属低辐射层、第一合金吸收层、第二电介质抗氧化层、第一电介质干涉层、第三电介质抗氧化层、第二金属低辐射层、第二合金吸收层、第四电介质抗氧化层、第二电介质干涉层、第五电介质抗氧化层、第三金属低辐射层、第三合金吸收层、第六电介质抗氧化层、第一介质保护层、第二介质保护层；通过各个膜层的合理配合
一种反射镀膜玻璃

[发明专利]毫米波天线结构及无线传输设备-CN202211051300.3在审
发明人：徐镭家 -专利权人：歌尔科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01Q5/50 文献下载
摘要：本发明公开一种毫米波天线结构及无线传输设备，该毫米波天线结构包括：自上而下依次层叠设置的五层介质基板，每层介质基板包括介质板本体和设置于介质板本体及两侧表面的导电层；其中，第一层介质基板和第三层介质基板与夹设于两者之间的第二层介质基板形成有上层内部空气腔；第三层介质基板和第五层介质基板与夹设于两者之间的第四层介质基板形成有下层内部空气腔；第三层介质基板和第一层介质基板上分别形成有辐射区域，两个辐射区域构成介质集成波导结构；第三层介质基板还设有第一缝隙；第一层介质基板还设有第二缝隙。
毫米波天线结构无线传输设备

[发明专利]半导体结构形成方法-CN201810015729.4在审
发明人：林宗德;彭琬婷;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种半导体结构形成方法，包括：提供介质层；在所述介质层顶部形成牺牲层，所述牺牲层的硬度小于所述介质层的硬度；形成贯穿所述介质层厚度及牺牲层厚度的通孔；形成填充满所述通孔的金属层，所述金属层顶部高于所述介质层顶部；采用化学机械研磨工艺，去除高于所述介质层顶部的所述金属层，并去除位于所述介质层顶部的所述牺牲层。本发明能够防止化学机械研磨工艺研磨金属层造成金属层顶部出现凹陷，从而改善半导体结构的性能。
介质层金属层牺牲层半导体结构化学机械研磨工艺去除通孔研磨凹陷贯穿

[发明专利]半导体器件-CN202310146737.3在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：电容器结构包括在第一方向上堆叠的底部电极、电介质层和顶部电极。电介质层包括第一电介质层、在第一方向上堆叠在第一电介质层上的第二电介质层、以及提供在第一电介质层中的第一杂质。第一电介质层包括铁电材料，第二电介质层包括反铁电材料。
半导体器件

[发明专利]钨插塞的制造方法-CN200810112806.4无效
发明人：保罗 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种钨插塞的制造方法，包括：提供具有介质层的半导体基底，在所述介质层中具有介质孔；在所述介质孔中和介质层上沉积厚度小于2500埃的钨金属层，且所述钨金属层至少填满所述介质孔；平坦化所述钨金属层，去除所述介质层上以及所述介质孔开口上方多余的钨金属层
钨插塞制造方法

[实用新型]适用于高含固率废热水的换热器-CN201620009444.6有效
发明人：王河奎;金辉煌;张海伟 -专利权人：上海协能环保科技有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： F28D7/16 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种适用于高含固率废热水的换热器，包括若干第一介质通道层、若干第二介质通道层；各第一介质通道层设置至少一个第一介质通道，各第二介质通道层设置至少一个第二介质通道；所述第一介质通道层、第二介质通道层交替间隔设置，第一介质通道层、第二介质通道层内分别设置冷介质、热介质；各个第一介质通道层之间依次串接，纵向相邻的第一介质通道层通过端头连接；各个第二介质通道层之间依次串接，纵向相邻的第二介质通道层通过端头连接。本实用新型提出的适用于高含固率废热水的换热器，可以回收废水中的热量，降低整体系统能耗；有效解决换热器处理含固率较高介质时造成内部阻塞的缺陷。
适用于高含固率废热水换热器

[发明专利]形成用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构的方法-CN201880000948.3有效
发明人：肖莉红;胡禺石 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：在示例中，第一电介质层形成在衬底上，并且第一光刻胶层形成在第一电介质层上。通过由修整‑刻蚀所述第一电介质层构成的周期来图案化出穿过所述第一电介质层到达所述衬底的凹陷。形成填充所述凹陷的多个电介质/牺牲层对。在所述电介质/牺牲层对的顶表面上形成第二光刻胶层。通过由修整‑刻蚀所述电介质/牺牲层对构成的周期来使所述电介质/牺牲层对图案化。形成覆盖图案化的电介质/牺牲层对的第二电介质层。通过利用多个导体层替换所述图案化的电介质/牺牲层对中的牺牲层而在所述衬底上形成包括多个导体/电介质层对的存储器堆叠层。
电介质牺牲层电介质层图案化衬底光刻胶层阶梯结构凹陷侧布刻蚀修整三维存储器件存储器件存储器导体导体层顶表面堆叠层填充三维替换穿过覆盖

[发明专利]显示面板-CN201910079389.6有效
发明人：林吴维;罗睿骐 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：一种显示面板，包含第一薄膜晶体管、像素电极、显示介质层、遮光层、彩色滤光层以及光感测器。像素电极电性连接第一薄膜晶体管。显示介质层设置在像素电极上。遮光层设置在显示介质层上，并包含第一开口图案及第二开口图案。彩色滤光层设置在显示介质层上，其中彩色滤光层在显示介质层上的垂直投影与遮光层的第一开口图案在显示介质层上的垂直投影部分重叠。光感测器设置在显示介质层之上，其中光感测器在显示介质层上的垂直投影与遮光层的第二开口图案在显示介质层上的垂直投影部分重叠。
显示面板