“高纯硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3746210个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]快速凝固微细球形高硅高耐磨铝硅合金粉末的制备方法-CN201510437825.4在审
发明人：米成群;米泽世 -专利权人：泸溪县群祥新材料有限责任公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： B22F9/04 文献下载
摘要：本发明涉及快速凝固微细球形高硅高耐磨铝硅合金粉末的制备方法，该方法以99.85％以上高纯铝和99.7％以上纯硅为原料锭，通过先熔融纯铝再添加硅块的熔炼方法获得合适的AlSi合金溶液，搅拌均匀后，再利用高压氮气喷射雾化进有氮气保护的密闭系统内
快速凝固微细球形高硅高耐磨合金粉末制备方法

[发明专利]一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺-CN201710522320.7在审
发明人：于志远;何燕清;佘建峰;刘于航 -专利权人：于志远
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明为一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺。一种三氯氢硅制备高纯硅工艺，包括(1)将三氯氢硅气体和氢气进入微通道混合加热器加热并混合，得加热后的混合气体；(2)将加热后的混合气体送入微通道反应器，加热并在催化剂的存在下反应，得反应后的混合物；(3)将反应后的混合物降温至后，进行固气分离，得高纯硅和冷却后的混合气体；将冷却后的混合气体中各个组分分离并回收利用。本发明所述的一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺，与传统工艺相比，四氯化硅和三氯氢硅的转化率可以达到50％以上；该工艺与微化工工艺结合，从而可以提高转化率、生产工艺的安全性，降低能耗。
一种氯化氢化工艺三氯氢硅制备高纯

[发明专利]一种制备高纯碳化硅粉料的方法-CN201811338323.6在审
发明人：靳婉琪;热尼亚 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C01B32/963 文献下载
摘要：本发明提出了一种制备高纯碳化硅粉料的方法，其特征在于，(1)选择高纯硅粉和高纯碳粉；(2)对高纯碳粉、石墨坩埚和保温结构进行一次提纯和二次提纯，其中，一次提纯采用真空脱气提纯，二次提纯采用惰性气体下的高温提纯；(3)将步骤(2)二次提纯得到的高纯碳粉和步骤(1)中的高纯硅粉置于步骤(2)二次提纯得到的石墨坩埚中，反应得到高纯碳化硅粉料。本发明通过对碳粉和石墨坩埚及保温结构进行预处理降低了高纯碳粉的含氮量与金属杂质含量，相比合成碳化硅后再进行湿法冶金处理，更为环保，且工序更简单，同时保证了合成碳化硅粉料时不会从石墨坩埚及保温结构中引入杂质
提纯石墨坩埚高纯碳粉料高纯碳化硅保温结构合成碳化硅高纯硅粉制备预处理湿法冶金处理惰性气体金属杂质真空脱气含氮量碳粉引入环保保证

[发明专利]一种纯硅和高硅CHA分子筛的廉价合成方法-CN202010593655.X有效
发明人：张延风;邱恒娥;孔雪;徐宁 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2020-06-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种纯硅和高硅CHA分子筛的廉价合成方法，该方法包括以下步骤：(1)将硅源、模板剂、矿化剂、铝源和水混合后，配置得到母液；(2)将CHA分子筛晶种加入到母液中，经老化、晶化后，得到CHA分子筛并且在较低的温度下也能高效快速合成纯硅和高硅CHA分子筛。与现有技术相比，纯硅和高硅CHA分子筛合成的模板剂用量大幅减少，降低了原料成本，有利于其工业应用。
一种 cha 分子筛廉价合成方法

[发明专利]一种采用硅片废料制备复合型锂离子电池负极材料的方法-CN202010054800.7在审
发明人：李振强;李翔;吉恒松;张梅;唐凯;周海涛;彭海涛;夏燏杰 -专利权人：泰州市海创新能源研究院有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用硅片废料制备复合型锂离子电池负极材料的方法，按以下步骤进行：（1）将金刚线切割硅片废料水洗、酸洗后固液分离,真空干燥得到高纯硅粉；（2）将微米级高纯硅粉通过高能球磨法研磨，获得纳米级高纯硅粉；（3）将纳米级高纯硅粉与碳化钛、石墨按照不同比例混合，通过高能球磨法研磨获得将Si/TiC/C复合材料；（4）将Si/TiC/C复合材料与粘结剂、导电剂、溶剂按一定比例混合均匀后，涂覆于负极铜集流体表面本发明在解决了现有金刚线切割硅片废料回收利用项目附加值低的同时提供了一种新颖的硅基负极复合材料的制备思路与方法，将废弃资源朝着绿色、高效、高收益的方向发展。
一种采用硅片废料制备复合型锂离子电池负极材料方法

[发明专利]废旧太阳能电池片中高纯硅的回收方法-CN201510925076.X有效
发明人：万鑫;王辉 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2015-12-14 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种废旧太阳能电池片中高纯硅的回收方法，包括步骤：将废旧太阳能电池片依次经过盐酸去除铝、硝酸去除银、氢氧化钠去除铝硅合金层、氢氟酸去除氮化硅减反射层、氢氧化钠去除磷扩散层以及盐酸、氢氟酸或者由氢氟酸与硝酸组成的混酸中的一种去除表面金属杂质，得到高纯硅。该方法能够去除废旧太阳能电池片中除高纯硅层外的其他部分，最终可获得纯度达99.9999%的硅，可直接作为电池片制造工艺中的硅料来源。
去除太阳能电池高纯硅氢氟酸氢氧化钠太阳能电池片铝硅合金层表面金属高纯硅层减反射层磷扩散层硝酸去除盐酸去除制造工艺回收硝酸氮化硅电池片硅料混酸盐酸

[发明专利]一种低温去除硅中硼磷的方法-CN201010620791.X有效
发明人：赵立新;王志;郭占成 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种低温去除硅中硼磷的方法，属于高纯硅的生产技术领域，是硅在锡基合金液中的重结晶净化。该方法将工业硅经过破碎酸洗预处理，与锡基合金加热完全共熔，冷却使硅重新结晶析出，结晶硅快速铸块，破碎酸洗可得硼、磷浓度低的高纯硅。该方法重结晶温度为300～1400℃，硅损失量小于5％。
一种低温去除硅中硼磷方法

[发明专利]一种致密石英坩埚高纯涂层的制备方法-CN202010476670.6在审
发明人：邓亮亮;苏成;邢夫龙;王海果;孙春浩;王荣光;王晨 -专利权人：徐州协鑫太阳能材料有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B05D7/00 文献下载
摘要：一种致密石英坩埚高纯涂层的制备方法，包括以下方法：利用石英砂、硅溶胶、去离子水、陶瓷粘结剂制备致密层浆料；利用石英砂、硅溶胶、去离子水、陶瓷粘结剂制备疏松层浆料；利用石英砂、去离子水、降氧剂制备保护层浆料；对需要制备高纯涂层的坩埚基体或者高纯基体进行表面润湿处理；对于坩埚基体或者高纯基体中硅液线以下的区域采用致密层浆料进行致密层涂刷；对于坩埚基体或者高纯基体中硅液线以下区域采用疏松层浆料进行疏松层涂刷；烘干处理；对于坩埚基体或者高纯基体中硅液线以下区域采用保护层浆料进行保护层涂刷。
一种致密石英坩埚高纯涂层制备方法

[发明专利]一种纯硅和高硅CHA分子筛的可控合成方法-CN202010361283.8有效
发明人：张延风;邱恒娥;孔雪 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种纯硅和高硅CHA分子筛的可控合成方法，该方法以N,N,N‑三甲基‑1‑金刚烷基氢氧化铵(TMAdaOH)为模板剂，采用六氟硅酸铵为硅源，或普通硅源与氟化物的混合物为硅源，在H2O/SiO2约为30的稀溶液中高效快速合成纯硅和高硅CHA分子筛，实现对晶体大小的有效调控，同时降低了模板剂的用量，降低成本，并且在低温也能高效快速合成纯硅和高硅
一种 cha 分子筛可控合成方法

[发明专利]锂离子电池负极用硅/碳/石墨复合材料的制备方法-CN201910231337.6在审
发明人：杨建锋;袁媛;卢源明;田东 -专利权人：深圳市斯诺实业发展有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子电池负极用硅/碳/石墨复合材料的制备方法，包括步骤：将含硅原料烘干后进行预处理和提纯制得硅源；将硅源与有机碳源、高纯石墨采用两种不同方式进行复合，制得硅/碳/石墨复合材料：将硅源与有机碳源进行固相或液相复合制得前驱体，然后将前驱体置于惰性气体氛围下高温热解得到硅碳材料，再将硅碳材料与高纯石墨进行机械混合，获得硅/碳/石墨复合材料；将硅源、有机碳源、高纯石墨混合并加入分散剂分散均匀，经过喷雾干燥后置于惰性气体氛围下高温热解，获得硅/碳/石墨复合材料。本发明制备所得负极材料可提高导电性和抑制硅的体积膨胀，提高电池的循环性能，适用于大规模生产。
石墨复合材料硅源高纯石墨有机碳源制备锂离子电池负极惰性气体氛围高温热解硅碳材料前驱体预处理导电性分散均匀负极材料含硅原料机械混合喷雾干燥体积膨胀循环性能液相复合分散剂烘干提纯电池复合

[发明专利]一种适合铸造单晶使用的坩埚制备方法-CN201811403569.7在审
发明人：刘明权;路景刚;黄振华 -专利权人：包头美科硅能源有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合铸造单晶使用的坩埚制备方法，流程包括母体制造‑底部打磨‑高纯涂层制备和高纯氮化硅脱模层制备，该制备方法简单易行，优化坩埚尺寸，提升坩埚下底部平整度降低了位错产生和增殖几率，对坩埚底部和侧壁制造高纯涂层减低了坩埚母体对硅锭的杂质扩散，提升了硅锭品质。
坩埚制备高纯涂层坩埚制备单晶硅锭母体铸造高纯氮化硅杂质扩散平整度脱模层侧壁位错打磨增殖制造优化

[发明专利]精制硅的方法、设备和获得的硅晶体-CN201010280201.3无效
发明人：赵钧永 -专利权人：赵钧永
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及精制硅的方法，即从较低纯度的硅获得较高纯度的硅的方法，以及实施该方法的设备和根据该方法获得的硅晶体。适用于从各种纯度的硅或含硅材料制取半导体和光伏领域应用的高纯硅材料或硅晶体。现有的精制硅的方法，存在着能耗大、生成环境危害因子、成本高、工艺复杂、投资大等问题，本发明采用硅籽晶与硅材料和熔剂熔化制成的含硅熔体接触，使硅自熔体中沿籽晶表面结晶析出，得到纯化的硅晶体，经进一步除去熔剂杂质，获得适合于半导体和光伏领域应用的高纯硅或硅晶体。
精制方法设备获得晶体

[发明专利]一种用高硅废料造渣精炼生产高纯硅/硅合金的方法-CN202210377628.8在审
发明人：邢鹏飞;魏冬卉;孔剑;庄艳歆;金星;冯忠宝;高波;尹华意 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供了一种用高硅废料造渣精炼生产高纯硅/硅合金的方法，按以下步骤进行：(1)高硅废料烘干后作为原料；准备造渣剂；(2)开启熔炼炉，将原料和造渣剂放入熔炼炉内进行造渣精炼，全部熔化后形成熔体；(3)完成造渣精炼后，将熔体出炉浇入模具中静置分层，或在熔炼炉内静置分层，硅熔体/硅合金熔体冷凝后形成高纯硅/硅合金。本发明的方法实现了晶体硅的金刚线切割废料高效的回收利用，减少了废料对环境的污染，实现了高温熔炼和精炼除杂合二为一。
一种用高硅废料造渣精炼生产高纯合金方法

[发明专利]一种同时回收贵金属和制备高纯硅的方法-CN201710363321.1有效
发明人：雷云;马文会;伍继君;李绍元;魏奎先 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时回收贵金属和制备高纯硅的方法，属于贵金属资源清洁利用和硅提纯技术领域。将待处理贵金属物料、硅物料和添加剂一起进行熔炼，保温后得到熔渣和硅基合金；将得到的硅基合金经热处理，使贵金属在硅凝固过程中往硅晶界偏析和富集；将热处理过后的硅基合金研磨成粉末状；用湿法浸出硅晶界处的非硅物相，使被捕集到硅基合金中的贵金属转移到浸出液；将浸出物料进行过滤处理，分别得到固态高纯硅粉和含贵金属的浸出液；将得到的高纯硅粉作为硅物料重新循环使用，或送往光伏或电子产品企业作为制备太阳能级硅或电子级硅的原材料
一种同时回收贵金属制备高纯方法

[发明专利]一种将工业硅粉用作锂离子电池负极材料的方法-CN201210106654.3无效
发明人：姜训勇;张瑞 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：一种将工业硅粉用作锂离子电池负极材料的方法，步骤如下：1）将工业硅粉、导电炭黑、粘结剂和分散剂加去离子水混合；2）利用磁力搅拌棒搅拌混合均匀，制得糊状物；3）将糊状物均匀涂布在集流体表面，烘干后即做成电极片本发明的优点是：1）工业硅粉的价格远远低于高纯硅，价格低廉；2）工业硅粉中的合金元素既可以改善导电性，又能缓解硅在脱嵌锂时的体积效应，避免了对纯硅进行掺杂的工序；3）减轻了我国对高纯硅需求压力，减轻硅提纯时产生的环境污染
一种工业用作锂离子电池负极材料方法

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条