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[发明专利]改善层间介质层研磨返工工艺的方法-CN201410163486.0无效
发明人：徐莹;罗飞;周维 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善层间介质层研磨后返工工艺的方法，用于对层间介质层研磨后的半导体衬底进行返工，所述层间介质层被过量研磨，所述层间介质层具有目标厚度，包括：测量所述层间介质层的实际厚度；根据所述层间介质层的实际厚度与所述层间介质层的目标厚度的差异，获得补偿膜层的厚度，所述补偿膜层用于覆盖所述层间介质层的表面；获得覆盖膜层的目标厚度，所述覆盖膜用于覆盖所述补偿膜层的表面；根据所述补偿膜层与所述覆盖膜层的厚度之和，进行一次沉积工艺，形成所述补偿膜层和覆盖膜层本发明减少了等离子体增强化学气相沉积工艺给下方的层间介质层带来的损伤，减少了研磨误差带来的器件性能漂移。
改善介质研磨返工工艺方法

[实用新型]超薄介质层的电路板-CN201520655228.4有效
发明人：卞华昊 -专利权人：高德（无锡）电子有限公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超薄介质层的电路板，特征是：包括中间介质层，在中间介质层的正面和背面对称设置多个介质层，在介质层中分别设置介电层，在最外层的介质层表面设有外层介电层和防焊层；所述中间介质层的厚度为64μm，介质层的厚度为46μm或35μm，介电层的厚度为25±5μm，最外层介电层的厚度为31μm，防焊层的厚度为10μm。所述防焊层采用绿油。本实用新型通过控制每层介电层厚度，搭配使用更薄介质层材料，保证板内填胶充足，无缺胶空洞异常，满足减低PCB成品板厚的要求。
超薄介质电路板

[发明专利]陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法-CN201110056287.6有效
发明人：樱井俊雄;小更恒;岚友宏;畑中洁;宫内泰治 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和边界反应层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层不同的材料的层，所述边界反应层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并包含Zn、Ti、Cu和Mg的至少一种的层
陶瓷电子部件制造方法

[发明专利]一种沟槽型器件及其制备方法-CN202010211835.7在审
发明人：胡强;金涛;秦潇峰;王思亮;蒋兴莉 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，特别是一种沟槽型器件及其制备方法，包括衬底，所述衬底上设置有体区，所述体区上设置有第二导电层，所述第二导电层中设置有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层下方设置有栅极介质层，栅极介质层下方设置有第二绝缘介质层，所述第一绝缘介质层、栅极介质层和第二绝缘介质层连通，所述栅极介质层位于体区中，所述第二绝缘介质层位于衬底中，在栅极介质层和第二绝缘介质层中设置有第一导电层，所述第一导电层的深度不小于体区的深度。
一种沟槽器件及其制备方法

[发明专利]一种基于石墨烯阵列的分布反馈啁啾光栅-CN202110516813.6在审
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：包括一个缺陷层两个对称分布在缺陷层两侧的啁啾光栅，所述啁啾光栅包括一个第一电介质层和若干个第二电介质层，各第二电介质层位于第一电介质层与缺陷层之间；由第一电介质层至缺陷层，各第二电介质层的厚度逐渐增大，且相邻第二电介质层的厚度差为一等量常数；相邻第二电介质层之间、第一电介质层和与之临近的第二电介质层之间、缺陷层和与之临近的第二电介质层之间均具有一石墨烯层。
一种基于石墨阵列分布反馈啁啾光栅

[发明专利]电容器结构及包括其的半导体器件-CN201810908334.7有效
发明人：金宰佑;金喆基;金澈完;朴有庆;崔吉铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：该电容器结构包括：包括电极垫和地垫的衬底；在衬底上的多个电介质层，多个电介质层在衬底上处于不同的水平；在多个电介质层中的至少两个电介质层中的多个导电图案层，多个电介质层中的所述至少两个电介质层是第一电介质层；将多个导电图案层彼此连接的多个通路插塞；以及在多个电介质层中的至少一个第二电介质层中的至少一个接触层，至少一个第二电介质层不同于至少两个第一电介质层，并且所述至少一个接触层将多个导电图案层电连接到电极垫和地垫
电容器结构包括半导体器件

[实用新型]一种基于石墨烯阵列的分布反馈啁啾光栅-CN202121019975.0有效
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：包括一个缺陷层两个对称分布在缺陷层两侧的啁啾光栅，所述啁啾光栅包括一个第一电介质层和若干个第二电介质层，各第二电介质层位于第一电介质层与缺陷层之间；由第一电介质层至缺陷层，各第二电介质层的厚度逐渐增大，且相邻第二电介质层的厚度差为一等量常数；相邻第二电介质层之间、第一电介质层和与之临近的第二电介质层之间、缺陷层和与之临近的第二电介质层之间均具有一石墨烯层。
一种基于石墨阵列分布反馈啁啾光栅

[发明专利]基于一维膜腔结构的不等带宽光交错滤波器-CN201010126601.9无效
发明人：张娟;于帅 -专利权人：上海大学
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于一维膜腔结构的不等带宽光交错滤波器，包括输入光纤、准直透镜、11层光学介质层、聚焦透镜和输出光纤，其特征是11层光学介质层沿光束前进的方向依次为：第1、11层为B种介质层、第2、10层为C种介质层、第3、9层为B种介质层、第4、8层为A种介质层、第5、7层为D种介质层、第6层为C种介质层；C种介质层为各向同性的光学玻璃，A、B、D种介质层为不同折射率的光学薄膜；A、B、D种介质层膜的光学厚度均为中心波长的1/4，C种介质层的光学厚度的表达式为C/(2·Δf)。
基于一维膜腔结构不等带宽交错滤波器

[实用新型]高遮阳低传热被动式离线镀膜玻璃-CN202020388193.3有效
发明人：董清世;张建强;徐景逊 -专利权人：信义玻璃（天津）有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型属于玻璃技术领域，尤其涉及一种高遮阳低传热被动式离线镀膜玻璃，包括玻璃基板、第一电介质干涉层、增透层、半导体低辐射层、合金光吸收层、电介质抗氧化层、第二电介质干涉层、第三电介质干涉层、第一复合介质保护层和第二复合介质保护层，第一电介质干涉层、增透层、半导体低辐射层、合金光吸收层、电介质抗氧化层、第二电介质干涉层、第三电介质干涉层、第一复合介质保护层和第二复合介质保护层依序叠层设置于玻璃基板上。通过各膜层的整合，达到透明玻璃材料可见光透光率大于60％，传热系数小于0.7W/m2K，太阳红外热能总透射比gir≥0.20，太阳红外热能总透射比g≥0.45，
遮阳传热被动式离线镀膜玻璃

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610030627.7有效
发明人：刘乒;张海洋;马擎天 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成硬掩膜层并图案化所述硬掩膜层；刻蚀所述多晶硅层至所述电介质层表面形成栅极；在具有所述栅极的衬底上形成介质层；所述介质层覆盖所述栅极侧壁、电介质层和硬掩膜层表面；去除位于所述电介质层和硬掩膜层表面的所述介质层；利用磷酸去除所述硬掩膜层；以及栅极侧壁表面的介质层。本发明在所述栅极的侧壁形成侧壁保护层，该保护层起到了隔离腐蚀液与栅极的作用，从而避免了瓶颈现象的发生。
半导体器件制造方法

[发明专利]全介质小角度依赖颜料片-CN201910936661.8有效
发明人：牛亮亮;石斌;蔡宏亮;向杰 -专利权人：惠州市华阳光学技术有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本申请提供了一种全介质小角度依赖颜料片。该全介质小角度依赖颜料片包括介质基层和至少一介质叠层周期,介质基层包括第一子介质基层，至少一介质叠层周期层叠设置于第一子介质基层的至少一侧主表面上，每个介质叠层周期包括第一子介质叠层和第二子介质叠层，第一子介质叠层的折射率小于第二子介质叠层和第一子介质基层，且第一子介质叠层相较于同一介质叠层周期内的第二子介质叠层更靠近第一子介质基层设置，介质基层和介质叠层周期的光学厚度设置成使得颜料片在相对于介质基层所在的主表面的法线方向偏离0度‑60度范围内的色移小于本申请的全介质小角度依赖颜料片能够在一定角度范围内，使颜料片的颜色随角度发生的变化较小的效果。
介质角度依赖颜料

[发明专利]一种湿度传感器-CN202110407012.6在审
发明人：倪波;胡海彦;苏卫红;刘雷 -专利权人：诚智创芯微波电子技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01N22/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种湿度传感器，包括谐振结构层、介质层和基底层，基底层上设置有介质层，介质层上设置有若干个谐振结构层，若干个所述谐振结构层呈周期性排列在中间介质层上；介质层包括中间介质层和外侧介质层。
一种湿度传感器

[发明专利]一种耦合式宽带微带到介质集成波导的过渡结构-CN201910458132.1有效
发明人：张涛;朱樟明;卢启军;尹湘坤;刘阳;刘晓贤 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01P5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种耦合式宽带微带到介质集成波导的过渡结构，包括：第一介质层；第一金属层，位于第一介质层的下方；第二介质层，位于第一金属层的下方；第二金属层，位于第二介质层下方；微带结构，位于第一介质层上表面；介质集成波导结构，设置于第二介质层中，微带结构与介质集成波导结构通过第一金属层实现能量耦合。本发明的微带到介质集成波导的过渡结构，将微带结构设置于第一介质层的上表面，并将介质集成波导结构设置于第二介质层中，使微带结构与介质集成波导结构通过第一金属层实现能量耦合，这种方式可以实现微带到介质集成波导的叠层式结构
一种耦合宽带微带介质集成波导过渡结构

[发明专利]过滤介质和具有过滤介质的过滤部件-CN201610036221.3有效
发明人： L.施佩尔特;S.诺伊鲍尔;C.瓦格纳 -专利权人：曼·胡默尔有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B32B17/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种过滤介质（1,11），包括第一介质层（3,13）、第二介质层（4,14）和至少一第三介质层（5,15），其中第二介质层（4,14）在符合规定的过滤介质（1,11）通流方向（2,12）上设置在第一介质层（3,13）后面，并且其中第三介质层（5,15）在符合规定的过滤介质通流方向（2,12）上设置在第二介质层（4,14）后面，其中第一介质层具有小于第二介质层颗粒分离率的颗粒分离率，并且其中第二介质层具有小于第三介质层颗粒分离率的颗粒分离率，并且所述介质层（3,4,5,13,14,15）、最好所有介质层不是材料锁合或者仅仅点状材料锁合地相互连接。本发明还涉及一种过滤部件（50），该过滤部件包括这种过滤介质（10），以及使用这种过滤介质或者过滤部件，用于过滤燃料。
过滤介质具有部件

[发明专利]数字微镜器件的形成方法-CN201310462456.5有效
发明人：汪新学;倪梁;伏广才 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：一种数字微镜器件的形成方法，包括提供形成有微镜器件控制电路的基底；在基底上形成第一牺牲层；在第一牺牲层上形成导电材料层、位于导电材料层上的介质材料层、及位于介质材料层上的图形化光刻胶层；以图形化光刻胶层为掩模，对介质材料层进行刻蚀，以形成铰链中的介质层；去除介质层上方的图形化光刻胶层之后，在介质层的周围形成侧墙；以介质层及侧墙为掩模，对导电材料层进行湿法刻蚀，以形成铰链中的导电层；形成导电层之后，去除侧墙。在湿法刻蚀以形成导电层的步骤中，由于介质层的周围形成有侧墙，可以减少导电层的刻蚀量，甚至使导电层不被刻蚀，因而加大了导电层对介质层施加的支撑力，使介质层不容易倒塌。
数字器件形成方法

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