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[发明专利]以高纯石英砂为原料生产太阳能级多晶硅的方法-CN200810010375.0无效
发明人：张海涛;张海霞;张守芬;贺玉凯 -专利权人：锦州新世纪石英玻璃有限公司
申请日： 2008-02-05 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：一种以高纯石英砂为原料生产太阳能级多晶硅的方法，选择SiO₂的含量在99％以上的硅石料，进行水淬、粉碎、筛分、酸洗、磁选、高压电离，使硅石颗粒纯度达到99.99％以上，得到高纯石英砂；把碳质还原剂和矿热炉中的石墨电极在氯化炉中高温氯化，使碳质还原剂的纯度达到99.9999％以上；在矿热炉中用碳质还原剂还原高纯石英砂生产硅，生产过程中，从矿热炉中定期放出硅液；把得到的硅液注入到保温炉中，在非氧化气氛下对产品直接进行高频等离子吹炼除杂，同时向熔硅中添加氧化性气体；再把硅液注入到定向凝固炉中进行定向凝固，进一步提纯硅，即可得到太阳能级多晶硅。
高纯石英砂原料生产太阳能级多晶方法

[发明专利]一种颗粒硅除尘系统-CN202310631688.2在审
发明人：陈其国;苏芳芳;赵彦清;张森;陈辉;兰天石 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B03C7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种颗粒硅除尘系统，包括颗粒硅进料管、氮气进气管、离子发生器、除尘室、筛网和颗粒硅出料管；颗粒硅进料管与除尘室连接，用于输送颗粒硅入除尘室；离子发生器安装在氮气进气管上，氮气进气管与除尘室连接，用于电离高纯氮气产生等离子风对除尘室内颗粒硅进行除尘；筛网设置在除尘室中，用于分选除尘后不同粒径的颗粒硅；颗粒硅出料管与除尘室连接，用于输送不同粒径的颗粒硅出除尘室。本发明通过离子发生器电离高纯氮气形成电离氮气，适用于高粉尘含量的颗粒硅除尘环境，打破了技术上和常规上的偏见，提升颗粒硅产品除尘效果并保证产品纯度，实现对不同粒径颗粒硅产品的分级，分级所用筛网也便于清理更换
一种颗粒除尘系统

[发明专利]多晶硅还原生产装置及方法-CN201210320361.5有效
发明人：齐林喜;王晓亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2012-09-03 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：多晶硅还原生产装置及方法。一种多晶硅还原生产方法，包括：将第一路高纯三氯氢硅气体与高纯氢气混合均匀后送入第一还原炉发生还原反应，排出包括三氯氢硅、氢气、四氯化硅以及氯化氢的一级尾气，通过冷凝分离出一级尾气中的四氯化硅，剩余一级尾气作为多晶硅生产的还原气体原料本发明能够减少在多晶硅生产中的能耗，降低生产成本；同时还有利于提高多晶硅产品的质量。
多晶还原生产装置方法

[发明专利]用二氧化硅制取太阳能级硅的方法-CN201410743148.4在审
发明人：李绍光 -专利权人：李绍光
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：一种用二氧化硅制取太阳能级硅的方法，其特征在于采用高纯氢还原二氧化硅制取一氧化硅，进而利用一氧化硅的歧化反应制取太阳能级硅，它包括如下步骤：(一)将二氧化硅用气流磨进行粉碎，使之达到50～500目；(二)将粉碎后的二氧化硅微粉用浓硝酸浸泡1～4小时；(三)将滤去浸泡液之后的二氧化硅微粉用去离子水漂洗1～4时，再放进真空室内烘干；(四)在流化床中使高纯氢与烘干后的二氧化硅微粉进行反应制取一氧化硅；(五)将一氧化硅微粉取出，置于液固分离定向凝固歧化反应炉中，通过歧化反应，再将硅与二氧化硅分离，并通过定向凝固进一步去除硅中其它的金属杂质，得到太阳能级高纯硅。采用本发明的工艺，可进一步降低太阳能级高纯硅的生产成本。
二氧化硅制取太阳能级方法

[发明专利]一种高纯α相氮化硅粉末的制备方法及制备设备-CN202110599144.3有效
发明人：王开新;赵世维;周正;周志中 -专利权人：合肥中航纳米技术发展有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：一种高纯α相氮化硅粉末的制备方法及制备设备，涉及高熔点氮化物粉体制备技术领域。高纯硅粉物料和催化剂自进料斗进入进料仓中，通入高纯氮气，通过进料仓中气旋处理，使粉体物料以均匀气流粉体形态进入等离子体反应器中；启动等离子弧发生器，形成等离子电弧焰流，在催化剂的催化作用下，高纯硅粉物料粉体气流经过等离子电弧焰流快速反应，从而获得非晶态的氮化硅粉体；最后经过管式炉进行煅烧获得高纯α相氮化硅。本发明将经过等离子体气相反应生成的非晶态氮化硅直接进行煅烧，从而获得高纯α相氮化硅。其α相含量为90％左右，β相含量约为10％左右，且制备产物的形貌规则，颗粒均匀度较好，粒径分布均匀，纯度较高。
一种高纯氮化粉末制备方法设备

[发明专利]一种自蔓延法生产高纯硅化铪的工艺-CN202110038809.3有效
发明人：张洪涛 -专利权人：辽宁中色新材科技有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：一种自蔓延法生产高纯硅化铪的工艺，将氧化铪和石墨粉加入粘合剂，放入真空球磨机中，混料，用油压机压成圆饼后，装入真空电阻烧结炉的石墨坩埚中；抽真空开始升温反应，反应完成后，停电随炉降温，得到高纯铪；将高纯铪和硅粉加入硝酸钠和粘合剂，用油压机压成圆饼后，装入真空自蔓延炉中的石墨坩埚中，圆饼逐层堆放成锥形，放入镁粉作为点火剂，抽真空，升温，加热钨丝点燃镁粉，通过热传递逐步引燃所有圆饼，发生自蔓延反应，自蔓延反应完毕，随炉降温，得到高纯硅化铪优点是：工艺条件简单、可控，摆脱了用单质合成的高成本生产工艺，产品纯度高，可以大规模工业化生产。
一种蔓延生产高纯硅化铪工艺

[实用新型]高纯硅铁块浇铸模具翻转装置-CN202023107824.9有效
发明人：马文军 -专利权人：河南省恒跃精密铸业有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B22D33/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及模具辅助工具技术领域，具体为高纯硅铁块浇铸模具翻转装置，包括支架，所述支架转动连接用于固定模具的固定架，各所述固定架在支架的两侧相对布置，各所述固定架的高度可调节，所述支架安装滚轮，本高纯硅铁块浇铸模具翻转装置便于模具的移动
高纯铁块浇铸模具翻转装置

[发明专利]一种提纯硅废料制备高纯硅的方法-CN200810058570.0无效
发明人：马文会;戴永年;杨斌;刘大春;梅向阳;魏奎先;唐绍雨;郭宽新;于站良;徐宝强;伍继君;汪镜福;郁青春;姚耀春 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种提纯硅废料制备高纯硅的方法，以含硅90％以上的块状的单晶硅尾料或埚底料作为原料，进行真空蒸发及定向冷凝精炼提纯处理，首先加热到原料的熔点以上，在真空状态下保温进行真空蒸发，去除易挥发的杂质，然后再拉伸冷却进行真空定向冷凝精炼提纯处理，使得金属杂质富集于一端，既除去了非金属杂质，又除去了金属杂质，制备得纯度在99.999％以上的高纯硅。
一种提纯废料制备高纯方法

[发明专利]中频熔炼回收打磨硅粉的方法-CN201610404441.7有效
发明人：方明;李鹏廷;谭毅;姜大川;张磊 -专利权人：大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种中频熔炼回收打磨硅粉的方法，以提纯的多晶硅铸锭或提纯锭产生的顶皮料打磨粉作为硅料，通过中频线圈感应加热使其熔化得到硅液，加入吸附渣剂吸附硅液中的硬质点，然后将富含硬质点的渣剂去除得到高纯硅液，最后将高纯硅液倒入冷却包得硅块。本发明解决富含硬质点的多晶硅高温难熔问题。在高温过程中，由于渣剂的保护作用，避免高温硅粉的氧化，从而获得去除硬质点的硅料，达到多晶硅铸锭/提纯产生顶皮再利用。本发明中获得的低硬质点硅料，在后续铸锭中，不会产生硬质点富集问题，有利于提高铸锭的产率。
中频熔炼回收打磨方法

[发明专利]一种熔盐电解法制备太阳级硅材料的方法-CN200710034619.4无效
发明人：赖延清;田忠良;张治安;李志友;刘芳洋;李劼;刘业翔 -专利权人：中南大学
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳级多晶硅材料的制备方法，特别涉及采用“熔盐电解－三层液精炼－真空蒸馏”工艺制取太阳级多晶硅材料的方法。本发明首先以SiO₂或其它含硅化合物为原料，采用熔盐电解技术制取含硅合金Si－M1；以获得的含硅合金Si－M1为阳极，高纯金属M2为阴极，采用三层液熔盐电解精炼技术，制备高纯含硅合金Si－M2；最后采用真空蒸馏技术，由高纯含硅合金Si－M2制取太阳级多晶硅材料。
一种熔盐电解法制备太阳材料方法

[发明专利]一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法-CN201510714846.6在审
发明人：刘明权;陈董良;王禄宝 -专利权人：镇江环太硅科技有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其制备方法如下：（1）在石英坩埚坯料底部刷涂或喷涂一层粘结浆料，（2）再铺设一层高纯球状原生硅料，作为形核源层，（3）对形核源层做适当的钝化处理，（4）坩埚侧壁上刷涂或喷涂一层高纯涂层烘干得坩埚成品；本发明工艺控制条件要求低，高效形成稳定性高，降低坩埚杂质扩散对硅锭质量的影响、晶体内部位错密度低，可有效提升坩埚自身的功能性和降低高质量硅锭的制造成本
一种杂质扩散低位密度 g6 高纯高效坩埚制备方法

[发明专利]一种多晶铸锭用高效坩埚及其制备方法-CN201310022908.8有效
发明人：颜颉颃;习海平;罗建明;高源;石宗杰;张欣 -专利权人：晶海洋半导体材料（东海）有限公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶铸锭用高效坩埚，包括常规的石英坩埚，所述石英坩埚的底部均匀镶嵌有高纯颗粒。本发明还公开了一种多晶铸锭用高效坩埚的制备方法。与现有的石英坩埚相比，本发明具有以下技术效果：（1）本发明将高纯颗粒均匀分布在石英坩埚底部，使石英坩埚底部形成规律分布的凹凸起伏，在多晶铸锭过程中，高纯颗粒形成的凹凸起伏能够引导晶体形核，使其形成均匀、（2）石英坩埚底部镶嵌高纯颗粒后，高纯颗粒牢牢固定在石英坩埚上，使用后颗粒不脱落，利于铸锭后坩埚的脱模，避免了高纯颗粒进入到硅锭中导致底部硅料报废。（3）高纯颗粒在石英坩埚底部呈矩阵型均匀排列，有利于形成分布均匀、大小适中的晶核，利于后期晶体生长质量的提高。
一种多晶铸锭高效坩埚及其制备方法

[发明专利]一种节能型多晶硅还原炉的内胆顶部结构及其实施方法-CN201210142235.5有效
发明人：刘春江;段连;周阳;黄哲庆;段长春;袁希钢 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种节能型多晶硅还原炉的内桶顶部结构及其实施方法，内胆顶部为包括底板和顶板的双层结构，底板通过螺栓与内胆的内壁连接，顶板通过螺栓与内胆的外壁连接；内胆顶部均匀地布置出气管，出气管分布在顶板上液态三氯氢硅通过排液管流到内胆的内壁上，在内胆顶部的底板和顶板之间的区域内通入高纯三氯氢硅液体；进入还原炉的气体经过反应后通过出气管排出，在内胆顶部的底板和顶板之间通入高纯三氯氢硅液体，还原炉运行过程中向内胆顶部辐射大量热量，液态高纯三氯氢硅受热后将挥发，挥发产生的气体通过回气管返回到还原炉内。解决了多晶硅还原炉内胆顶部温度过高以及不均匀的问题。
一种节能型多晶还原内胆顶部结构及其实施方法

[实用新型]一种MEMS甲烷传感器的催化剂载体的制备装置-CN201521064032.4有效
发明人：秦顺利;马洪宇;王丽影;丁恩杰 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： B01J21/04 文献下载
摘要：一种MEMS甲烷传感器的催化剂载体的制备装置，包括磁力搅拌器，磁力搅拌器上设有内装有纳米氧化铝溶胶的容器，容器内的设有磁力搅拌子、高纯铝片和硅圆片，高纯铝片和硅圆片分别经导线与直流电压源相连，高纯铝片连接直流电压源的正级，硅圆片连接直流电压源的负极。硅圆片上制备有众多的MEMS甲烷传感器加热元件，每个MEMS甲烷传感器加热元件包括两个金属极板及与之相连的加热器；硅圆片边缘的总金属连接端通过硅圆片上的金属线与所有MEMS甲烷传感器加热元件的金属极板相连
一种 mems 甲烷传感器催化剂载体制备装置

[发明专利]矿冶化联产金属铝、硅、乙炔及煤气的方法-CN200810084435.3有效
发明人：贾建立 -专利权人：贾建立
申请日： 2008-03-24 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： C22B21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种矿冶化联产金属铝、硅、乙炔及煤气的方法，该方法由煤矸石、高硅铝土矿预处理与煤气化一体化，净化煤气用作合成气或燃气——蒸汽发电，氯化钙熔盐氯化制取低价氯化铝与电石和单质硅熔炼一体化；低价氯化铝气相法氢还原制高纯铝或铝粉，氢氧焰上水解制高纯超细氧化铝，氨中热解制高纯超细氮化铝；含单质硅的电石水分解制乙炔，灰渣用回收盐酸溶解，氯化钙再生循环利用，同时获得经过酸洗除杂的工业硅。
矿冶联产金属乙炔煤气方法