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[发明专利]功率半导体封装体及其应用-CN201710122190.8有效
发明人： J·科西察;H·吉特尔;H·许贝尔;M·伦茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种功率半导体封装体包括参考电压端子、电源电压端子、相端子、第一功率晶体管和第二功率晶体管。所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管串联连接，并且形成半桥电路的低压侧开关和高压侧开关。
功率半导体封装及其应用

[发明专利]互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构-CN201010235500.5有效
发明人：高明辉;彭树根;肖军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：布置在底部绝缘体上的第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管和第二导电类型的第二金属氧化物半导体场效应晶体管；其中，第一金属氧化物半导体场效应晶体管与第二金属氧化物半导体场效应晶体管共用栅极区域，并且围绕所述栅极区域依次布置有第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区域、第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区域、第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区域、以及第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区域本发明所提供的互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构减小了器件结构，并改进了器件性能。
互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构

[发明专利]偏置电路及含它的跨导电容滤波器电路和半导体集成电路-CN201010105061.6无效
发明人：岸川祯介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明涉及偏置电路，包括：形成第一电流源的第一正沟道金属氧化物半导体晶体管；构成第一正沟道金属氧化物半导体晶体管的电流镜电路且形成第二电流源的第二正沟道金属氧化物半导体晶体管；第一负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从第一电流源向该第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；与第一负沟道金属氧化物半导体晶体管一起构成电流镜电路的第二负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从第二电流源向该第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；以及连接在第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间的电阻器；其中用于gm调节的阻抗部件连接在第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间。
偏置电路导电滤波器半导体集成电路

[发明专利]具有拥有梯度轮廓的存储栅极植入物的图像传感器像素-CN201410831765.X有效
发明人：杨大江;陈刚;傅振宏;毛杜利;艾瑞克·A·G·韦伯斯特;胡信中;戴森·H·戴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素单元包含安置于半导体衬底中的存储晶体管。所述存储晶体管包含：存储栅极，其安置于所述半导体衬底上方；及存储栅极植入物，其经退火且在所述半导体衬底中于所述存储晶体管栅极下方具有梯度轮廓。转移晶体管安置于所述半导体衬底中且耦合于光电二极管与所述存储晶体管的输入之间。所述转移晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的转移栅极。输出晶体管耦合到所述存储晶体管的输出。所述输出晶体管包含安置于所述半导体衬底上方的输出栅极。
衬底存储晶体管半导体存储栅极植入物安置图像传感器像素输出晶体管转移晶体管退火光电二极管输出栅极像素单元转移栅极耦合申请案耦合到输出

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510110254.3有效
发明人：许家福 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底，一金属氧化物半导体晶体管设于基底上，以及一氧化物半导体晶体管邻近该金属氧化物半导体晶体管。其中金属氧化物半导体晶体管包含一第一栅极结构以及一源极/漏极区域设于第一栅极结构两侧，氧化物半导体晶体管则包含一通道层，且该通道层的上表面低于金属氧化物半导体晶体管的第一栅极结构的上表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法-CN200710109542.2无效
发明人：河内玄士朗 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2007-06-25 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜半导体器件、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法。横向双极晶体管(100)包括在形成在绝缘基片(101)上的半导体薄膜(105)中形成的发射极(102)、基极(103)和集电极(104)，在该横向双极晶体管(100)中，半导体薄膜(105)是在预定方向上晶化的半导体薄膜而且，MOS-双极混合晶体管(200)在形成在绝缘基片上的半导体薄膜中形成，在该MOS-双极混合晶体管(200)中，半导体薄膜(205)是在预定方向上晶化的半导体薄膜。
薄膜半导体器件薄膜晶体管以及制造方法

[发明专利]像素结构-CN201811317023.X有效
发明人：李珉泽;郑圣谚;锺岳宏;徐雅玲;廖烝贤 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：一种像素结构，包括扫描线、数据线、参考电压线、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一像素电极以及第二像素电极。参考电压线与数据线隔开且与扫描线交错设置。第二晶体管的第一电极、第二晶体管的第二电极以及第三晶体管的第一电极具有多个直线部，重叠于第二晶体管的第二半导体图案及第三晶体管的第三半导体图案。每一直线部的两端位于第一晶体管的第一半导体图案、第二晶体管的第二半导体图案及第三晶体管的第三半导体图案的垂直投影区域以外。
像素结构

[发明专利]半导体元件-CN201710196968.X有效
发明人：温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，包括基底、金属氧化物半导体场效晶体管以及多个并联的接面场效晶体管，金属氧化物半导体场效晶体管配置于基底上，金属氧化物半导体场效晶体管包括源极区、漏极区以及配置在源极区与漏极区之间的栅极结构，接面场效晶体管与金属氧化物半导体场效晶体管串联，各接面场效晶体管于源极区与漏极区之间横向延伸。
半导体元件

[发明专利]半导体元件-CN201710205482.8有效
发明人：温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，包括具有第一导电型的基底、金属氧化物半导体场效应晶体管、结型场效应晶体管、隔离结构以及具有第二导电型的埋入层。金属氧化物半导体场效应晶体管位于基底上。结型场效应晶体管位于基底上。隔离结构位于金属氧化物半导体场效应晶体管与结型场效应晶体管之间。埋入层位于金属氧化物半导体场效应晶体管与基底之间。埋入层自金属氧化物半导体场效应晶体管的下方延伸至隔离结构的下方以及结型场效应晶体管的下方。
半导体元件

[发明专利]晶体管及其制作方法、晶体管器件、显示基板及装置-CN201910655573.0有效
发明人：闫雷;谢建云;方业周;樊君;李峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体管及其制作方法、晶体管器件、显示基板及装置，属于半导体技术领域。晶体管设置于衬底上，晶体管中的有源层包括：层叠的多个半导体图案，晶体管包括：有源层，有源层包括：层叠的多个半导体图案，多个半导体图案电连接，且任意两个半导体图案在衬底的正投影不同。本申请解决了生产晶体管的工艺难度较高的问题。
晶体管及其制作方法器件显示装置

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201810986580.4在审
发明人：刘埃森;蔡滨祥;林进富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括绝缘体上有半导体基底、高电子迁移率晶体管元件以及金属氧化物半导体场效晶体管元件。绝缘体上有半导体基底，包括：第一半导体层、第二半导体层以及绝缘层。第二半导体层位于第一半导体层上。绝缘层位于第一半导体层与第二半导体层之间。高电子迁移率晶体管元件位于第一半导体层上。金属氧化物半导体场效晶体管元件位于第二半导体层上且与高电子迁移率晶体管元件电连接。高电子迁移率晶体管元件的顶面与第二半导体层的顶面共平面。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置、电子设备、晶体管的形成方法-CN202180086867.1在审
发明人：黄凯亮;景蔚亮;冯君校;王正波 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体装置、电子设备、晶体管的形成方法和存储器的形成方法。涉及存储器技术领域，可以提高存储单元的集成密度。该半导体装置包括衬底和形成在衬底上的第一晶体管和第二晶体管，第二晶体管与第一晶体管电连接，第一晶体管和第二晶体管沿与衬底相垂直的第一方向排布，第一晶体管和第二晶体管均包括栅极、半导体层、第一极和第二极；第一晶体管和第二晶体管中的任一晶体管中，栅极和半导体层沿与衬底相平行的第二方向排布，第一极和第二极沿第一方向设置在半导体层的两侧，并分别与半导体层电连接。
半导体装置电子设备晶体管形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211738799.5在审
发明人：李永亮;贾晓锋;赵飞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于简化CFET器件中位于下方的环栅晶体管包括的源区和漏区的制造过程，进而降低CFET器件的集成难度。所述半导体器件包括：第一半导体基底、无结型环栅晶体管和增强型结型环栅晶体管。上述无结型环栅晶体管形成在第一半导体基底上。增强型结型环栅晶体管形成在无结型环栅晶体管的上方、且与无结型环栅晶体管间隔设置。增强型结型环栅晶体管与无结型环栅晶体管的导电类型相反。所述半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201410621830.6在审
发明人： F.希尔勒 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。提供一种包含复合半导体主体的半导体器件，所述复合半导体主体包含高电压耗尽模式晶体管和低电压增强模式晶体管。高电压耗尽模式晶体管被堆叠在低电压增强模式晶体管上使得在高电压耗尽模式晶体管和低电压增强模式晶体管之间形成界面。低电压增强模式晶体管包含与高电压耗尽模式晶体管的电流路径串联耦合的电流路径，以及布置在界面处的控制电极。
半导体器件

[发明专利]存储单元及存储装置-CN202080058886.9在审
发明人：长塚修平;大贯达也;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：在包括读出用晶体管、写入用晶体管及电容器的存储单元中，在读出用晶体管的上方设置写入用晶体管。另外，也可以在写入用晶体管的上方设置读出用晶体管。另外，作为写入用晶体管的形成沟道的半导体层使用氧化物半导体。作为读出用晶体管的形成沟道的半导体层使用氧化物半导体。将多个存储单元配置为矩阵状。
存储单元装置