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- [发明专利]铁电薄膜电容的结构和制备方法-CN202210374731.7在审
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张禹;张恒;于方舟;李悦;孙一鸣;张敏
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华为技术有限公司
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2022-04-11
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2023-10-27
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H10N97/00
- 本申请实施例提供了一种铁电薄膜电容以及铁电薄膜电容的制备方法，本申请提供的铁电存储电容的结构，包括：第一金属电极；第二金属电极；铁电层，所述铁电层设置于所述第一金属电极和所述第二金属电极之间；其中，所述铁电层的材料为锆掺杂二氧化铪材料，所述锆掺杂二氧化铪材料中掺杂有氮元素，该铁电薄膜电容通过在锆掺杂二氧化铪铁电层中原位注入氮元素，可以钝化薄膜沉积过程中受高温影响产生的氧空位；此外，在铁电薄膜电容使用过程中，可以于铁电层内部通过填补氧空位的方式减少电缺陷，从而改善由于氧空位累积导致的铁电薄膜印记效应和击穿现象，提高铁电薄膜电容的性能以及使用寿命。
- 薄膜电容结构制备方法
- [发明专利]MIM电容及其制作方法-CN202310946000.X在审
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江红;高毅
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-28
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2023-10-13
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H10N97/00
- 本发明提供一种MIM电容及其制作方法，MIM电容包括：衬底以及位于衬底上的下极板、上极板和层间介质层；上极板呈台阶状且包括上台阶部、下台阶部和台阶侧壁；上台阶部覆盖部分下极板；上台阶部与下极板之间形成有板间介质层，下极板的侧壁与台阶侧壁之间形成有侧墙介质层；第一接触孔暴露出下台阶部的上表面；第二接触孔暴露出下极板的上表面。本发明上极板呈台阶状，上极板的电信号从下台阶部通过第一接触孔引出，降低了第一接触孔底部与第二接触孔底部二者的高度差，从而降低了刻蚀难度，避免了第一接触孔过刻蚀；第一接触孔不在上台阶部与下极板的交叠区域，彻底避免了第一接触孔过刻蚀导致的上极板与下极板短路的问题。
- mim电容及其制作方法
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