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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种基于光伏废硅的硅碳负极材料及其制备方法-CN201910775618.8有效
发明人：刘艳侠;范亚蒙;刘凡;王璞;张锁江;阮晶晶 -专利权人：郑州中科新兴产业技术研究院;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于光伏废硅的硅碳负极材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：（1）将收集的废硅料粉碎、干燥得到废硅粉；（2）将废硅粉置于惰性气氛中进行高温除杂，经过酸洗纯化和干燥后得到高纯硅粉；（3）将高纯硅粉加入到分散介质中，经高速球磨获得纳米硅溶液；（4）将该纳米硅溶液收集并调整固含，按照一定比例加入有机碳源、导电剂和分散剂后砂磨混合均匀；（5）将混合溶液喷雾干燥并煅烧，最后获得硅碳负极材料。该方法所制备的硅碳负极材料首效高、循环稳定性好，制备方法具有成本优势、操作简单、适合产业化生产。
一种基于光伏废硅负极材料及其制备方法

[发明专利]高纯粒状硅及其制造方法-CN200910261505.2有效
发明人： J·伊布拉希姆;M·G·艾维;T·D·特鲁昂 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及高纯粒状硅及其制造方法，公开了高纯半导体级粒状硅合成物及其制造方法。通过在第一化学气相沉积(CVD)反应器中在硅晶种上沉积硅，由此使晶种生长成较大的二级晶种，可以制造商业量的粒状硅。在第二CVD反应器中在二级晶种上沉积另外的硅。在第三反应器中减少粉尘。本文所公开的方法可实现比传统实践更高的生产量和更好的收率。
高纯粒状及其制造方法

[实用新型]一种多晶铸锭用高效坩埚-CN201320032628.0有效
发明人：颜颉颃;习海平;罗建明;高源;石宗杰;张欣 -专利权人：晶海洋半导体材料（东海）有限公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶铸锭用高效坩埚，包括常规的石英坩埚，所述石英坩埚的底部均匀镶嵌有高纯颗粒。与现有的石英坩埚相比，本实用新型具有以下技术效果：（1）本实用新型将高纯颗粒均匀分布在石英坩埚底部，使石英坩埚底部形成规律分布的凹凸起伏，在多晶铸锭过程中，高纯颗粒形成的凹凸起伏能够引导晶体形核，使其形成均匀（2）石英坩埚底部镶嵌高纯颗粒后，高纯颗粒牢牢固定在石英坩埚上，使用后颗粒不脱落，利于铸锭后坩埚的脱模，避免了高纯颗粒进入到硅锭中导致底部硅料报废。（3）高纯颗粒在石英坩埚底部呈矩阵型均匀排列，有利于形成分布均匀、大小适中的晶核，利于后期晶体生长质量的提高。
一种多晶铸锭高效坩埚

[实用新型]一种单晶炉用惰性气体的供给系统-CN202320858793.5有效
发明人：朱刚;何彦甫;葛亮 -专利权人：浙江天孚绿能科技有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉用惰性气体的供给系统，包括单晶炉、第一供气管线、第一缓冲罐、第二缓冲罐、第二供气管线、高纯氩气供气管和高纯氮气供气管；所述第一缓冲罐的进气口与高纯氩气供气管相连通，所述第一缓冲罐的出气口通过第一供气管线与单晶炉主室和单晶炉副室相连通；第二缓冲罐通过氩气连通管与高纯氩气供气管相连通，且所述第二缓冲罐还设置有高纯氮气供气管，所述第二缓冲罐的出气口通过第二供气管线与单晶炉副室相连通。本实用新型的优点：利用使用单晶硅工厂副产的氮气和氮氩混合气来代替高纯氩气供单晶炉副室充常压和置换，从而降低了高纯氩气的消耗，最终降低单晶硅生产成本。
一种单晶炉用惰性气体供给系统

[发明专利]钨硅靶材的制造方法-CN201210374813.8有效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;宋佳 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了钨硅靶材的制造方法。所述钨硅靶材的制造方法包括：提供高纯钨粉和高纯硅粉；采用湿混工艺将所述钨粉和所述硅粉进行混合，形成混合粉末；采用冷压工艺将所述混合粉末制成钨硅靶材坯料；采用真空热压工艺将所述钨硅靶材坯料制成钨硅靶材。采用本发明的制备方法能够获得了致密度大于或者等于99%的钨硅靶材，并且所获得的钨硅靶材微观结构均匀，具有优异的溅射使用性能。
钨硅靶材制造方法

[发明专利]高纯硅铁生产方法-CN201110390201.3无效
发明人：宣俭;刘成平;何士刚;孙万堂;刘风先;李满素 -专利权人：宁夏天净冶金有限公司
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：一种高纯硅铁生产方法，包括以下步骤：对原料硅石进行水洗及精选获得精选炉料；将精选炉料、还原剂、硅钢片按照预设配比关系混合获得混合原料；利用矿热炉冶炼混合原料；在出炉过程中使用铁水包底吹气方法，并在出铁过程中向铁水包中加入精炼渣料进行精炼以获得高纯硅铁该生产方法在原料配料前对硅石进行水洗，在出炉过程中使用铁水包底吹气方法，并在出铁过程中向铁水包中加入精炼渣料，以最大限度降低硅铁中的杂质含量，得到纯度高的硅铁。
高纯生产方法

[发明专利]制备高纯硅的方法-CN201180013133.7有效
发明人： J·哈恩;U·克拉特;C·施米德 -专利权人：施米德硅晶片科技有限责任公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备硅，特别是高纯硅的方法，其中(1)提供含硅粉末，特别是在金属丝锯切硅块时产生的粉末，(2)将含硅粉末供入气流中，其中该气体具有足够高的温度，以使硅粉末从固态转变成液态和/或气态，(3)任选冷凝硅蒸汽并收集液态硅，和(4)优选在铸模中冷却收集的液态硅。
制备高纯方法

[发明专利]生产高纯硅的方法-CN201080011131.X有效
发明人： K·泽艾特 -专利权人：埃尔凯姆太阳能公司
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产高纯硅的方法，所述方法包括提供含有1-10％重量钙的熔融硅、浇铸所述熔融硅、破碎所述硅、将破碎的硅在HCl和/或HCl+FeCl3的水溶液中进行第一溶浸步骤，以及在HF和HNO3的水溶液中进行第二溶浸步骤此后，在1250℃-1420℃的温度对溶浸的硅颗粒进行热处理至少20分钟的时间，并在HF和HNO3水溶液中对热处理的硅进行第三溶浸步骤。
生产高纯方法

[发明专利]高纯硅的制备方法-CN200680007450.7无效
发明人：伊藤信明;近藤次郎;冈泽健介;冈岛正树 -专利权人：新日铁高新材料
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明的目的是提供用于太阳能电池中的大量低廉且高纯度的硅的制备方法。所述方法包括如下步骤：制备熔融硅；制备矿渣；将熔融硅与矿渣彼此接触；和至少将矿渣暴露于真空压力。
高纯制备方法

[发明专利]高纯硅的制备方法-CN200680007442.2无效
发明人：伊藤信明 -专利权人：新日铁高新材料
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种用于太阳能电池的大量低廉且高纯度的硅的制备方法。本发明公开了一种通过转移硅中的杂质至矿渣中而制备高纯硅的方法，其包括如下步骤：进行第一硅的第一矿渣提纯；在完成所述第一矿渣提纯后，从第一硅分离矿渣；在第二硅的第二提纯中，将所分离的矿渣供至第二熔融硅，其中所述第二硅在提纯前的纯度低于所述第一硅在提纯后的纯度
高纯制备方法

[发明专利]高纯硅的制备方法-CN200680007451.1无效
发明人：伊藤信明;近藤次郎;冈泽健介;冈岛正树 -专利权人：新日铁高新材料
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明的一个目的是提供制备大量价格低廉的用于太阳能电池的高纯硅的方法。公开了一种通过将熔融硅中的杂质转移到矿渣中来制备高纯硅的方法，其包括将矿渣和氧化剂一起加到熔融硅上的步骤，其中所述氧化剂是包含下面材料中的至少一种作为主要组分的材料：碱金属碳酸盐、碱金属碳酸盐的水合物、
高纯制备方法

[发明专利]一种纯硅BEA沸石的应用-CN202010632861.7在审
发明人：龙英才;濮鹏翔;林德昌 -专利权人：复榆（张家港）新材料科技有限公司
申请日： 2020-07-04 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： B01D53/02 文献下载
摘要：本发明提供一种纯硅BEA沸石的应用，包括：基于以活性白土为硅铝源、NaOH为碱源对制得的纯硅沸石置于PTC‑10A型TG/DTG/DTA热重分析仪的样品存器中，通过热分析曲线进行分析得出结论，(1)广谱吸附选择性；(2)高吸附量；(3)高吸附体积，(4)悬殊的晶胞吸附分子数；(5)相对低的脱附温度；(6)低脱附热；基于上述结论得出本发明活性白土转晶制成纯硅沸石适用于制成去除潮湿空气或废气中有机VOC污染的吸附剂或吸附转轮
一种 bea 应用

[发明专利]用于钢液脱氧的高纯硅镁铁合金及其制备方法-CN200310110200.4无效
发明人：田作敏;周社伟;赵东伟;田光通 -专利权人：洛阳忠诚电力集团有限公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： C21C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于钢液脱氧的高纯硅镁铁合金，其化学成分为(按重量百分比)：Si80％－90％、Mg5％－15％、余量铁。其制备方法是将原料按重量比硅石150kg－180kg、焦炭60kg－90kg(C≥80％)、钢屑2kg－8kg投入矿热炉中110－120分钟冶炼生产高纯硅铁，加工成块状硅铁或将冶炼后的熔液加入工频炉，并加入镁锭10－40kg进行重熔冶炼，生产出高纯硅镁铁合金。
用于脱氧高纯铁合金及其制备方法

[发明专利]一种利用硅废料和锰矿制备Si-Mn合金的方法-CN202011530454.1在审
发明人：雷云;何勇;马文会;郇朝阳;赵泽华;雷敏鹏 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用硅废料和锰矿制备Si‑Mn合金的方法，属于固废资源利用和材料制备技术领域。本发明将硅废料、锰矿和造渣剂混合，进行高温熔炼，经渣金分离后得到Si‑Mn合金和废渣；在真空或惰性气氛下，将Si‑Mn合金经定向凝固或区域熔炼进行分离和提纯得到高纯硅和共晶硅锰合金，或者硅锰金属间化合物和共晶硅锰合金本发明可以回收利用工业生产中的硅废料，处理低品位锰矿，制备硅锰合金和高纯硅，或者硅锰金属间化合物和共晶硅锰合金材料。
一种利用废料锰矿制备 si mn 合金方法

[发明专利]一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法-CN202011366680.0有效
发明人：张庆猛;陈均优;周敏;杨志民;杨剑 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40％‑60％之间的硼粉，选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成，具体包括以下步骤：(1)将硅粉和硼粉按比例称重；(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀；(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中，并将坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃，本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相，且除Si和B外其他杂质含量小于1％。
一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法

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