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[发明专利]一种利用硅切割废料制备高纯硅的方法-CN202011458320.3有效
发明人：雷云;李展超;马文会;羡培帅 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用硅切割废料制备高纯硅的方法，属于固废资源利用和材料制备技术领域。本发明将硅切割废料、造渣剂和无氟无氯渣混合，在惰性气氛中进行造渣精炼，经渣硅分离后得到块状硅和无氟无氯残渣；以共晶Al‑Si、Ca‑Si或Mg‑Si合金为精炼剂，将块状硅与精炼剂混合后熔化形成过共晶的Al‑Si、Ca‑Si或Mg‑Si熔体，经定向凝固、区域熔炼或晶体生长法对过共晶Al‑Si、Ca‑Si或Mg‑Si熔体中的硅进行分离和提纯得到超冶金级硅和含少量杂质的共晶Al‑Si、Ca‑Si或Mg‑Si合金；将超冶金级硅经真空定向凝固去除Al、Mg或Ca等杂质得到纯度99.999％的高纯硅。本发明通过回收处理硅切割废料制备高纯硅，同时产生的无氟无氯残渣和含少量杂质的共晶Al‑Si、Ca‑Si或Mg‑Si合金可以实现回收再利用。
一种利用切割废料制备高纯方法

[发明专利]一种低硼磷高纯硅的制备工艺-CN201811088653.4在审
发明人：章宇斌;杨少敏 -专利权人：南京合创工程设计有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种低硼磷高纯硅的制备工艺，涉及低硼磷高纯硅生产技术领域。包括以下步骤：制备原料、酸洗除金属杂质、氧化精炼除磷、改进型热交换法除硼、还原提纯。本发明采用酸洗的方式除去工业硅内的金属杂质，再通过氧化精炼和改进型热交换法除去工业硅内的磷和硼，使得磷和硼均被氧化形成易挥发物质，使得硅的纯度达到99.9％以上，除杂效果好，除杂效率高。
一种低硼磷高纯制备工艺

[发明专利]一种感应熔炼高硅废料制备高纯硅/硅合金的方法及一种感应熔炼炉-CN202210377682.2在审
发明人：邢鹏飞;魏冬卉;庄艳歆;孔剑;金星;尹华意;高波;冯忠宝 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及材料技术领域，尤其涉及一种感应熔炼高硅废料制备高纯硅/硅合金的方法及一种感应熔炼炉。本发明将高硅废料作为原料，和钙系添加剂混合均匀后置于设置有耐高温导磁体的感应熔炼炉内进行感应熔炼，使耐高温导磁体与混合料接触并保持感应熔炼炉的温度，通过耐高温导磁体加快混合料的熔化速率，混合料完全熔化后静置分层，将硅熔体/硅合金熔体浇注后冷凝得到高纯硅/硅合金。本发明提供的方法可实现高硅废料高效的回收利用，可以产生极大的经济效益，具有流程短、能耗低、简单易行等优点，易于实现工业化生产。本发明提供的感应熔炼炉可以用于高硅废料高效的回收。
一种感应熔炼废料制备高纯合金方法熔炼炉

[发明专利]顶部发光有机显示器的阳极结构及其制造工艺-CN200810233758.4有效
发明人：邓荣斌;季华夏 -专利权人：云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明的顶部发光有机显示器的阳极结构，是在硅衬底层上镀膜形成电极，其特征在于硅衬底层上镀的膜为四层膜，所述的四层膜从硅衬底层向上分别是高纯铬膜层、高纯铝膜层、高纯铬膜层和高纯钼膜层。采用除射频溅镀法外的PVD法，包括对硅衬底层进行预热处理、金属镀膜过程。新型的阳极结构具有高导电率、易镀、经济以及较低的光吸收系数和较高的反光系数使得这种新颖的阳极结构的OLED发光效率增加了30％，其性能比现有的阳极结构更优越。
顶部发光有机显示器阳极结构及其制造工艺

[发明专利]一种半硅耐火材料制品及其制备方法-CN200710054950.2无效
发明人：徐进清;李建设;申会超 -专利权人：徐进清
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：一种半硅耐火材料制品，其制备方法为：以高纯硅粉、叶腊石粉、焦宝石粉为主料，以优质粘土粉为辅料，加水混练、成型、干燥、烧结制成，各原料重量份数为：高纯硅粉20－30份、叶腊石粉25－40份、焦宝石粉25－本发明耐火制品常期使用温度高、常温耐压强度高、荷重变形开始温度高、耐火度高，适于7.63m焦炉、玻璃熔窑等使用。
一种耐火材料制品及其制备方法

[发明专利]高硅非晶用原料纯铁及其生产方法-CN201810192622.7在审
发明人：姬旦旦;胡黎宁;马富平;刘振民;戴永刚;郭键;叶凡新;田景广;郭明仪;李富伟;王秋坤;李智;阎丽珍;王玲霞;孔维涛 -专利权人：邢台钢铁有限责任公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硅非晶用原料纯铁及其生产方法，其成分及其质量百分含量为：C≤0.0050%，Si 0.6～1.0%，Mn≤0.06%，S≤0.006%，Al≤0.004%，Ti≤0.003%，O≤0.006%本原料纯铁高硅、低硫、低锰，具有高品质的特点，能满足生产非晶材料的应用。本方法利用现有装备依据脱硫、脱碳、脱氧、合金化等理论进行设计，采用脱硫→转炉→LF炉→RH炉→连铸的工艺路线，生产出高品质的高硅非晶用原料纯铁，具有成本低、产品品质高的特点。
纯铁高硅非晶高品质脱硫生产产品品质非晶材料工艺路线合金化脱氧低硫低锰连铸脱碳转炉应用

[发明专利]一种高纯氮化硅的回收方法-CN200910186468.3有效
发明人：胡动力;吕东;何亮 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明涉及光伏或半导体领域中的一种氮化硅的回收方法，特别是一种高纯氮化硅的回收方法，回收得到的高纯氮化硅可以再次应用于多晶硅生产用坩埚涂层的制备或其他领域；采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其特征在于：将氮化硅原料经过化学溶液处理后得到高纯氮化硅；氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅50％-99.98％，二氧化硅、硅、金属等杂质0.02％-50％；不仅实现了高纯氮化硅的回收
一种高纯氮化回收方法

[发明专利]一种生产高纯硅铁的石英球团及其制备方法-CN200910272746.7无效
发明人：邱艳奎;李甫安;邱金华 -专利权人：浠水县奎拓铸造材料有限公司
申请日： 2009-11-14 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C22B1/242 文献下载
摘要：一种生产高纯硅铁的石英球团及其制备方法，其特征在于由下述质量份的原料制备而成：高纯石英砂1.5-2、石油焦0.5-1、粘接剂适量；将上述高纯石英砂经粉磨、石油焦经粉碎后，与粘接剂混匀，制成￠50mm-￠55mm的球团状，球团经鼓风硬化，抗压强度大于1.5KN/个球即为合格品；本发明由于使用的原料有害杂质含量低、还原性能好，可直接生产含钛不大于0.01％特级高纯硅铁。
一种生产高纯石英及其制备方法

[发明专利]一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的方法及设备-CN201110125907.7无效
发明人：战丽姝;谭毅;姜大川;邹瑞洵;顾正 -专利权人：大连隆田科技有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域。一种浅熔池真空熔炼提纯多晶硅的方法，在真空度为0.001Pa以下的高真空条件下，先在熔炼坩埚中通过感应加热1430-1460℃熔化高纯多晶硅料，形成高纯硅熔液，并使其保持液态，然后升温使硅熔液温度达到1500-1600℃；高磷、高金属硅棒连续缓慢的加入硅熔液之中，杂质磷在浅层熔池中不断蒸发而得到去除，待高磷、高金属硅棒完全熔入熔池后，感应加热使熔炼坩埚中液态在1450-1500℃温度下保持一段时间，进行定向凝固，切去硅锭顶部金属杂质含量较高的多晶硅即可。本发明综合高温、高真空大面积浅熔池熔炼和定向凝固的技术，其提纯效果好，操作简单，节约能源，成本低，生产效率高，适合批量生产。
一种熔池真空熔炼提纯多晶方法设备

[发明专利]一种绿色环保的冶炼高纯硅方法-CN201910514942.4有效
发明人：吕军超;李汝利;郭琴 -专利权人：宝兴易达光伏刃料有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种绿色环保的冶炼高纯硅方法，通过使用本发明特定的造渣剂处理，在配合本发明特定的混合气体吹炼，可有效去除硅泥中的绝大多数杂质，得到纯度高达99.999％以上的高纯硅。
一种绿色环保冶炼高纯方法

[发明专利]一种高纯有机硅单体的制备方法-CN201510033653.4有效
发明人：房强;金凯凯 -专利权人：中国科学院上海有机化学研究所
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C07F7/21 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯有机硅单体的制备方法，具体地，本发明用工业有机硅单体通过多重精馏、膜过滤、多重亚沸蒸馏等步骤，制得电子级高纯有机硅单体。本发明方法工艺操作简单、安全性高、制得的有机硅单体纯度大于99.99％，单一金属离子杂质含量小于0.1ppb，大于等于0.5μm固体颗粒小于5个/ml，且产品质量稳定，能满足极大规模集成电路的制备需要。
一种高纯有机硅单体制备方法

[发明专利]矿热炉冶炼高纯硅铁的方法-CN94116570.1无效
发明人：崔新东;鞠远峰;谢作桢 -专利权人：湖北省京山县硅材料开发应用研究所
申请日： 1994-10-08 - 公布日： 1996-08-14 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：一种生产高纯硅铁的方法，以石英石、石油焦和硅钢屑或纯铁为原料。所述的石油焦粒度限定为0以上至3mm。其中小于1.5mm部分在30％以上，以此改善其反应性并防止石墨化。用此法可以稳定顺利地生产出高纯硅铁。
矿热炉冶炼高纯方法

[实用新型]一种提升硅料半熔效率的熔硅炉-CN201720214501.9有效
发明人：赵博成;刘晓辉;王国军 -专利权人：浙江晶鸿新能源科技有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提升硅料半熔效率的熔硅炉，包括气体输入管、外壳、石英坩埚和气体输出管，石英坩埚的外边侧设置有高纯石墨坩埚，高纯石墨坩埚的外边侧设置有保温层，高纯石墨坩埚的底部设置有导热块，导热块的底部设置有第一加热器本实用新型通过高纯石墨坩埚的外边侧设置有保温层，防止热量从侧面散失，确保石英坩埚内温度场的单方向散热性，在高纯石墨坩埚的底部设置有螺旋转杆，使石英坩埚内硅料受热均匀，多个加热器提高硅料的半熔效率，此装置结构简单
一种提升硅料半熔效率熔硅炉

[发明专利]一种以废弃物微硅粉为原料制备高纯硅的方法-CN202010049635.6在审
发明人：郭玉忠;黄永成;黄瑞安 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： C01B33/039 文献下载
摘要：本发明公开一种以废弃物微硅粉为原料制备高纯硅的方法，属于硅材料制备技术领域。本发明所述方法利用硅冶金工业烟尘废弃物微硅粉为原料，经酸蚀预处理后与镁粉进行球磨混料，自然干燥后得Mg@SiO2‑NPs包覆型反应物料；将处理后的样品置于密封石墨坩埚内，转移至保护性气体的管式炉中，保温一段时间后，经酸蚀、水洗，干燥后得多孔硅粉末。将多孔硅粉末分散在混合酸蚀液中，水浴加热后真空抽滤，反复洗涤至滤液为中性后，烘干得高纯多孔晶硅。本发明通过对微硅粉的简单预处理后，与镁粉球磨混料，经镁热反应实现了较高的还原程度，同时经两道酸蚀处理后，制备得了高纯多孔晶硅，工艺简单，成本低廉，实现了对微硅粉回收的高附加值利用。
一种废弃物微硅粉原料制备高纯方法

[发明专利]一种从失效催化剂中提取和富集稀贵金属的方法-CN201811268803.X有效
发明人：雷云;王超;邱鹏;马文会;燕阳;秦博;伍继君;李绍元;魏奎先 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：将待处理失效催化剂、还原剂和铁氧化物或铜氧化物先进行低温还原，低温还原后再加入硅物料和添加剂进行高温熔炼捕集稀贵金属；或者将待处理失效催化剂、硅物料、添加剂和铁氧化物或铜氧化物直接在高温熔炼捕集稀贵金属；最后经渣金分离得到硅基合金和废渣；将得到的硅基合金经富集和分离后得到稀贵金属富集物和高纯硅；或者将得到的硅基合金经凝固、研磨和湿法浸出后得到含稀贵金属的浸出液和高纯硅；将得到的高纯硅作为硅物料重新循环使用，或送往光伏或电子产品企业作为制备太阳能级硅或电子级硅的原材料。
一种失效催化剂提取富集贵金属方法