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- [发明专利]生产高纯硅的新材料及工艺-CN200710055956.1无效
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侯振海
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侯振海;肖世平
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2007-08-13
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2009-02-18
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C01B33/025
- 本发明是一种用纳米高纯二氧化硅粉(专利:200710055572.X)和纳米高纯碳粉(专利:200710055571.5)两种新材料混合冶炼高纯硅的方法及工艺。本发明是一种用纳米高纯二氧化硅和纳米高纯碳混合冶炼,辅助炉外精炼,生产炼高纯硅的新方法及工艺。特点是用高纯二氧化硅粉和高纯碳粉两种新材料混合冶炼高纯硅,一开始就不允许杂质的进入,降低了提纯的难度。本发明的优点是:与现有工艺采用的原料相比,原料易得,碳原料属于可再生资源,不需要以破坏森林资源为代价来获取冶炼原料——木炭,也不需要使用越来越紧缺的石油焦,只需要采用本发明人发明的“生产高纯碳的新方法”的产品即可;二氧化硅原料也不需要使用越来越紧缺的优质硅石或电熔石英甚至天然水晶,只需要采用本发明人发明的“生产高纯二氧化硅的新方法”的产品即可。
- 生产高纯新材料工艺
- [发明专利]一种太阳能级硅电解制取法和装置-CN201010100731.5无效
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李绍光
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李绍光
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2010-01-26
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2010-06-30
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C25B1/00
- 一种太阳能级硅电解制取法,其特征在于它包括如下步骤:(一)用高纯氯气和化学纯工业硅反应制取气态四氯化硅的步骤;(二)用分级冷凝分离、纯化气态四氯化硅制取液态四氯化硅的步骤;(三)将冷凝纯化后的液态四氯化硅注入低温电解槽内电解制取高纯硅的步骤;(四)将电解槽阳极所析出的氯气循环利用于和化学纯工业硅反应制取气态四氯化硅的步骤。本发明还提出了一种实施上述方法的装置,采用本发明的方法制取太阳能级硅,投资少、能耗小、成本低,对环境无污染,可取得极大的经济价值。
- 一种太阳能级电解制取装置
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