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- [发明专利]一种硅薄膜太阳能电池的制作方法-CN200810143065.6无效
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万青;易宗凤
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湖南大学
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2008-10-08
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2009-02-11
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H01L31/18
- 本发明公开了一种硅薄膜太阳能电池的制作方法，首先将纯度大于99.999％的P型高纯多晶硅粉碎至粒度为5－50微米的高纯多晶硅粉末，然后涂敷于结合有铝电极的衬底上，形成高纯p型硅微米颗粒膜；通过退火工艺使硅微米颗粒和金属导电底电极界面合金化，接着在所述的硅颗粒单层膜上沉积n型硅层，或者依次沉积本征硅层、n型硅层；最后沉积一层透明导电电极层。本发明采用高纯多晶硅源料破碎、涂覆这一独特技术可以在玻璃、塑料、金属薄片等衬底上实现高质量多晶硅薄膜的沉积，用于太阳能电池制作工艺方法简单、生产成本低、光电转换效率高，具有非常广泛的产业化价值。
- 一种薄膜太阳能电池制作方法
- [发明专利]一种精炼硅泥的装置及方法-CN202111572854.3有效
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刘立新;王中然
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湖南立新硅材料科技有限公司
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2021-12-21
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2023-06-02
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C01B33/037
- 本发明公开了一种精炼硅泥的装置及方法，属于太阳能级高纯硅冶炼制造技术领域。包括高纯石墨坩埚；炉盖，所述炉盖安装在所述高纯石墨坩埚上，形成一个封闭的容器，所述炉盖上开有气口；除尘装置，所述除尘装置与所述气口相连；耐火材料，所述耐火材料包裹在所述高纯石墨坩埚的外侧；感应加热线圈，所述感应加热线圈布置在所述耐火材料外侧；搅拌器，所述搅拌器伸入所述高纯石墨坩埚中；及惰性气源，所述惰性气源出气口伸入到所述高纯石墨坩埚中，用于将硅泥颗粒和渣剂吹入所述高纯石墨坩埚中。以解决相关技术中存在的硅泥容易氧化、回得率低，且最终产品纯度不够的问题。
- 一种精炼装置方法
- [发明专利]硅的冶金化学精制方法-CN201010550200.6无效
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赵钧永
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赵钧永
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2010-11-18
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2012-05-23
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C01B33/037
- 本发明涉及硅的精制和除杂方法，即从较低纯度的硅获得较高纯度、特别是低硼、低磷杂质含量的、满足半导体和电子元器件所需的纯度较高的硅原料的方法。现有的高纯硅制造方法，存在着能耗大、生成环境危害因子、成本高、工艺复杂、投资大等问题，本发明采用将硅材料和特定除杂剂制成的含硅熔体的方法，经精炼纯化，并使硅结晶分离，得到纯化的硅，经进一步除去除杂剂成分，获得可应用于半导体和电子元器件领域的高纯硅或硅晶体。适用于从各种纯度的硅或含硅材料制取高纯硅或硅晶体。
- 冶金化学精制方法
- [发明专利]硅的冶金化学提纯方法-CN201010550197.8无效
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赵钧永
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赵钧永
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2010-11-18
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2012-05-23
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C01B33/037
- 本发明涉及硅的提纯和除杂方法，即从较低纯度的硅获得较高纯度、满足半导体和电子元器件所需的纯度较高的硅材料的方法。现有的高纯硅制造方法，存在着能耗大、生成环境危害因子、成本高、工艺复杂、投资大等问题，本发明采用将硅材料和特定熔剂、特定除杂剂制成的含硅熔体的方法，经精炼纯化，并使硅从熔体中分离出来，得到纯化的硅，经进一步除去熔剂成分，获得可应用于半导体和电子元器件领域的高纯硅或硅晶体。适用于从各种纯度的硅或含硅材料制取高纯硅或硅晶体。
- 冶金化学提纯方法
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