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[实用新型]一种高纯硅铁的浇铸装置-CN202320216406.8有效
发明人：李甫安;邱阳;张笃坤;邱金华 -专利权人：阿坝州大秦科技有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B22D41/24 文献下载
摘要：本新型涉及一种高纯硅铁的浇铸装置，包括铁水包，所述铁水包的底部设置有滑动水口，所述滑动水口包括设有上面大下面小的锥形孔的上水口砖和设有通孔的下水口砖；所述上水口砖通过座砖固定在铁水包上，在上水口砖和下水口砖之间设置有可相对错位滑动的上滑板砖和下滑板砖此装置采用铁水包底安装滑动水口控制浇铸，既可避免铁、渣混浇，保证高纯硅铁铁水浇铸的洁净度，又可控制浇铸速度，降低高纯硅铁浇铸的成分偏析，还可降低高纯硅铁锭的含碳量与避免操作安全隐患。
一种高纯浇铸装置

[实用新型]一种高纯硅自动化粉碎机-CN202222513958.3有效
发明人：范艳华;陈龙 -专利权人：湖北麦格森特新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： B02C18/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及高纯硅技术领域，且公开了一种高纯硅自动化粉碎机，包括主体机构、粉碎机构和稳固机构，所述粉碎机构位于主体机构的内端，所述稳固机构位于主体机构的上端，所述主体机构包括桶体、固定块、下料管和底板该高纯硅自动化粉碎机，通过安装粉碎机构和稳固机构，使得机器在对原料进行粉碎的过程中，能够大大提高了高纯硅的提取效率，极大程度上保证了对于原料的破碎速度，极大程度上增强了粉碎机的破碎效果，更好的保障了机器的整体的粉碎效率
一种高纯自动化粉碎机

[实用新型]一种用于太阳能电池的高纯多晶硅提纯装置-CN201821901378.9有效
发明人：袁正勇 -专利权人：宁波职业技术学院
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体材料制备领域，具体涉及一种用于太阳能电池的高纯多晶硅提纯装置，包括：熔炼造渣装置、阶梯除磷装置、分步氧化装置和精炼凝固装置。本实用新型将硅液经造渣除杂后，进入阶梯除磷装置，当硅液从硅液流槽口流出时，用电子枪的高能电子束轰击从槽口流出的硅液，从而快速的除去硅液中的磷杂质。在分步氧化装置内用不同的精练气体分步作用，除去硅液中的杂质硼、碳、金属等杂质，再通过脱气精练、定向凝固后，切除硅锭的高杂质部分，得到高纯度的太阳能级多晶硅产品，实现高纯多晶硅的连续工业化生产。
硅液高纯多晶硅本实用新型太阳能电池除磷装置提纯装置氧化装置槽口精练流出连续工业化生产太阳能级多晶硅半导体材料高能电子束定向凝固凝固装置造渣装置电子枪高纯度高杂质磷杂质杂质硼熔炼除杂硅锭脱气造渣轰击制备精炼切除金属

[发明专利]一种生产高纯硅铁的降碳方法-CN200910203813.X无效
发明人：王启民;齐中勇;霍生福;霍东林;罗永帮 -专利权人：青海物通（集团）实业有限公司
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C21C7/068 文献下载
摘要：本发明属于高纯硅铁生产的技术领域，特别涉及一种生产高纯硅铁的降碳方法。的硅石炉料中配料加入0.9～1.1kg的白云石，白云石的粒度＜5mm，0.4～0.6kg的工业纯碱，1.8～2.2kg的铁精粉，铁精粉的粒度1～5mm，0.1～0.3kg的工业氯化钠，加入后在炉内底部形成高熔点的熔渣采用本发明的方法可有效解决高纯硅铁生产中的降碳问题，它具有方法简便易行，易掌握控制，生产成本低，产品质量稳定可靠等优点。
一种生产高纯方法

[发明专利]一种硅质耐火材料及其制备方法-CN201410411756.5在审
发明人：张磊 -专利权人：青岛炜烨锻压机械有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：一种硅质耐火材料及其制备方法，以高纯硅粉、叶腊石粉、熔融石英粉为主料，以优质粘土粉为辅料，加水混练、成型、干燥、烧结制成，各原料重量份数为：高纯硅粉30-50份、叶腊石粉20-40份、熔融石英粉15-35本发明耐火制品常期使用温度高、常温耐压强度高、荷重变形开始温度高、耐火度高，适于7.5m焦炉、玻璃熔窑等使用。
一种耐火材料及其制备方法

[发明专利]用于碳化硅陶瓷及其复合材料的高温钎料制备及钎焊工艺-CN201710674127.5有效
发明人：钟志宏;温群;李华鑫;王志泉;宋奎晶;朱志雄 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： B23K35/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碳化硅陶瓷及其复合材料的高温钎料制备方法及钎焊工艺，其中用于碳化硅陶瓷及其复合材料的高温钎焊钎料的原料及配比为：高纯钛20‑30wt％，高纯硅70‑80wt％，碳化硼或碳化硅添加质量为高纯钛和高纯硅总质量的
一种用于碳化硅陶瓷及其复合材料高温制备方法钎焊工艺

[实用新型]一种高纯镓分离装置-CN201320176527.0有效
发明人：赵科湘;金智宏 -专利权人：株洲科能光电材料科技发展有限责任公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高纯镓分离装置。本实用新型的目的在于提供一种高纯镓分离装置。本实用新型包括可控硅电炉、氯化氢发生烧瓶、氯化分离装置、控制器和热电偶，其特征在于：所述氯化分离装置内，设有坩埚，该坩埚通过连接管、洗瓶与氯化氢发生器连通，氯化分离装置还与水抽连通，可控硅电炉和热电偶均通过导线与控制器连接所述氯化分离装置是由高纯石英制作的夹层式装置。本实用新型主要用于分离高纯镓基体。
一种高纯分离装置

[发明专利]一种破碎制作高纯低氧硅粉的装置及其方法-CN202011097999.8有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;李岢 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B02C23/24 文献下载
摘要：本发明提供一种破碎制作高纯低氧硅粉的装置及其方法，所述装置包括加压组件、制氮组件以及破碎组件；所述制氮组件与所述加压组件通过管路相连；所述破碎组件与所述加压组件通过循环管路相连。所述方法制备得到的硅粉的氧含量极低，可满足低氧高纯WSi的使用。
一种破碎制作高纯低氧装置及其方法

[发明专利]一种用碳化硅切割晶体硅废砂浆制备高纯硅的方法-CN201810527628.5在审
发明人：王志;王东;杨正宏;孙毅;王昕晨;宋中学;辛玲;曹明强;冯勇涛;翟路鹏;王江龙 -专利权人：河南易成新能源股份有限公司;开封万盛新材料有限公司
申请日： 2018-05-26 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种用碳化硅切割晶体硅废砂浆制备高纯硅的方法，属于高纯硅制备技术领域。方法具体步骤如下：一、将碳化硅切割晶体硅废砂浆原料粉碎；二、化学处理提纯步骤；三、分选；四、采用板框脱水、双锥真空旋转干燥机干燥；五、采用压制成型机压制成块；六、采用中频炉、中频电弧炉和电磁感应炉中的一种或多种组合进行熔炼；七、采用破碎机进行粉碎；八、采用硫酸、盐酸、氢氟酸、硝酸的一种或多种组合纯化除去杂质；九、采用双锥真空旋转干燥机干燥，烘干后制成高纯硅产品。本发明对砂浆切割废料中的硅粉进行提纯回收并再用于太阳能级硅的行业链中去，将对资源再用、成本降低及环境保护具有重大意义。
高纯硅切割废砂浆晶体硅碳化硅真空旋转干燥机提纯双锥制备破碎机制备技术领域电磁感应炉太阳能级硅压制成型机化学处理压制成块原料粉碎重大意义电弧炉氢氟酸中频炉熔炼砂浆硝酸烘干板框分选硅粉硫酸脱水盐酸环境保护回收

[发明专利]一种纳米纯硅ZSM-5沸石的制备方法-CN201811234589.6在审
发明人：陈晓晖;罗玉莹;胡晖 -专利权人：福州大学
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明公开一种高结晶度纳米纯硅ZSM‑5沸石的制备方法。该方法将硅源以SiO₂计，按照硅源：模板剂：水摩尔比为1:0.05~0.5:2~12充分混合，在温度为20~70℃的条件下老化0.5~5小时，再按照矿化剂与硅源摩尔比为0.05~0.5加入矿化剂，继续搅拌0.2~2小时，最后将得到的半固态凝胶在110~170℃晶化24~96小时，并将晶化所得固体产物洗涤干燥后，于500~600℃下煅烧8~24小时，得到高结晶度纳米纯硅ZSM‑5沸石。该方法通过“一锅法”一步水热合成出高结晶度纳米级纯硅ZSM‑5沸石，步骤简单，合成时间短，合成过程使用无机硅源，无需使用碱性水解剂，模板剂和水用量少，成本低，环境污染小，有利于工业化应用。
纯硅高结晶度沸石硅源矿化剂模板剂摩尔比晶化制备一步水热合成半固态凝胶工业化应用碱性水解剂充分混合固体产物合成过程无机硅源洗涤干燥纳米级水用量一锅法煅烧合成老化

[发明专利]一种纳米晶硅-氧化亚硅-碳复合粉体的制备方法-CN201911166186.7有效
发明人：王翠霞;苏耳兵;王锴尧;陈东 -专利权人：宁波广新纳米材料有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯、粒度均匀可控、表面钝化的纳米晶硅‑氧化亚硅‑碳复合粉体的制备方法。具体来讲，本发明是以市售高纯硅粉、二氧化硅粉为原料（纯度：＞99.9%，粒度：50‑800目），在真空或者气氛保护下将硅粉和二氧化硅粉研磨至纳米尺寸（1‑100nm），然后将两种粉体以一定比例混合后再进行气氛保护下高温高能球磨，球磨过程中添加碳源对粉体进行表面钝化，即可得到一种高纯、粒度可控、表面钝化的纳米晶硅‑氧化亚硅‑碳的复合粉体。本发明工艺简单、成本低廉、可重复性好、而且所制备的硅基复合材料具有充放电次数多、膨胀率低等优异性能，可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。
一种纳米氧化复合制备方法

[发明专利]深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法-CN201910152688.8在审
发明人：李显坪;陈琦;唐宝发 -专利权人：扬州中天利新材料股份有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法，涉及高纯硅源/碳源得到的高纯硅和高纯碳高温合成法生产高纯碳化硅的工业化生产技术领域，特别是碳化硅半导体用高纯碳化硅的深度提纯方法。钒等与HCl气体生成低沸点的氯化物而蒸发出来，从而降低含杂碳化硅粉体中的硼、铝、铁、钛、钒等杂质元素的含量，以此实现了深度去除已过到一定高纯度的碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素的方法，从而提升高纯碳化硅粉体的质量
高纯碳化硅杂质元素碳化硅粉体粉体去除高纯硅工业化生产技术氯化物碳化硅半导体高温合成法碳化硅单晶低沸点高纯度高纯碳碳化硅提纯挥发良率蒸发生产

[实用新型]一种便于筛分的高纯硅铁生产用混合装置-CN202121328134.8有效
发明人：杨飞雄;杨帆;白泽坤;曾鹏;叶朋;白鹏 -专利权人：宁夏金圆化工有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B01F27/70 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于筛分的高纯硅铁生产用混合装置，包括混料箱，混料箱固定于支撑架上，混料箱顶部设置进料口，进料口处安装进料斗，混料箱内腔设置混料仓和出料仓，混料仓和出料仓之间安装筛分组件，混料仓内部安装搅拌组件，本实用新型结构设计新颖，操作方便，能够实现对高纯硅铁生产用原材料的快速均匀搅拌，同时能够对混料后的原材料进行均匀过筛，进一步提高了后续高纯硅铁的生产质量。
一种便于筛分高纯生产混合装置

[发明专利]高耐候耐污水性外墙涂料及制备方法-CN202211365373.X在审
发明人：曾令旺;朱洋洋;徐松林;江杰云;李超 -专利权人：东莞市万科建筑技术研究有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C09D4/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高耐候耐污水性外墙涂料及制备方法，所述涂料包含以下按照重量份计的组分：水性乳液35‑60份，钛白粉15‑30份，醋酸乙烯5‑10份，重质碳酸钙5‑15份，高岭土4‑10份，pH调节剂1‑5份，成膜助剂1‑5份，去离子水10‑20份；所述水性乳液由硅纯丙烯酸酯共聚乳液和纯丙烯酸乳液混合而成，且所述硅纯丙烯酸酯共聚乳液和纯丙烯酸乳液的重量份数比为2～8：1，其中所述硅纯丙烯酸酯共聚乳液具有以乙烯基硅氧烷为壳、丙烯酸类单体为核的互穿网络型核壳结构，且所述硅纯丙烯酸酯共聚乳液中有机硅的含量不小于8％。
高耐候耐污水外墙涂料制备方法

[发明专利]一种高纯纳米硅的制备方法及其应用-CN201410077664.8在审
发明人：汪的华;肖巍;魏迪;周寿斌;李超 -专利权人：江苏华富储能新技术股份有限公司;武汉大学
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C25B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯纳米硅的制备方法，以氯化钙或含有氯化钙的混合熔盐作为电解液，以二氧化硅或石英置于金属集流体内作为阴极，以石墨或惰性电极作为阳极，在一定电解温度及惰性气体保护下，采用参比电极控制电解电位，进行恒电位电解，即可得到所需产物高纯纳米硅。本发明还公开了上述高纯纳米硅的应用。本制备方法电解效率高，其电解效率大于70%，但能耗远远低于工业上炭热法制硅的能耗；另外，工业上的炭热法制备单质硅产生了大量的碳氧化物排放，并消耗了大量木炭，本发明方法无需使用木炭为还原剂，并采用惰性阳极，阳极放出的为氧气，从而实现了零排放；最后本发明的方法得到的产物纯度高。
一种高纯纳米制备方法及其应用