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[发明专利]利用具有111晶体取向的块体半导体基板的装置集成方案-CN202111085565.0在审
发明人： M·莱维;黄正铉;西瓦·P·阿度苏米利 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及利用具有111晶体取向的块体半导体基板的装置集成方案，揭示了集成在块体半导体基板上的包括诸如晶体管之类的装置的结构和形成包括集成在块体半导体基板上的诸如晶体管之类的装置的结构的方法。块体半导体基板含有具有金刚石晶格结构和111晶体取向的单晶半导体材料。第一晶体管形成在块体半导体基板的第一装置区中，以及第二晶体管形成在块体半导体基板的第二装置区中。第二晶体管包括在块体半导体基板上的层堆叠，以及层堆叠包括由III‑V化合物半导体材料组成的层。
利用具有 111 晶体取向块体半导体装置集成方案

[发明专利]高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构的制作方法-CN201010022706.X无效
发明人：刘龙平;令海阳;陈爱军;叶滋婧;王颢;黄庆丰;杨华岳 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提出一种高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构的制作方法。该方法包括以下步骤：在基底层内形成浅沟槽隔离区；向基底层内两个区域注入磷离子；再次向基底层内这些区域注入磷离子以形成两个N型漂移区，两个N型漂移区分别作为高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构的源极和漏极；向基底层内注入P型离子以形成P型漂移区环绕这两个N型漂移区；在基底层上依次形成氧化层和多晶硅层，氧化层和多晶硅层位于这两个N型漂移区之间，作为高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构的栅极。该方法有效地减轻了高压LDNMOS结构中的HCI效应，增加了晶体管的寿命。
高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构制作方法

[发明专利]高压晶体管元件及其制作方法-CN202110086666.3在审
发明人：黄圣尧;陈昱瑞;蔡仁杰;林毓翔 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种高压晶体管元件及其制作方法，其中该高压晶体管元件包括:半导体基材、隔离结构、栅介电层、栅极、源极区以及漏极区。半导体基材具有多条凹沟，由基材表面向下延伸，而形成一个锯齿状剖面轮廓。隔离结构位于多条凹沟的外侧，并由表面向下延伸进入半导体基材之中，用于定义出一个高压区。栅介电层位于高压区上方，且部分地填充于多条凹沟之中。栅极位于栅介电层上方。源极区和漏极区分别位于半导体基材之中，且彼此隔离。
高压晶体管元件及其制作方法

[发明专利]集成电路和形成集成电路的方法-CN202310185373.X在审
发明人：林孟佑;王薏涵;郑存甫;王振印;廖翊博;廖思雅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种集成电路包括互补场效应晶体管(CFET)。CFET包括第一晶体管，该第一晶体管具有对应于第一晶体管的沟道区域的第一半导体纳米结构和围绕第一半导体纳米结构的第一栅极金属。CFET包括第二晶体管，该第二晶体管包括位于第一半导体纳米结构之上的第二半导体纳米结构和围绕第二半导体纳米结构的第二栅极金属。CFET包括位于第一半导体纳米结构和第二半导体纳米结构之间的隔离结构。
集成电路形成方法

[发明专利]反熔丝-CN201380036999.9有效
发明人： F·霍夫曼 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构(1000A)，该半导体结构(1000A)包括：第一半导体层(1140)；实现第一反熔丝单元(1000A)的第一编程晶体管(5200)和第一选择晶体管(1300)，其中，所述第一半导体层作为所述第一编程晶体管的主体(1301)和所述第一选择晶体管的主体(1301)；其中，所述第一编程晶体管的栅极(5210)和所述第一选择晶体管的栅极(1160，1161)在所述第一半导体层的不同面上。
编程晶体管选择晶体管半导体层半导体结构反熔丝单元反熔丝

[发明专利]具有场电极的功率晶体管-CN201510830240.9在审
发明人： M.巴特尔斯;R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及具有场电极的功率晶体管。公开的是半导体器件和用于产生半导体器件的方法。半导体器件包含至少两个晶体管单元。这些至少两个晶体管单元中的每个包含：半导体本体的半导体鳍中的漏极区、漂移区以及本体区；邻接本体区的源极区；邻近本体区并且通过栅极电介质与本体区电介质绝缘的栅极电极；以及通过场电极电介质与漂移区电介质绝缘并且被连接到源极区的场电极场电极电介质被布置在半导体鳍与场电极之间的第一沟槽中。所述至少两个晶体管单元包含第一晶体管单元以及第二晶体管单元。第一晶体管单元的半导体鳍通过不同于第一沟槽的第二沟槽与第二晶体管单元的半导体鳍分离。
具有电极功率晶体管

[发明专利]温度测定装置以及温度测定方法-CN201780090565.5有效
发明人：滨野宽之;宫崎敬史 -专利权人：株式会社索思未来
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：一种温度测定装置，具有：第一半导体元件以及第二半导体元件，它们具有PN结；晶体管组，具有源极与电源连接且各自的栅极彼此连接而构成电流源的多个晶体管，对上述第一半导体元件以及第二半导体元件输出第一电流和与上述第一电流不同的大小的第二电流；以及选择器，从上述多个晶体管选择至少一个第一晶体管和与上述第一晶体管不同的多个第二晶体管，将上述第一晶体管的漏极与上述第一半导体元件以及第二半导体元件中的一个连接，并将上述多个第二晶体管的漏极与上述第一半导体元件以及第二半导体元件中的另一个连接
温度测定装置以及方法

[实用新型]光传感器装置以及显示装置-CN201920347688.9有效
发明人：津吹将志;纲岛贵德;盐川真里奈 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本实用新型提供一种能够进行稳定的动作的、使用氧化物半导体晶体管的光传感器装置。该光传感器装置具有受光晶体管和开关晶体管。所述受光晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有3端子的氧化物半导体元件。所述开关晶体管是使用氧化物半导体层作为沟道层的具有4端子的氧化物半导体元件。
光传感器装置氧化物半导体层氧化物半导体开关晶体管沟道层晶体管受光氧化物半导体晶体管本实用新型显示装置

[发明专利]双向穿通半导体器件及其制造方法-CN201510170448.2有效
发明人：姚飞;王世军;秦波 -专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：公开了一种双向穿通半导体器件及其制造方法。该双向穿通半导体器件包括彼此并联连接的第一晶体管和第二晶体管；其中，第一晶体管包括位于半导体衬底中的半导体掩埋层、以及外延半导体层的位于半导体掩埋层上的第一外延区域，半导体掩埋层作为第一晶体管的基区，以及第二晶体管包括外延半导体层的位于半导体衬底上的第二外延区域、以及位于第二外延区域中的第一掺杂区，第一掺杂区作为第二晶体管的基区，其中，外延半导体层的第一外延区域和第二外延区域为不同的导电类型。该双向穿通半导体器件可以实现大致对称的正反向特性，采用一个器件就可以实现低工作电压下的双向保护。
双向半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及液晶面板-CN201610452464.5有效
发明人：梁博;王选芸 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及液晶面板。该薄膜晶体管阵列基板包括：基板，以及形成于基板上的硅薄膜晶体管、半导体氧化物晶体管和电容。其中，硅薄膜晶体管和半导体氧化物晶体管具有相同的顶栅结构，从而可以兼容硅薄膜晶体管和半导体氧化物晶体管制程，减少光刻胶掩膜板的使用次数，进而减少薄膜晶体管阵列基板的生产成本。另外，电容和硅薄膜晶体管或半导体氧化物晶体管重叠设置，从而可以大大增加底发射的OLED的开口率。
一种薄膜晶体管阵列液晶面板

[实用新型]一种低输入电阻功率半导体晶体管-CN201921784162.3有效
发明人：刘道国 -专利权人：深圳市尚鼎芯科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低输入电阻功率半导体晶体管，包括半导体晶体管上管S1和半导体晶体管下管S2，所述半导体晶体管上管S1包括门极G、发射极E、N发射极和P+基极本低输入电阻功率半导体晶体管，寄生米勒电容CCG导通时，通过减小关断电阻RGOFF的阻值，可以有效抑制寄生米勒电容CCG的导通，使半导体晶体管的开关速度提高，大大降低整个半导体晶体管的开关功率损耗，提高电路工作效率
一种输入电阻功率半导体晶体管

[发明专利]半导体装置及半导体存储装置-CN201910583203.0在审
发明人：内海哲章 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：实施方式提供一种高集成度的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体衬底、设置在半导体衬底表面的多个晶体管、以及电连接于多个晶体管的栅极电极的第1电路。多个晶体管包含：在第1方向上隔着绝缘区域相邻的第1及第2晶体管、在与第1方向交叉的第2方向上隔着绝缘区域而与第1及第2晶体管相邻的第3晶体管、以及在第2方向上隔着绝缘区域而与第1及第2晶体管相邻的第4晶体管第1电路根据第1信号而使第1～第4晶体管为导通状态。
半导体装置存储

[发明专利]半导体装置、打印设备及其制造方法-CN201310069805.7有效
发明人：铃木伸幸;铃木敏;大村昌伸 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置、打印设备及其制造方法。提供半导体装置的制造方法，该半导体装置包括布置于半导体基板上的DMOS晶体管、NMOS晶体管和PMOS晶体管，DMOS晶体管包含形成为彼此相邻的第一杂质区域和第二杂质区域，第一杂质区域具有与DMOS晶体管的漏极区域和源极区域相同的导电类型，形成为包围漏极区域，并且，第二杂质区域具有与第一杂质区域相反的导电类型，形成为包围源极区域，半导体装置的制造方法包括形成第一杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的一个和形成第二杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的另一个。
半导体装置打印设备及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201180053060.4有效
发明人：加藤清;盐野入丰;长塚修平;八洼裕人;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：延长半导体装置或半导体存储装置中的数据保持期间。半导体装置或半导体存储器包含存储电路，该存储电路包含第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管包含第一半导体层及第一栅极，第二晶体管包含第二半导体层、第二栅极、及第三栅极。第一半导体层与包含第二栅极的层同時形成。
半导体装置

[发明专利]制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法-CN202110127097.2在审
发明人： J·日默内·马蒂内 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/8228 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及制造包括PNP双极晶体管和NPN双极晶体管的器件的方法。一种微电子器件，包括竖直布置在P型掺杂半导体衬底中的PNP晶体管和NPN晶体管。PNP晶体管和NPN晶体管通过以下步骤制造：在半导体衬底中形成用于PNP晶体管的N+掺杂隔离阱；在N+掺杂隔离阱中形成P+掺杂区；在半导体衬底上外延生长第一半导体层；形成用于NPN晶体管的N+掺杂阱，其中N+掺杂阱的至少一部分延伸到第一半导体层中；然后在第一半导体层上外延生长第二半导体层；在第二半导体层中形成P掺杂区，该P掺杂区形成PNP晶体管的集电极，并且该P掺杂区与P+掺杂区电接触；以及在第二半导体层中形成N掺杂区，该N掺杂区形成NPN晶体管的集电极，并且该N掺杂区与N+掺杂阱电接触。
制造包括 pnp 双极晶体管 npn 器件方法