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[发明专利]一种利用硅渣制备高纯二氧化硅的方法-CN201810437493.3有效
发明人：羊实;周旭 -专利权人：成都斯力康科技股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硅渣制备高纯二氧化硅的方法，一种利用硅渣制备高纯二氧化硅的方法，包括以下步骤：步骤1，在有机硅渣浆中加入氢氧化钠溶液进行溶解反应，经过滤获得偏硅酸钠溶液；步骤2，向碳酸钠溶液中加入所述步骤1制备的偏硅酸钠溶液，并通入CO2气体进行碳酸化分解，反应结束后固液分离获得偏硅酸沉淀和碳酸钠溶液；步骤3，将所述步骤2制备的偏硅酸沉淀经酸洗、水洗后，进行干燥获得高纯二氧化硅。本发明充分利用了有机硅生产过程中的废料有机硅渣浆为原料，获取高纯二氧化硅，实现了废物利用，经济环保。
一种利用制备高纯二氧化硅方法

[发明专利]一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法-CN200910036965.5有效
发明人：黄新明;张永欣;邝亚镭;郭宽新 -专利权人：晶海洋半导体材料（东海）有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用高温气-固反应制备高纯度硅的方法，包括以下步骤：(1)取低纯硅进行破碎处理，然后进行筛分；(2)将破碎好的硅料放入高温固相反应炉中，抽真空到1.0×10^-1～1.0×10^-4Pa以除去炉内大部分的空气，接着用惰性气体对炉内进行置换以除去炉内空气，然后将硅料升到800℃～1412℃，再充入活性气体，进行气-固反应；(3)将步骤(2)处理后的硅料进行清洗，即得高纯硅产品。本发明方法采用气-固反应制备高纯度硅，生产效率高，设备投资少，能耗低，产能大，对环境影响比较小，成本低，产品纯度高，能一步到位的制备出太阳能电池行业用高纯硅。
一种利用高温反应制备纯度方法

[发明专利]一种溶胶-凝胶法制备高纯硅胶色谱柱填料的方法-CN201210245776.0有效
发明人：杨俊佼;彭秋瑾 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： B01J20/281 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶胶-凝胶法制备高纯硅胶色谱柱填料的方法，是以单晶硅粉作为硅源，在氨水的催化下，首先合成了高纯、单分散的纳米级二氧化硅水溶胶；然后利用溶胶-凝胶法制备出单分散微球，再对微球进行热处理，最终得到高纯本发明采用单晶硅粉作为硅源，氨水作为催化剂，避免了金属等杂质的混入，单分散微球通过热处理之后，得到了高纯、多孔的硅胶基质微球，其单分散性好、表面孔结构分布均匀，无需分级处理就可直接用作色谱柱填料。
一种溶胶凝胶法制高纯硅胶色谱填料方法

[发明专利]一种以硅灰为原料制备高纯二氧化硅的方法-CN202210374168.3有效
发明人：罗大伟;王思忆;曾林;任学妹;刘思伶;张津源;胡星月;蒋珊 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C01B33/193 文献下载
摘要：本发明公开了一种以硅灰为原料制备高纯二氧化硅的方法，涉及二氧化硅技术领域，本发明采用硅灰为原料，将硅灰酸煮除杂后与烧碱反应生成液体硅酸钠；8‑羟基喹啉加入液体硅酸钠中络合沉淀硅酸钠中的金属杂质，过滤后得到高纯硅酸钠；高纯硅酸钠用酸进行盐析，沉淀物硅酸经煅烧得到高纯二氧化硅。本发明提供的方法操作简单，硅灰的原料来源广、成本低，实现了固废的高附加值开发与利用，且工艺路线简单，操作条件无高温高压，因此，本发明方法具有较高的环境价值、经济价值和社会价值。
一种原料制备高纯二氧化硅方法

[发明专利]一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法-CN201010300736.2无效
发明人：吴学林;卢小丹 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法，涉及多晶硅生产领域中的高纯多晶硅硅块清洗的方法，在混酸腐蚀和纯水(EW-I)漂洗工序后设置氢氟酸溶液腐蚀工序；氢氟酸溶液为电子级氢氟酸和纯水(EW-I)按1∶2～5(重量份)的配比稀释而成，腐蚀浸泡时间根据硅块表面的氧化层厚薄及氢氟酸的溶液浓度的决定；超声清洗之后再用热氮气切水、真空烘干从而得到满足直拉单晶要求的高纯免洗多晶硅硅块。通过增加氢氟酸溶液腐蚀工序，去除硅块经过混酸腐蚀的多晶硅硅块再次接触空气后产生的表面氧化层，从而得到表面金属光泽度好、表面质量更优的免洗高纯多晶硅料。
一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗方法

[发明专利]一种生产高纯硅铁的降硼的渣系-CN200910203812.5无效
发明人：王启民;齐中勇;霍生福;霍东林;罗永帮 -专利权人：青海物通（集团）实业有限公司
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C21C7/076 文献下载
摘要：本发明属于高纯硅铁生产的技术领域，特别涉及一种生产高纯硅铁的降硼的渣系。采用此渣系配方制得的渣系可有效降低高纯硅铁中硼杂质含量，使产品中硼含量达20ppm以下，完全满足了精品钢冶炼中对高纯硅铁产品的质量要求，此外它还具有价格便宜，使用方便，原料易得等优点。
一种生产高纯

[发明专利]一种Beta分子筛的制备方法及其应用-CN202011285278.X在审
发明人：罗东霞;田鹏;王全义;王林英;李冰;刘中民 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C01B39/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种无氟水热合成高硅和纯硅Beta分子筛的方法。该方法将含有硅源、铝源、无机盐M、有机模板剂R2、Beta晶种和水的原料混合搅拌，形成均匀的凝胶，再进行水热晶化，离心洗涤干燥即可制得所述分子筛。本申请所提供的纯硅和高硅Beta沸石的制备方法，表现出晶化时间短，结晶度高的优点。
一种 beta 分子筛制备方法及其应用

[发明专利]一种用高硅废料造渣精炼生产高纯硅/硅合金的方法-CN201811219039.7在审
发明人：邢鹏飞;孔剑;魏冬卉;庄艳歆;金星;冯忠宝;高波;尹华意 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种用高硅废料造渣精炼生产高纯硅/硅合金的方法，按以下步骤进行：(1)高硅废料烘干后作为原料；准备造渣剂；(2)开启熔炼炉，将原料和造渣剂放入熔炼炉内进行造渣精炼，全部熔化后形成熔体；(3)完成造渣精炼后，将熔体出炉浇入模具中静置分层，或在熔炼炉内静置分层，硅熔体/硅合金熔体冷凝后形成高纯硅/硅合金。本发明的方法实现了晶体硅的金刚线切割废料高效的回收利用，减少了废料对环境的污染，实现了高温熔炼和精炼除杂合二为一。
造渣精炼硅合金高纯硅熔炼炉高硅熔体静置分层造渣剂熔化线切割废料高温熔炼回收利用冷凝硅熔体晶体硅烘干出炉除杂放入模具精炼生产污染

[发明专利]熔盐电解和定向凝固组合技术生产太阳能级多晶硅的方法-CN201310664985.3有效
发明人：石富;陈炜;高岗强;李锋;贾锐军 -专利权人：内蒙古机电职业技术学院
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种熔盐电解和定向凝固组合技术生产太阳能级多晶硅的方法，其特征在于，采用下列工艺步骤(1)共析法熔盐电解制备铝硅合金；(2)定向凝固分离铝硅；(3)真空蒸馏和定向凝固高纯硅。本发明获得的高纯多晶硅的磷含量减少到0.08×10‑6，磞含量小于0.1×10‑6，硅纯度达到99.99995％以上，满足了太阳能级硅对杂质的含量要求(小于0.5×10‑6)。
电解定向凝固组合技术生产太阳能级多晶方法

[实用新型]一种用于制备高纯碳化硅粉料的反应器-CN201922422102.3有效
发明人：王超;靳婉琪;热尼亚;柏文文 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于制备高纯碳化硅粉料的反应器，属于半导体材料制备领域。该用于制备高纯碳化硅粉料的反应器包括：坩埚，坩埚形成合成腔，合成腔包括原料区和位于原料区上方的合成区，原料区用于放置硅原料；石墨板组，石墨板组包括至少一个石墨板，石墨板组置于合成区，石墨板与硅原料之间设置间隙；加热炉，坩埚至于加热炉内，加热炉加热使得硅原料升华至与石墨板反应生成高纯碳化硅粉料。该用于制备高纯碳化硅粉料的反应器制得的高纯碳化硅粉料的纯度高；制得的碳化硅产品为颗粒状，不需要破碎/研磨后处理，防止了杂质的引入；且该反应器在制备高纯碳化硅粉料时不需要添加额外辅助剂维持合成反应的进行。
一种用于制备高纯碳化硅反应器

[发明专利]一种硅铝合金中微量元素含量的测定方法-CN202010294312.3在审
发明人：刘洋;王莉;王斌斌;朱启茂;王伟;王玉明;项晓梅 -专利权人：首钢京唐钢铁联合有限责任公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G01N21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅铝合金中微量元素含量的测定方法，包括：将高纯铝与氢氟酸、硝酸进行消解反应，得到高纯铝溶液；所述高纯铝、氢氟酸和硝酸的质量体积比为0.25g：3～6mL：3～6mL；将所得高纯铝溶液分别添加至不同浓度的微量元素标准溶液中，定容后得到微量元素标准工作溶液；检测所得微量元素标准工作溶液的谱线强度，绘制微量元素标准工作曲线；将待测铝硅合金与氢氟酸、硝酸进行消解反应，得到待测铝硅合金溶液；所述待测铝硅合金、氢氟酸和硝酸的质量体积比为0.25g：3～6mL：3～6mL；根据所述微量元素标准工作曲线确定所述待测铝硅合金中所述微量元素的含量。该方法能够准确测量铝硅合金中微量元素的含量。
一种铝合金微量元素含量测定方法

[发明专利]一种由硅矿石制备高纯硅的装置及其制备方法-CN201310343089.7有效
发明人：罗学涛;赖慧先;黄柳青;卢成浩;方明;陈娟;李锦堂 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：一种由硅矿石制备高纯硅的装置及其制备方法，涉及一种高纯硅的制备方法。将硅矿石、油焦和木炭混合进入炉内加热，加入造渣剂造渣精炼；开启定向凝固炉电源和辅助电极，使造渣精炼后的硅液流入坩埚中；开启充气孔和抽气孔，向定向凝固炉内通入氩气和水蒸气；使硅液温度达到1700～1800℃；开启等离子枪，对硅液表面进行熔炼；维持硅液表面温度在1450～1520℃；开启水冷装置；定向凝固完成后硅锭冷却，即得高纯硅。
一种矿石制备高纯装置及其方法

[发明专利]一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法-CN201110451756.4有效
发明人：谭毅;李亚琼;李佳艳;李超超;武深瑞;刘瑶 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C25C3/06 文献下载
摘要：本发明属于硅和铝提纯的技术领域。一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法，具体步骤如下:(1)合金精炼提纯：采用合金精炼法对金属铝和冶金硅的混合原料进行熔炼，去除冶金硅中的杂质硼，从而得到铝硅合金；(2)电解分离：铝硅合金作为阳极，不锈钢作为阴极，低温熔盐作为电解液，进行恒电流电解，阳极富集的阳极泥为多晶硅，阴极富集铝；（3）后处理：将阳极富集的多晶硅进行破碎、酸洗除杂、去离子水清洗、过滤和干燥，获得低硼的多晶硅，将阴极富集的铝进行清洗、干燥获得高纯铝。本发明有效去除冶金硅中的杂质硼，其提纯效果好，环保效益高。铝的回收利用率达到93%以上，纯度达到99.999%以上。
一种高纯电化学精炼提纯方法

[发明专利]一种从切割废砂浆中回收硅粉和碳化硅粉的方法-CN200710018636.9有效
发明人：杨建锋;高积强;陈畅;杨军;张文辉 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2007-09-11 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： B24B55/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种从单晶硅切割或磨削加工硅晶片产生的废砂浆中提取高纯硅粉和碳化硅粉的工艺方法，包括对废砂浆进行固液分离，通过有机溶剂去除废料中的悬浮剂和粘结剂，对固态砂料进行气体浮选，得到一定纯度的硅粉末，进一步对该硅粉末进行液体浮选和重力分选，再将分选出的硅粉进行酸洗，获得高纯度的硅粉。同时将重力分选得到的碳化硅－金属的混合粉末进行磁力分选，获得纯的碳化硅粉末。本发明方法可以有效地回收硅棒切割加工产生的废砂浆中的高纯硅，以及作为切割磨料的碳化硅微粉，回收效率高，是一种变废为宝，解决高纯度硅原料资源短缺问题的实用技术。
一种切割砂浆回收碳化硅方法

[发明专利]一种高纯碳化硅粉料及其制备方法、反应器-CN201911370486.7有效
发明人：王超;靳婉琪;热尼亚;柏文文 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本申请涉及一种高纯碳化硅粉料及其制备方法、反应器，属于半导体材料领域。该高纯碳化硅粉料的制备方法包括下述步骤：1)提供硅原料和石墨板组，所述石墨板组包括至少一个石墨板；2)将所述硅原料和所述石墨板置于坩埚内，所述石墨板组置于所述硅原料上方，所述石墨板与硅原料之间设置间隙；3)将装料后的坩埚置于加热炉内进行高温固相合成，即制得所述高纯碳化硅粉料。该高纯碳化硅粉料的制备方法不需要添加额外辅助剂维持反应的进行；并且该方法在除杂阶段的温度高、压力低制的碳化硅粉的纯度高；该方法制得的碳化硅产品为颗粒状，不需要破碎/研磨后处理，防止了杂质的引入。
一种高纯碳化硅料及制备方法反应器

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