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[发明专利]从硅片切割加工副产物中回收多晶硅的方法-CN201110191444.4无效
发明人：高德耀 -专利权人：高德耀
申请日： 2011-07-11 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：从硅片切割加工副产物中回收多晶硅的方法。包括（1）将废砂浆进行固液分离得到砂浆沉淀物；（2）将砂浆沉淀物调浆后离心分离出粗硅物和碳化硅粉；（3）将粗硅物加入混合无机酸反应6～8小时，得到初级硅粉料；（4）将初级硅粉料调浆在三级超声波洗涤塔中分离出含硅粉80%的中级硅粉和碳化硅。（5）将中级硅粉加入纯水调浆泵入高频介电分离装置中分离出99%的高纯硅粉；（6）将高纯硅粉加入纯水调浆；泵入电去离子模块的淡水侧分离出杂质；得99.99%的超纯硅粉；（7）经真空脱水、压制成球团、铸锭，切去杂质，得到99.9999%的多晶硅。
硅片切割加工副产物回收多晶方法

[发明专利]一种大孔高纯硅铝胶及其制备方法-CN202110027758.4有效
发明人：王秀辉;孙明成;杨朋山;常朝霞;朱小良 -专利权人：东营一鸣新材料有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C01B33/158 文献下载
摘要：本发明涉及硅铝胶制备领域，公开了一种大孔高纯硅铝胶及其制备方法。本发明生产的大孔高纯硅铝胶，Al2O3所占质量分数可达9%，SiO2所占质量分数可达大孔高纯硅铝胶的制备方法包括配制铝盐的酸溶液、配制泡花碱的水溶液、溶胶凝胶反应、第一次助剂浸泡、用酸性物浸泡、第一次水洗、第二次助剂浸泡、第一次烘干、第三次助剂浸泡、第二次水洗及第二次烘干等十一个生产步骤，本发明的大孔高纯硅铝胶孔容和比表面积大，配位铝和键合铝含量高，金属杂质含量低，纯度高，骨架结构稳定，产品质量好，应用领域广泛。
一种高纯硅铝胶及其制备方法

[发明专利]一种高纯聚有机硅氧烷的制备方法-CN202111139900.0在审
发明人：何亚宗;柯明新 -专利权人：矽时代材料科技股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C08G77/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯聚有机硅氧烷的制备方法，涉及高分子材料提纯技术领域。本发明所述高纯聚有机硅氧烷的制备是基于以下刮膜装置：包括沿物料输送方向依次设置的胶体入口连接管、胶体分散器、真空管道、旋转筒和产品出口连接管，所述旋转筒包括筒体外壳和内转筒；步骤为：将聚有机硅氧烷从胶体入口连接管加入刮膜装置中，经胶体分散器分散并附着在内转筒外壁上，内转筒转速为1300～1800r/min，在180～198℃下抽真空，脱除聚有机硅氧烷中残留的低分子聚硅氧烷及杂质，冷却，得到所述高纯聚有机硅氧烷。本发明利用刮膜装置去除聚有机硅氧烷中的低分子材料，使得低分子材料的含量低于100ppm，提高了聚有机硅氧烷的纯度。
一种高纯有机硅制备方法

[发明专利]生产高纯有机硅的方法及装置-CN201310090684.4有效
发明人：徐志国;张黎明;杜丽萍;袁京;王万军;姜标 -专利权人：上海中科高等研究院;上海爱默金山药业有限公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明提供一种生产高纯有机硅的方法及装置。根据本发明的方法，先将待提纯的有机硅加热后进行第一次精馏，冷凝后获得初步提纯的有机硅；随后再将所述初步提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合，并预热后进行第二次精馏，冷凝过滤后获得高纯有机硅。实现本发明的方法的优选装置至少包括：包含加热器、第一冷凝器的第一精馏设备通过静态管道混合器及预热器连接包含第二冷凝器及过滤单元的第二精馏设备，其中，所述静态管道混合器用于将所述第一精馏设备输出的有机硅与金属络合剂混合，由此可以输出电子级高纯有机硅，尤其可以输出含量>99.99%,金属杂质总量<10ppb的环聚硅氧烷体系。
生产高纯有机硅方法装置

[发明专利]一种无黑边高效多晶硅锭的制备方法-CN201410623389.5有效
发明人：刘明权;王禄宝 -专利权人：江苏美科硅能源有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开一种无黑边高效多晶硅锭的制备方法，在多晶铸锭用增大石英坩埚内部侧表面，涂上高纯石英砂浆料，形成一层高纯涂层；再涂上高纯细砂浆料，形成一层细砂涂层并经高温快速烧结1h；在刷涂好两层高纯涂层的坩埚内四壁上，喷涂一层氮化硅浆料，形成高纯氮化硅涂层作为脱模剂；在喷涂后氮化硅涂层的坩埚底部先铺设一层细碎硅料作为籽晶层，并在籽晶层上方安放原生硅料；在熔化阶段时打开隔热笼高度在5-6cm，利用石英棒测试硅料剩余高度在5-6mm时快速降低温度，进入长晶阶段，并控制坩埚内部的温度梯度，使得坩埚内部形成由下到上的垂直温度梯度，使得熔融状态的硅料利用底部铺设的籽晶层诱导生长，制得无黑边高效多晶硅锭。
一种无黑边高效多晶制备方法

[实用新型]单晶硅生长用高纯石英热屏-CN202022126130.3有效
发明人：贾建亮;贾建恩;代祥斌 -专利权人：廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了单晶硅生长用高纯石英热屏，沿石墨外导流筒的顶部开口向外侧延伸设有操作环；在石墨外导流筒内部的底面开设有呈向下凹陷状的定位环槽，高纯石英热屏从石墨外导流筒的顶部开口放置入石墨外导流筒的内部且高纯石英热屏的底部嵌入定位环槽的内部；在高纯石英热屏的外壁和石墨外导流筒的内壁之间隔有填充腔，在填充腔的内部填充有石墨碳毡层；在石墨外导流筒和高纯石英热屏的顶部开口处铺盖固定有上压盖，在上压盖的四周设有封闭环。本实用新型保温性能更好且不会对单晶硅产生任何杂质污染；生产过程相对简单，造价较低，既可以节约成本又可提高单晶硅品质，特别适合于规模化推广使用。
单晶硅生长高纯石英

[发明专利]一种将工业硅粉用于制备锂离子电池负极材料的方法-CN201410139871.1无效
发明人：姜训勇;昂亚峰;任芯仪;窦振博 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：一种将工业硅粉用于制备锂离子电池负极材料的方法，步骤如下：1)将工业用硅合金磨碎制得工业硅粉；2)将工业硅粉与导电剂、粘结剂、分散剂和溶剂充分混合，工业硅粉与导电剂、粘结剂、分散剂的质量比为70-90：本发明的优点是：1）该方法所用工业用硅合金的价格远远低于高纯硅，价格低廉；2）工业用硅合金中的合金元素既可以改善导电性，又能缓解硅在脱嵌锂时的体积效应，避免了对纯硅进行掺杂的工序；3）减轻了我国对高纯硅需求压力，减轻硅提纯时产生的环境污染，既环保又节能。
一种工业用于制备锂离子电池负极材料方法

[发明专利]一种利用工业废料制备高纯纳米硅材料的方法-CN201910882588.0有效
发明人：张全生;闵凡奇;党国举;张绍乙;张绍凡 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：一种利用工业废料制备高纯纳米硅材料的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)以工业固废氯化钠为原料，制备氯气和氢氧化钠；2)将氢氧化钠在高温下熔融电解，制得钠；3)通过氯气与工业硅进行碳热还原反应，或对西门子法制备高纯硅工艺的四氯化硅尾气进行净化得到四氯化硅；4)将步骤2)中制得的钠与步骤3)中制得的四氯化硅混合，并在高温下反应，即制得纳米硅材料。与现有技术相比，本发明综合利用廉价的氯化钠工业废物和具有污染性的四氯化硅气体，使得废旧资源得到综合利用，有效改善了环境污染性，制备出高纯纳米硅和高纯钠，应用范围宽，工业化实现可行性强，实现了低附加值的材料变为超高附加值的材料
一种利用工业废料制备高纯纳米材料方法

[发明专利]从脱硅锆中提纯制取高纯四水硫酸锆的方法-CN201711386312.0在审
发明人：王光强;刘学燕;周有福;王育峰;韩雍雍 -专利权人：山东磊宝锆业科技股份有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C01G25/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种从脱硅锆中提纯制取高纯四水硫酸锆的方法，属于耐火材料制备技术领域。本发明所述的提纯制取高纯四水硫酸锆的方法，包括脱硅锆通过酸化反应使其中的氧化锆成分转化为硫酸盐，硫酸盐经过过滤、提纯和结晶得到高纯四水硫酸锆。所述的酸化反应是脱硅锆和硫酸在碳酸钠的催化作用下进行的焙烧反应。所述的制取方法科学合理，简单易行，节约了能源，避免了空气污染，提高了生产效率，脱硅锆提纯后，所得产品颜色白，四水硫酸锆中ZrO2质量含量高于33％，纯度高。
脱硅锆中提纯制取高纯硫酸方法

[发明专利]一种高洁净度铝硅中间合金及其生产方法-CN201410615578.8在审
发明人：翟玉春;王伟;顾慧敏;李承德 -专利权人：抚顺东工冶金材料技术有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高洁净度铝硅中间合金及其生产方法，涉及铝基中间合金技术领域。所述方法包括：中频感应炉将高纯铝熔化形成熔池，加入高纯硅，熔化完全后形成合金液，高纯铝与高纯硅的配比按照Al∶Si的质量比为（5～9）∶（1～5）确定；在精炼炉中，通过惰性气体或真空处理对合金液进行精炼以除气除渣，精炼完成后，直接浇注，得到高洁净度铝硅中间合金产品，其中，采用惰性气体的流量为10～30NL/min、压力为0.1～0.4MPa、精炼时间为10～20min；采用真空处理，真空度为50～100Pa，精炼时间为本发明的高洁净度铝硅中间合金产品按质量百分比计含10%～50%的硅，杂质Fe≤0.05%，杂质Cu≤0.05%，杂质Mn≤0.05%，杂质Zn≤0.05，其它单个杂质元素的含量均小于0.03%，其它杂质总含量
一种洁净度铝硅中间合金及其生产方法

[发明专利]硅烷法制多晶硅安全生产方法-CN201310373590.8无效
发明人：刘春江;全晓宇;黄哲庆;项文雨 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅烷法制多晶硅的安全生产方法，该工艺去除了传统工艺中的硅烷储罐装置，大大降低了该流程的危险性。本工艺流程主要特点是采用氯硅烷歧化法，制备高纯硅烷；而高纯硅烷不经过硅烷储罐，直接进入还原炉制备高纯多晶硅，采用旁路调节硅烷进料量，保证还原炉进料稳定；反应后的硅烷和氢气与四氯化硅利用反歧化技术重新生成三氯氢硅，在水冷下实现与氢气的分离，氢气和三氯氢硅重复利用。该工艺没有设置硅烷储罐，降低了整个流程的危险性，同时，利用反歧化法制成三氯氢硅之后再与氢气在水冷条件下分离，改变了传统工艺氢气与硅烷在液氮冷却下分离的高投资环节，降低了工艺的总投资。
硅烷法制多晶安全生产方法

[发明专利]针状高纯硅聚集体的制备方法及其设备-CN201110189525.0无效
发明人：陈评;罗建平;陈树钦 -专利权人：陈评;罗建平;陈树钦
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及一种针状高纯硅聚集体的制备方法及其设备，制备方法是将硅颗粒与铝加入到坩埚内并加热到共熔点以上，形成熔融态不饱和硅铝合金溶液；加入钛和钙，保温2～8小时，以去除合金溶液中的硼、磷杂质；断开炉桶上部的加热器，或者在坩埚上部插入冷却棒，使坩埚内部形成上低下高的温度梯度，控制炉桶下部加热器功率使炉膛温度以每小时1～10℃的速率降低，启动旋转托盘，带动坩埚及坩埚底部桨叶转动，驱动坩埚底部与上部的熔体对流，使针状高纯硅聚集体在坩埚上部形成本发明在单一区域内，制备出大块针状高纯硅聚集体，无须过滤即可从溶液中直接取出，节能环保、经济效益高。
针状高纯聚集体制备方法及其设备

[发明专利]一种电热冶金法制备低硼磷高纯硅的方法-CN201110142290.X有效
发明人：邢鹏飞;庄艳歆;任存治;涂赣峰 -专利权人：东北大学
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：一种电热冶金法制备低硼磷高纯硅的方法，属于冶金技术领域，按以下步骤进行：采用硼和磷的重量含量≤10ppm的二氧化硅基础原料和碳质还原剂；混合后加入粘结剂，制成粘结物料，压制成团块，置于矿热炉中进行电热冶炼，制备出低硼磷高纯硅。本发明通过控制原料中硼和磷杂质的含量，来控制硅产品中关键杂质硼磷的含量，利用电热冶金法制备出的低硼磷高纯硅，为下一步将其提纯为太阳能级多晶硅提供了高品质的原料，这就进一步降低了太阳能多晶硅的生产能耗和成本
一种电热冶金法制备低硼磷高纯方法

[发明专利]一种分离硅及铝硅合金的方法-CN201510318445.9有效
发明人：余文轴;郑忠;田茂洪;陈红生;高小强 -专利权人：重庆大学
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C22B9/05 文献下载
摘要：本发明公开一种分离硅及铝硅合金的方法，将过共晶铝硅合金加热至熔化，然后对熔体采用从上到下的吹氩气或氮气搅拌处理，同时对熔体进行向下定向凝固处理，使熔体下部粘度高，上部粘度低，逐渐析出的固相硅颗粒在气流搅拌力的作用下，从上部粘度低的区域运动至下部粘度高的区域，在熔体下部逐渐富集成硅团，得到高纯硅，而上部保留的液相铝硅熔体通过冷却成形，得到铝硅合金锭。本发明方法工艺流程短、能耗低、生产成本低廉；采用本发明方法获得的铝硅合金中硅的含量在11.8%～12.6%之间，铁的含量小于0.5%，余量为铝，铝硅合金成分符合国家牌号标准；获得的高纯硅纯度高于99.999%
一种分离合金方法

[发明专利]一种以高氧含量硅粉为原料制备高纯氮化硅粉体的方法-CN202011168312.5有效
发明人：贺刚;王良;杨增朝;李江涛 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明涉及一种以高氧含量硅粉为原料制备高纯氮化硅粉体的方法，原料配方包括硅粉、氮化硅粉稀释剂和氧含量调控剂，原料经过称重配料、研磨混匀、装料后，通过燃烧合成法或硅粉氮化工艺制备氮化硅粉体，所采用的硅粉原料的含氧量2％～10％，属于高含氧量硅粉，采用氧含量调控剂为卤化铵，所得到的产物氮化硅陶瓷粉体的氧含量控制在2％以下，与采用高纯硅粉的效果相同，大大降低了合成高品质氮化硅粉体的生产成本，具有重要的经济价值。
一种含量原料制备高纯氮化硅粉体方法