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- [发明专利]一种硅片的清洗工艺-CN202310860314.8在审
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陈秀华;李绍元;马文会;席风硕;吕国强;万小涵;魏奎先;伍继君
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云南大学
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2023-07-13
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2023-09-05
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B08B3/02
- 本发明公开的一种硅片的清洗工艺，喷淋时设置两个喷嘴，所述两个喷嘴同时对硅片两面进行喷淋清洗，每个喷嘴的水压为0.01～0.1Mpa，流量为0.5～1L/min,喷嘴与硅片间隔为5～10cm，去离子水温为20～40℃，喷淋时间为30～60s。所述喷淋包括如下步骤：步骤一，利用去离子水喷淋清洗硅片表面；步骤二，利用含有表面活性剂、螯合剂的清洗液配合超声对硅片表面进行清洗；步骤三，利用电化学清洗法对硅片表面进行清洗；步骤四，利用去离子水浸泡清洗硅片表面。本发明采用电化学法清洗硅片，电解液中大量的‑HO被氧化后能生成大量羟基自由基，这种氧化性极强的自由基很容易将有机物氧化分解为H2O和CO2，同时还可将W氧化为WO3,最终WO3与电解液中的NaOH反应生产溶于水的Na2WO4。
- 一种硅片清洗工艺
- [发明专利]一种低温高效制备Ti5-CN202310421917.8在审
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马文会;张亚坤;雷云;魏奎先;任永生
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昆明理工大学
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2023-04-19
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2023-09-05
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C22C1/02
- 本发明涉及一种低温高效制备Ti5Si3合金的方法，属于合金材料制备技术领域。本发明将Ti物料、Si物料和第三组元金属物料X(X:Al、Cu、Sn、Ga或Mn)混合均匀后置于真空条件下加热熔融，并熔炼1‑2h使易挥发性杂质充分挥发去除，形成均匀的Ti‑Si‑X合金熔体；在真空条件下，Ti‑Si‑X合金熔体经电磁感应定向凝固相分离和提纯得到Ti‑Si‑X合金锭，其中Ti‑Si‑X合金锭依次分离成Ti5Si3合金、X‑Ti‑Si合金和杂质富集相；将Ti‑Si‑X合金锭中的Ti5Si3合金、X‑Ti‑Si合金和杂质富集相沿着相界面切割后得到Ti5Si3合金和X‑Ti‑Si合金，杂质富集相去除。本发明可达到低温高效制备Ti5Si3合金的目的，产生的副产品Al‑Si‑Ti、Cu‑Si‑Ti、Sn‑Si‑Ti、Ga‑Si‑Ti或Mn‑Si‑Ti合金可以回收再利用，该技术具有清洁、高效、低成本等特点。
- 一种低温高效制备tibasesub
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