专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN202310390280.0在审
  • 朴正敏;林汉镇;丁炯硕 - 三星电子株式会社
  • 2023-04-12 - 2023-10-20 - H01L23/64
  • 一种半导体器件包括:单元电容器,所述单元电容器设置在衬底上并且包括第一电极、电介质层结构和第二电极。所述电介质层结构包括:第一电介质层,所述第一电介质层设置在所述第一电极上并且包括铁电材料;第二电介质层,所述第二电介质层设置在所述第一电介质层上并且包括反铁电材料;以及电介质颗粒,所述电介质颗粒分散在所述第一电介质层或所述第二电介质层中的至少一者中并且包括顺电材料。
  • 半导体器件
  • [发明专利]集成电路器件-CN202310261597.4在审
  • 朴正敏;林汉镇;丁炯硕 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-17 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 公开了集成电路器件。所述集成电路(IC)器件包括:下电极,在基底上,下电极包括包含第一金属的含金属膜;介电膜,覆盖下电极;以及上电极,面向下电极,介电膜在上电极与下电极之间。下电极包括:主下电极层,不包括与第一金属不同种类的金属掺杂剂,主下电极层与介电膜间隔开;以及界面下电极层,与介电膜接触,并且包括第一金属掺杂剂和第二金属掺杂剂。第一金属掺杂剂处于第一价态并且包括不同于第一金属的第二金属。第二金属掺杂剂处于小于第一价态的第二价态,并且包括不同于第一金属和第二金属的第三金属。
  • 集成电路器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202310246383.X在审
  • 朴正敏;林汉镇;丁炯硕 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-07 - 2023-09-12 - H10N97/00
  • 一种半导体器件包括电容器结构。该电容器结构包括在第一方向上顺序堆叠的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括插设在底电极和顶电极之间并在第一方向上交替堆叠的第一电介质层和第二电介质层。第一电介质层包括铁电材料,第二电介质层包括反铁电材料。最下面的第二电介质层插设在最下面的第一电介质层和底电极之间,最上面的第二电介质层插设在最上面的第一电介质层和顶电极之间。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202310146737.3在审
  • 朴正敏;林汉镇;丁炯硕 - 三星电子株式会社
  • 2023-02-09 - 2023-09-12 - H10N97/00
  • 一种半导体器件,包括电容器结构。电容器结构包括在第一方向上堆叠的底部电极、电介质层和顶部电极。电介质层包括第一电介质层、在第一方向上堆叠在第一电介质层上的第二电介质层、以及提供在第一电介质层中的第一杂质。第一电介质层包括铁电材料,第二电介质层包括反铁电材料。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体存储器件-CN202211566742.1在审
  • 朴正敏;林汉镇 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-07 - 2023-08-18 - H10B12/00
  • 一种半导体存储器件,包括:衬底;以及电容器结构,所述电容器结构位于所述衬底上,并且包括下电极、电容器电介质层和上电极。其中,所述电容器电介质层包括:下界面层,所述下界面层位于所述下电极上并且掺杂有第一导电类型的杂质;上界面层,所述上界面层在所述上电极下方,并且掺杂有并非所述第一导电类型的第二导电类型的杂质;以及电介质结构,所述电介质结构位于所述下界面层与所述上界面层之间。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]半导体装置-CN202211489629.8在审
  • 朴正敏;林汉镇 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-25 - 2023-05-26 - H10B12/00
  • 提供了半导体装置,所述半导体装置包括:晶体管,设置在基底上;和电容器结构,电连接到晶体管,其中,电容器结构包括第一电极;介电层结构,设置在第一电极上;和第二电极,设置在介电层结构上,介电层结构包括:界面层,设置在第一电极上;第一介电层,设置在界面层上并且包括铁电材料、反铁电材料以及铁电材料和反铁电材料的组合中的任意一种;插入层,设置在第一介电层上;和第二介电层,设置在插入层上并且包括顺电材料。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件-CN202211113488.X在审
  • 朴正敏;林汉镇;丁炯硕 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-13 - 2023-05-23 - H10N97/00
  • 一种半导体器件,包括电容器。电容器包括在第一方向上顺序堆叠的底部电极、介电层和顶部电极。介电层包括介于底部电极与顶部电极之间并在第一方向上堆叠的第一介电层和第二介电层。第一介电层是反铁电的,并且第二介电层是铁电的。第一介电层的热膨胀系数大于第二介电层的热膨胀系数。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202211430632.2在审
  • 朴正敏;林汉镇 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-15 - 2023-05-23 - H10B12/00
  • 一种半导体器件包括衬底上的第一接触插塞、电容器、绝缘分隔层以及第二接触插塞。电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。第一电极接触第一接触插塞的上表面,并沿基本垂直于衬底的上表面的竖直方向延伸。第二电极与第一电极间隔开,并沿竖直方向延伸,并且包括分别与第一电极的下表面和上表面基本共面的下表面和上表面。介电层在第一电极和第二电极的侧壁上。绝缘分隔层形成在介电层的在第一电极和第二电极的侧壁上的部分之间。第二接触插塞接触第二电极的上表面。
  • 半导体器件

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